SMD/IPD上覆封裝或裝置結構及其製造方法
    2.
    发明专利
    SMD/IPD上覆封裝或裝置結構及其製造方法 审中-公开
    SMD/IPD上覆封装或设备结构及其制造方法

    公开(公告)号:TW201705391A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:TW104135986

    申请日:2015-11-02

    IPC分类号: H01L23/28 H01L21/56

    摘要: 本揭露提供一種封裝結構及其製造方法。在一實施例中,一封裝結構包含:一積體電路晶粒,嵌入至一封膠體;及一重佈結構位於該封膠體上。該重佈結構包含:一金屬化層,遠離該封膠體與該積體電路晶粒;以及一介電層,遠離該封膠體與該積體電路晶粒,且位於該金屬化層上。該封裝結構亦包含:一第一下部金屬化結構位於該介電層上、以及一表面安裝裝置及/或積體被動裝置(“SMD/IPD”)附接於該第一下部金屬化結構。該第一下部金屬化結構包含第一至第四延伸部分,分別延伸通過該介電層之第一至第四開口而至該金屬化層之第一至第四圖案。該第一開口、該第二開口、該第三開口、及該第四開口彼此實體分離。

    简体摘要: 本揭露提供一种封装结构及其制造方法。在一实施例中,一封装结构包含:一集成电路晶粒,嵌入至一封胶体;及一重布结构位于该封胶体上。该重布结构包含:一金属化层,远离该封胶体与该集成电路晶粒;以及一介电层,远离该封胶体与该集成电路晶粒,且位于该金属化层上。该封装结构亦包含:一第一下部金属化结构位于该介电层上、以及一表面安装设备及/或积体被动设备(“SMD/IPD”)附接于该第一下部金属化结构。该第一下部金属化结构包含第一至第四延伸部分,分别延伸通过该介电层之第一至第四开口而至该金属化层之第一至第四图案。该第一开口、该第二开口、该第三开口、及该第四开口彼此实体分离。