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公开(公告)号：TWI674685B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW106125729
申请日：2017-07-31
发明人： 黃偉立 , HUANG, WEI-LI , 陳季丞 , CHEN, CHI-CHENG , 黃宏麟 , HUANG, HON-LIN , 周建志 , CHOU, CHIEN-CHIH , 古進譽 , KU, CHIN-YU , 陳承先 , CHEN, CHEN-SHIEN
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公开(公告)号：TW201840024A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106125729
申请日：2017-07-31
发明人： 黃偉立 , HUANG, WEI-LI , 陳季丞 , CHEN, CHI-CHENG , 黃宏麟 , HUANG, HON-LIN , 周建志 , CHOU, CHIEN-CHIH , 古進譽 , KU, CHIN-YU , 陳承先 , CHEN, CHEN-SHIEN
摘要： 本發明實施例提供一種製造一半導體裝置之方法及該半導體裝置，其中使具有鈷-鋯-鉭之複數個層形成於一半導體基板上方，圖案化該複數個層，且將多個介電層及導電材料沈積於該CZT材料上方。另一層CZT材料囊封該導電材料。
简体摘要： 本发明实施例提供一种制造一半导体设备之方法及该半导体设备，其中使具有钴-锆-钽之复数个层形成于一半导体基板上方，图案化该复数个层，且将多个介电层及导电材料沉积于该CZT材料上方。另一层CZT材料囊封该导电材料。
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公开(公告)号：TWI622126B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW104143994
申请日：2015-12-28
发明人： 陳奕錚 , CHEN, I TSENG , 黃宏麟 , HUANG, HON LIN , 黃俊賢 , HUANG, CHUN HSIEN , 林瑀宏 , LIN, YU HUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/02271 , H01L21/823437 , H01L28/20
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公开(公告)号：TW201727802A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105140023
申请日：2016-12-02
发明人： 盧佳暐 , LU, CHIA-WEI , 王泓智 , WANG, HUNG-CHIH , 黃宏麟 , HUANG, HON-LIN
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67196 , B05C11/06 , C23C18/1691 , H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/67303
摘要： 腔室包含側壁、冷卻管和外管。冷卻管包含沿著腔室的側壁延伸的第一區段並且包含多個淨化噴嘴。外管延伸到腔室內部並且連接到冷卻管的第一區段。半導體處理站包含中心傳遞腔室、負載鎖定腔室和冷卻台。負載鎖定腔室和冷卻台鄰近於中心傳遞腔室安置。負載鎖定腔室用以容納具有多個晶圓的晶圓載體。中心傳遞腔室連通在冷卻台與負載鎖定腔室之間，以在冷卻台與負載鎖定腔室之間傳遞晶圓。
简体摘要： 腔室包含侧壁、冷却管和外管。冷却管包含沿着腔室的侧壁延伸的第一区段并且包含多个净化喷嘴。外管延伸到腔室内部并且连接到冷却管的第一区段。半导体处理站包含中心传递腔室、负载锁定腔室和冷却台。负载锁定腔室和冷却台邻近于中心传递腔室安置。负载锁定腔室用以容纳具有多个晶圆的晶圆载体。中心传递腔室连通在冷却台与负载锁定腔室之间，以在冷却台与负载锁定腔室之间传递晶圆。
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公开(公告)号：TW201023330A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098134249
申请日：2009-10-09
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/12 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/13099 , H01L2224/13155 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043
摘要： 本發明提供一種積體電路結構,包括半導體基板,包括前面和背面。穿透矽通孔穿過半導體基板,且穿透矽通孔之後端延伸到半導體基板背面。再分佈線,位於半導體基板背面上方並連接到穿透矽通孔後端。保護層位於再分佈線上方並具有開口,其中開口露出再分佈線的部分上表面與側壁。金屬拋光層位於開口中,並接觸再分佈線露出的部分上表面和側壁。
简体摘要： 本发明提供一种集成电路结构,包括半导体基板,包括前面和背面。穿透硅通孔穿过半导体基板,且穿透硅通孔之后端延伸到半导体基板背面。再分布线,位于半导体基板背面上方并连接到穿透硅通孔后端。保护层位于再分布在线方并具有开口,其中开口露出再分布线的部分上表面与侧壁。金属抛光层位于开口中,并接触再分布线露出的部分上表面和侧壁。
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公开(公告)号：TWI418000B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW099141866
申请日：2010-12-02
发明人： 賴怡仁 , LAI, YI JEN , 周友華 , CHOU, YOU HUA , 黃宏麟 , HUANG, HON LIN , 楊懷德 , YANG, HUAI TEI
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/03823 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/05006 , H01L2224/05009 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05655 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/01046 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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7.发明专利積體電路結構的形成方法 IMPROVING THE FORMATION FOR TSV BACKSIDE INTERCONNECTS BY MODIFYING CARRIER WAFERS 审中-公开集成电路结构的形成方法 IMPROVING THE FORMATION FOR TSV BACKSIDE INTERCONNECTS BY MODIFYING CARRIER WAFERS
公开(公告)号：TW201101429A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099119021
申请日：2010-06-11
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/6836 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/1147 , H01L2224/11901 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/013
摘要： 本發明一實施例提供一種積體電路結構的形成方法,包括:提供一半導體晶圓,包括一第一刻痕,自該半導體晶圓之一邊緣延伸進入該半導體晶圓;以及將一承載晶圓設置於該半導體晶圓之上,其中該承載晶圓包括一第二刻痕,位於該承載晶圓之中,且其中將該承載晶圓之設置步驟包括使至少一部分的該第一刻痕與至少一部分的該第二刻痕重疊。
简体摘要： 本发明一实施例提供一种集成电路结构的形成方法,包括:提供一半导体晶圆,包括一第一刻痕,自该半导体晶圆之一边缘延伸进入该半导体晶圆;以及将一承载晶圆设置于该半导体晶圆之上,其中该承载晶圆包括一第二刻痕,位于该承载晶圆之中,且其中将该承载晶圆之设置步骤包括使至少一部分的该第一刻痕与至少一部分的该第二刻痕重叠。
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8.发明专利積體電路結構與形成積體電路結構的方法 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING A INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE 审中-公开集成电路结构与形成集成电路结构的方法 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING A INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE
公开(公告)号：TW201039423A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099113812
申请日：2010-04-30
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0231 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/11002 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13023 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13184 , H01L2224/13583 , H01L2224/13655 , H01L2224/81001 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05552
摘要： 一種積體電路結構,包括一半導體基板其具有一正面與一背面,與一導孔(conductive via)其貫穿該半導體基板。該導孔包括一後端延伸至該半導體基板的背面。一重新分佈線(redistribution line,RDL)於該半導體基板的背面上且電性連接至該導孔的後端。一保護層於該重新分佈線上,伴隨著一開口於該保護層中,其中該重新分佈線的一部份經由該開口被露出。一銅柱(copper pillar)具有一部份於該開口中且電性連接至該重新分佈線。
简体摘要： 一种集成电路结构,包括一半导体基板其具有一正面与一背面,与一导孔(conductive via)其贯穿该半导体基板。该导孔包括一后端延伸至该半导体基板的背面。一重新分布线(redistribution line,RDL)于该半导体基板的背面上且电性连接至该导孔的后端。一保护层于该重新分布在线,伴随着一开口于该保护层中,其中该重新分布线的一部份经由该开口被露出。一铜柱(copper pillar)具有一部份于该开口中且电性连接至该重新分布线。
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公开(公告)号：TW201707138A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104143994
申请日：2015-12-28
发明人： 陳奕錚 , CHEN, I TSENG , 黃宏麟 , HUANG, HON LIN , 黃俊賢 , HUANG, CHUN HSIEN , 林瑀宏 , LIN, YU HUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/02271 , H01L21/823437 , H01L28/20
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括一基板，其中基板包括一第一區域與一第二區域。半導體裝置結構包括一閘極電極形成於該基板之該第一區域之上，以及一層間介電層，形成相鄰於該閘極電極。半導體裝置結構包括一電阻層，形成於層間介電層之上與該基板之該第二區域之上，且該電阻層之主要結構是非晶向(amorphous)。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括一基板，其中基板包括一第一区域与一第二区域。半导体设备结构包括一闸极电极形成于该基板之该第一区域之上，以及一层间介电层，形成相邻于该闸极电极。半导体设备结构包括一电阻层，形成于层间介电层之上与该基板之该第二区域之上，且该电阻层之主要结构是非晶向(amorphous)。
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10.发明专利半導體結構及其形成方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开半导体结构及其形成方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201212185A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW099141866
申请日：2010-12-02
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/03823 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/05006 , H01L2224/05009 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05655 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/01046 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本發明提供一種採用晶粒邊緣接點的半導體元件。積體電路晶粒具有溝槽之後保護層,而溝槽填有導電材料且自接點延伸至晶粒邊緣以形成晶粒邊緣接點。沿著晶粒邊緣,可視情況形成穿透基板通孔。這將使溝槽中的導電材料電性耦合至穿透基板通孔,以形成較大的晶粒邊緣接點。上述積體電路晶粒可置於多重晶粒封裝中,且多重晶粒封裝之牆狀物的主要表面垂直於積體電路晶粒的主要表面。晶粒邊緣接點可電性連接至多重晶粒封裝之牆狀物上的接點。多重晶粒封裝可含有邊緣接點以連接至另一基板如印刷電路板、封裝基板、高密度內連線、或類似物。
简体摘要： 本发明提供一种采用晶粒边缘接点的半导体组件。集成电路晶粒具有沟槽之后保护层,而沟槽填有导电材料且自接点延伸至晶粒边缘以形成晶粒边缘接点。沿着晶粒边缘,可视情况形成穿透基板通孔。这将使沟槽中的导电材料电性耦合至穿透基板通孔,以形成较大的晶粒边缘接点。上述集成电路晶粒可置于多重晶粒封装中,且多重晶粒封装之墙状物的主要表面垂直于集成电路晶粒的主要表面。晶粒边缘接点可电性连接至多重晶粒封装之墙状物上的接点。多重晶粒封装可含有边缘接点以连接至另一基板如印刷电路板、封装基板、高密度内连接、或类似物。
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