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公开(公告)号：TWI601257B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104139373
申请日：2015-11-26
发明人： 林宗澍 , LIN, TSUNG SHU , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 謝政傑 , HSIEH, CHENG CHIEH , 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L23/373 , H01L23/3738 , H01L23/4334 , H01L23/49894 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/043 , H01L25/074 , H01L25/50 , H01L2224/12105 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589
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公开(公告)号：TW201515120A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103112792
申请日：2014-04-08
发明人： 劉育志 , LIU, YU CHIH , 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA , 林士硯 , LIN, SHIH YEN , 陳衿良 , CHEN, CHIN LIANG , 何冠霖 , HO, KUAN LIN , 林韋廷 , LIN, WEI TING
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/24 , H01L23/3135 , H01L2224/73104 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本揭露揭示一種晶圓級封裝半導體結構之製造方法包含有數個操作。其中之一操作是提供載體，且其載體包含上表面。其中之一操作是利用複數個主動裸晶覆蓋部分上表面。其中之一操作是置放凸帶於載體之周邊上方，其中凸帶包含依著載體之輪廓形狀的邊緣。其中之一操作是形成模塑料於載體上以覆蓋複數主動晶粒。
简体摘要： 本揭露揭示一种晶圆级封装半导体结构之制造方法包含有数个操作。其中之一操作是提供载体，且其载体包含上表面。其中之一操作是利用复数个主动裸晶覆盖部分上表面。其中之一操作是置放凸带于载体之周边上方，其中凸带包含依着载体之轮廓形状的边缘。其中之一操作是形成模塑料于载体上以覆盖复数主动晶粒。
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公开(公告)号：TW201639106A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104139373
申请日：2015-11-26
发明人： 林宗澍 , LIN, TSUNG SHU , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 謝政傑 , HSIEH, CHENG CHIEH , 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L23/373 , H01L23/3738 , H01L23/4334 , H01L23/49894 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/043 , H01L25/074 , H01L25/50 , H01L2224/12105 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589
摘要： 本發明提供具有虛設晶粒之扇出堆疊系統級封裝(SIP)及其製造方法。一例示性封裝包含第一扇出層、該第一扇出層上方的扇出重佈層(RDL)、以及該扇出RDL上方的第二扇出層。該第一扇出層包含一或複數第一裝置晶粒、及沿著該一或複數第一裝置晶粒的側壁延伸的第一模塑料。該第二扇出層包含接合至扇出RDL的一或複數個裝置晶粒、接合至該扇出RDL的虛設晶粒、及沿著該一或複數第二裝置晶粒與該虛設晶粒之側壁延伸的第二模塑料。該扇出RDL將該一或複數第一裝置晶粒電性連接至該一或複數第二裝置晶粒，且該虛設晶粒質質上未具有任何有源裝置。
简体摘要： 本发明提供具有虚设晶粒之扇出堆栈系统级封装(SIP)及其制造方法。一例示性封装包含第一扇出层、该第一扇出层上方的扇出重布层(RDL)、以及该扇出RDL上方的第二扇出层。该第一扇出层包含一或复数第一设备晶粒、及沿着该一或复数第一设备晶粒的侧壁延伸的第一模塑料。该第二扇出层包含接合至扇出RDL的一或复数个设备晶粒、接合至该扇出RDL的虚设晶粒、及沿着该一或复数第二设备晶粒与该虚设晶粒之侧壁延伸的第二模塑料。该扇出RDL将该一或复数第一设备晶粒电性连接至该一或复数第二设备晶粒，且该虚设晶粒质质上未具有任何有源设备。
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公开(公告)号：TWI538066B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103112792
申请日：2014-04-08
发明人： 劉育志 , LIU, YU CHIH , 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA , 林士硯 , LIN, SHIH YEN , 陳衿良 , CHEN, CHIN LIANG , 何冠霖 , HO, KUAN LIN , 林韋廷 , LIN, WEI TING
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/24 , H01L23/3135 , H01L2224/73104 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201545246A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104107510
申请日：2015-03-10
发明人： 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA , 林宗澍 , LIN, TSUNG SHU , 謝政傑 , HSIEH, CHENG CHIEH , 吳偉誠 , WU, WEI CHENG
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/3185 , H01L23/488 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2221/68359 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05015 , H01L2224/05024 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05555 , H01L2224/06131 , H01L2224/06179 , H01L2224/06515 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/81805 , H01L2224/83005 , H01L2224/838 , H01L2224/83874 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15311 , H01L2924/2064 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121
摘要： 本揭露之一實施例提供一種虛設墊片特徵相鄰於接觸墊片的半導體裝置及其形成方法。接觸墊片可以是整合扇出封裝中的接觸墊片，其中整合扇出封裝包括模塑化合物位於晶粒之側壁，且接觸墊片位於晶粒及模塑化合物之上。接觸墊片利用或多層重佈線層電性連接至晶粒。虛設墊片特徵與接觸墊片電性絕緣。在一些實施例中，虛設墊片特徵部分地圍繞接觸墊片且設置於模塑化合物的角落區域中、晶粒的角落區域中及/或介於晶粒與模塑化合物之間的一界面區域上。
简体摘要： 本揭露之一实施例提供一种虚设垫片特征相邻于接触垫片的半导体设备及其形成方法。接触垫片可以是集成扇出封装中的接触垫片，其中集成扇出封装包括模塑化合物位于晶粒之侧壁，且接触垫片位于晶粒及模塑化合物之上。接触垫片利用或多层重布线层电性连接至晶粒。虚设垫片特征与接触垫片电性绝缘。在一些实施例中，虚设垫片特征部分地围绕接触垫片且设置于模塑化合物的角落区域中、晶粒的角落区域中及/或介于晶粒与模塑化合物之间的一界面区域上。
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公开(公告)号：TWI598966B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104107510
申请日：2015-03-10
发明人： 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA , 林宗澍 , LIN, TSUNG SHU , 謝政傑 , HSIEH, CHENG CHIEH , 吳偉誠 , WU, WEI CHENG
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/3185 , H01L23/488 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2221/68359 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05015 , H01L2224/05024 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05555 , H01L2224/06131 , H01L2224/06179 , H01L2224/06515 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/81805 , H01L2224/83005 , H01L2224/838 , H01L2224/83874 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15311 , H01L2924/2064 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121
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公开(公告)号：TW201611134A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104126411
申请日：2015-08-13
发明人： 林彥良 , LIN, YENLIANG , 黃昶嘉 , HUANG, CHANGCHIA , 郭庭豪 , KUO, TINHAO , 吳勝郁 , WU, SHENGYU , 陳承先 , CHEN, CHENSHIEN
CPC分类号： H01L2224/16237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191
摘要： 提供第一基板附著至第二基板之方法及裝置。在一些實施方式中，第一基板具有保護層，如焊罩(solder mask)，其圍繞第二基板所附著之晶粒附著區域(die attach area)。排除區域(keep-out region)(例如第二基板與保護層間之區域)為一個區域圍繞未形成或移除保護層之第二基板。排除區域的尺寸大小使第二基板與保護層間存在足夠的間隔，以放置底部填膠(underfill)於第一基板與第二基板之間，同時降低或避免空隙，且同時允許排除區域中之導線藉由底部填膠而覆蓋。
简体摘要： 提供第一基板附着至第二基板之方法及设备。在一些实施方式中，第一基板具有保护层，如焊罩(solder mask)，其围绕第二基板所附着之晶粒附着区域(die attach area)。排除区域(keep-out region)(例如第二基板与保护层间之区域)为一个区域围绕未形成或移除保护层之第二基板。排除区域的尺寸大小使第二基板与保护层间存在足够的间隔，以放置底部填胶(underfill)于第一基板与第二基板之间，同时降低或避免空隙，且同时允许排除区域中之导线借由底部填胶而覆盖。
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公开(公告)号：TW201340275A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102111363
申请日：2013-03-29
发明人： 林彥良 , LIN, YEN LIANG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 吳勝郁 , WU, SHENG YU , 林宗澍 , LIN, TSUNG SHU , 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L23/293 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/13012 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/206 , H01L2924/01047
摘要： 本發明提供一種積體電路裝置，包括一基板；一金屬墊，位於基板上方；一鈍化層，覆蓋住金屬墊的多個邊緣部份，其中鈍化層包括與金屬墊重疊的一第一開口，且其中第一開口具有一第一橫向尺寸，其係由平行於基板之一主要表面的一方向所量測；一聚合物層，位於鈍化層上方且覆蓋住金屬墊的邊緣部份，其中聚合物層包括與金屬墊重疊的一第二開口，其中第二開口具有由上述方向量測的一第二橫向尺寸，且其中第一橫向尺寸大於第二橫向尺寸約7微米以上；以及一凸塊下金屬層(Under-Bump metallurgy；UBM)，包括位於第二開口中的一第一部分，以及位於部分聚合物層之上的一第二部分。
简体摘要： 本发明提供一种集成电路设备，包括一基板；一金属垫，位于基板上方；一钝化层，覆盖住金属垫的多个边缘部份，其中钝化层包括与金属垫重叠的一第一开口，且其中第一开口具有一第一横向尺寸，其系由平行于基板之一主要表面的一方向所量测；一聚合物层，位于钝化层上方且覆盖住金属垫的边缘部份，其中聚合物层包括与金属垫重叠的一第二开口，其中第二开口具有由上述方矢量测的一第二横向尺寸，且其中第一横向尺寸大于第二横向尺寸约7微米以上；以及一凸块下金属层(Under-Bump metallurgy；UBM)，包括位于第二开口中的一第一部分，以及位于部分聚合物层之上的一第二部分。
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公开(公告)号：TW201413899A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102133795
申请日：2013-09-18
发明人： 林彥良 , LIN, YEN LIANG , 曾裕仁 , TSENG, YU JEN , 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02125 , H01L2224/02141 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/0401 , H01L2224/05114 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05647 , H01L2224/10125 , H01L2224/11013 , H01L2224/11019 , H01L2224/1112 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/13026 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13551 , H01L2224/13564 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/14051 , H01L2224/16148 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/81007 , H01L2224/81143 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81895 , H01L2224/8192 , H01L2224/81948 , H01L2225/06513 , H01L2924/04941 , H01L2924/07025 , H01L2924/181 , H01L2924/301 , H01L2924/35 , Y10T29/49144 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本發明提供一種凸塊結構與其形成方法。凸塊結構包括：一接觸元件形成於一基板之上；一保護層位於該基板上，其中該保護層具有一保護層開口暴露該接觸元件；一聚亞醯胺(polyimide)層位於該保護層之上，其中該聚亞醯胺層具有一聚亞醯胺層開口暴露該接觸元件；一凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構電性耦合到該接觸元件，其中該凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構具有一凸塊下方金屬化特徵結構寬度；以及一銅柱位於該凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構之上，其中該銅柱的一末端具有一柱狀結構寬度，該凸塊下方金屬化特徵結構寬度大於該柱狀結構寬度。
简体摘要： 本发明提供一种凸块结构与其形成方法。凸块结构包括：一接触组件形成于一基板之上；一保护层位于该基板上，其中该保护层具有一保护层开口暴露该接触组件；一聚亚酰胺(polyimide)层位于该保护层之上，其中该聚亚酰胺层具有一聚亚酰胺层开口暴露该接触组件；一凸块下方金属化(UBM)特征结构电性耦合到该接触组件，其中该凸块下方金属化(UBM)特征结构具有一凸块下方金属化特征结构宽度；以及一铜柱位于该凸块下方金属化(UBM)特征结构之上，其中该铜柱的一末端具有一柱状结构宽度，该凸块下方金属化特征结构宽度大于该柱状结构宽度。
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公开(公告)号：TWI642119B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW104126411
申请日：2015-08-13
发明人： 林彥良 , LIN, YENLIANG , 黃昶嘉 , HUANG, CHANGCHIA , 郭庭豪 , KUO, TINHAO , 吳勝郁 , WU, SHENGYU , 陳承先 , CHEN, CHENSHIEN
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