公开(公告)号：TWI546932B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW103124500

申请日：2014-07-17

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 江政嘉 ,  CHIANG, CHENG CHIA ,  林欣達 ,  LIN, HSIN TA ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG ,  王愉博 ,  WANG, YU PO ,  王隆源 ,  WANG, LUNG YUAN ,  徐逐崎 ,  HSU, CHU CHI ,  施嘉凱 ,  SHIH, CHIA KAI

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/162 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06132 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW200301531A

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：TW091136229

申请日：2002-12-13

申请人： NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 富盛浩昭 ,  青木秀充 ,  三木郁 KAORU MIKAGI ,  古谷晃 AKIRA FURUYA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/035 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552

摘要： 使用有機酸處理銅膜表面而使此表面呈現崎嶇不平之後，則使用草酸清洗形成於電極焊墊之銅膜表面之上的氧化膜。藉以，在使用探針與電極焊墊接觸而進行電性檢驗時，將可測得不變的電阻值、並可藉由顯微鏡的觀測而輕易地確認探針是否與電極焊墊呈良好的接觸。此外，電極焊墊與焊料之間的可濕性極佳，故有利在電極焊墊之上形成焊接隆起部。

简体摘要： 使用有机酸处理铜膜表面而使此表面呈现崎岖不平之后，则使用草酸清洗形成于电极焊垫之铜膜表面之上的氧化膜。借以，在使用探针与电极焊垫接触而进行电性检验时，将可测得不变的电阻值、并可借由显微镜的观测而轻易地确认探针是否与电极焊垫呈良好的接触。此外，电极焊垫与焊料之间的可湿性极佳，故有利在电极焊垫之上形成焊接隆起部。

公开(公告)号：TW201605013A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW103124500

申请日：2014-07-17

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 江政嘉 ,  CHIANG, CHENG CHIA ,  林欣達 ,  LIN, HSIN TA ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG ,  王愉博 ,  WANG, YU PO ,  王隆源 ,  WANG, LUNG YUAN ,  徐逐崎 ,  HSU, CHU CHI ,  施嘉凱 ,  SHIH, CHIA KAI

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/162 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06132 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體封裝件及其製法，該半導體封裝件包括：第一半導體裝置，係具有相對之第一頂面與第一底面；複數導通球，係形成於該第一頂面；第二半導體裝置，係具有相對之第二頂面與第二底面，且該第二底面係面向該第一頂面；以及複數導電柱，係形成於該第二底面，並分別接合該些導通球以電性連接該第一及第二半導體裝置，且該導電柱之高度係小於300微米。藉此，本發明可易於控制該半導體封裝件之高度，並用於具有更精細間距之導通球之半導體封裝件上。

简体摘要： 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：第一半导体设备，系具有相对之第一顶面与第一底面；复数导通球，系形成于该第一顶面；第二半导体设备，系具有相对之第二顶面与第二底面，且该第二底面系面向该第一顶面；以及复数导电柱，系形成于该第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一及第二半导体设备，且该导电柱之高度系小于300微米。借此，本发明可易于控制该半导体封装件之高度，并用于具有更精细间距之导通球之半导体封装件上。

公开(公告)号：TW200915511A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：TW097122280

申请日：2008-06-13

申请人： 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

发明人： 森藤忠洋 MORIFUJI, TADAHIRO ,  上田茂幸 UEDA, SHIGEYUKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1356 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供可抑制可靠性之降低之半導體裝置。本半導體裝置係包含:電極墊部(2),其係形成於半導體基板(1)之上面上;鈍化層(3),其係包含使電極墊部(2)之上面露出之第1開口部(3a),且以與電極墊部(2)之一部分重疊之方式形成於半導體基板(1)之上面上;障壁金屬層(5),其係形成於電極墊部(2)上;及焊料凸塊(6),其係形成於障壁金屬層(5)上。而,障壁金屬層(5)從平面上看時,係將外周端部(5b)形成位於鈍化層(3)之第1開口部(3a)之內側。

简体摘要： 本发明提供可抑制可靠性之降低之半导体设备。本半导体设备系包含:电极垫部(2),其系形成于半导体基板(1)之上面上;钝化层(3),其系包含使电极垫部(2)之上面露出之第1开口部(3a),且以与电极垫部(2)之一部分重叠之方式形成于半导体基板(1)之上面上;障壁金属层(5),其系形成于电极垫部(2)上;及焊料凸块(6),其系形成于障壁金属层(5)上。而,障壁金属层(5)从平面上看时,系将外周端部(5b)形成位于钝化层(3)之第1开口部(3a)之内侧。

公开(公告)号：TW201742165A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106102406

申请日：2017-01-23

申请人： 先科公司 ,  SEMTECH CORPORATION

发明人： 奇努薩米 沙亞莫希 ,  CHINNUSAMY, SATYAMOORTHI ,  辛普森 凱文 ,  SIMPSON, KEVIN ,  科斯特洛 馬克C ,  COSTELLO, MARK C.

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03

摘要： 一種半導體裝置包括一半導體晶圓，該半導體晶圓包含被形成在該半導體晶圓的第一表面上方的複數個半導體晶粒和複數個接觸墊。一溝槽被部分形成貫穿該半導體晶圓的該第一表面。一絕緣材料被設置在該半導體晶圓的第一表面上方及該第一溝槽之中。一導體層被形成在該些接觸墊上方。該導體層會被印刷為用以延伸在介於相鄰接觸墊之間的溝槽中的絕緣材料上方。和該半導體晶圓之第一表面反向的該半導體晶圓的一部分會被移除至該第一溝槽中的絕緣材料。一絕緣層被形成在該半導體晶圓的一第二表面和該半導體晶圓的側表面上方。該半導體晶圓會被單體化裁切貫穿該第一溝槽中的絕緣材料，以便分離該半導體晶粒。

简体摘要： 一种半导体设备包括一半导体晶圆，该半导体晶圆包含被形成在该半导体晶圆的第一表面上方的复数个半导体晶粒和复数个接触垫。一沟槽被部分形成贯穿该半导体晶圆的该第一表面。一绝缘材料被设置在该半导体晶圆的第一表面上方及该第一沟槽之中。一导体层被形成在该些接触垫上方。该导体层会被印刷为用以延伸在介于相邻接触垫之间的沟槽中的绝缘材料上方。和该半导体晶圆之第一表面反向的该半导体晶圆的一部分会被移除至该第一沟槽中的绝缘材料。一绝缘层被形成在该半导体晶圆的一第二表面和该半导体晶圆的侧表面上方。该半导体晶圆会被单体化裁切贯穿该第一沟槽中的绝缘材料，以便分离该半导体晶粒。

公开(公告)号：TW201513234A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103120384

申请日：2014-06-12

申请人： EV集團E塔那有限公司 ,  EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： 瑞柏翰 柏赫德 ,  REBHAN, BERNHARD

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L22/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明係關於用於用以下步驟尤其以下進程將一第一基板之一第一至少部分地為金屬的接觸表面接合至一第二基板之一第二至少部分地金屬接觸表面之方法：-將至少部分地尤其主要可溶於該等接觸表面中之至少一者之材料中之一犧牲層施加至該等接觸表面中之至少一者，-藉助該等接觸表面中之至少一者中之該犧牲層之至少部分溶液接合該等接觸表面。

简体摘要： 本发明系关于用于用以下步骤尤其以下进程将一第一基板之一第一至少部分地为金属的接触表面接合至一第二基板之一第二至少部分地金属接触表面之方法：-将至少部分地尤其主要可溶于该等接触表面中之至少一者之材料中之一牺牲层施加至该等接触表面中之至少一者，-借助该等接触表面中之至少一者中之该牺牲层之至少部分溶液接合该等接触表面。