公开(公告)号：TW200911065A

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW097127666

申请日：2008-07-21

申请人： 索尼化學&信息部件股份有限公司 SONY CHEMICAL & INFORMATION DEVICE CORPORATION

发明人： 小西美佐夫 KONISHI, MISAO ,  田中芳人 TANAKA, YOSHITO ,  田代智史 TASHIRO, SATOSHI

IPC分类号： H05K ,  H01L ,  G02F

CPC分类号： H01L24/75 ,  B30B5/02 ,  B30B15/065 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/75986 ,  H01L2224/75988 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/323 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2203/0278 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係提供一種構裝技術,能以結構簡單的熱壓接裝置,使用黏著劑來效率良好地構裝電氣零件。本發明之熱壓接裝置,具有:平台2,其具有剛性材料;壓接構件3,其裝設於平台2,並具有彈性材料;以及加熱機構4,其相對於壓接構件3而對向配置於上方,並構成為可上下移動。於加熱機構4的本體部40,形成有加熱按壓面40a,其大小係對應在熱壓接中所使用的黏著劑之加熱區域的大小。

简体摘要： 本发明系提供一种构装技术,能以结构简单的热压接设备,使用黏着剂来效率良好地构装电气零件。本发明之热压接设备,具有:平台2,其具有刚性材料;压接构件3,其装设于平台2,并具有弹性材料;以及加热机构4,其相对于压接构件3而对向配置于上方,并构成为可上下移动。于加热机构4的本体部40,形成有加热按压面40a,其大小系对应在热压接中所使用的黏着剂之加热区域的大小。

公开(公告)号：TW201919095A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107121578

申请日：2018-06-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳建置 ,  CHEN, CHIEN CHIH ,  楊宗毅 ,  YANG, TSUNG YI ,  洪忠義 ,  HUNG, CHUNG I ,  鄭穆韓 ,  CHENG, MU HAN ,  陳慈信 ,  CHEN, TZU SHIN ,  葉書佑 ,  YEH, SU YU

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L24/741 ,  H01L22/12 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7555 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/75985 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80024 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80149 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80908

摘要： 一種晶圓的接合方法，包含以下步驟。將第一晶圓耦接至接合裝置的第一支撐座，並將第二晶圓耦接至接合裝置的第二支撐座。在第一晶圓耦接至第一支撐座的情況下，將第二晶圓接合至第一晶圓。探測是否有氣泡存在於接合裝置中該第一晶圓與第二晶圓之間。

简体摘要： 一种晶圆的接合方法，包含以下步骤。将第一晶圆耦接至接合设备的第一支撑座，并将第二晶圆耦接至接合设备的第二支撑座。在第一晶圆耦接至第一支撑座的情况下，将第二晶圆接合至第一晶圆。探测是否有气泡存在于接合设备中该第一晶圆与第二晶圆之间。

公开(公告)号：TWI523184B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW102116173

申请日：2013-05-07

申请人： 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

发明人： 權雲星 ,  KWON, WOON-SEONG ,  瑞瑪林嘉 蘇芮戌 ,  RAMALINGAM, SURESH

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/75987 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201503270A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：TW102148925

申请日：2013-12-30

申请人： 新川股份有限公司 ,  SHINKAWA LTD.

发明人： 和田庄司 ,  WADA, SHOJI

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/67103 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75983

摘要： 本發明提供一種結構簡單且高剛性、高平坦度、且可實現均勻加熱、具有高維護性的黏晶平台。黏晶平台包括：剛體塊10，於其表面16設置有上表面平坦的多個突起11；平板20，固定於突起11之上的支持面18；陶瓷板30，固定吸附於平板20之上；板狀加熱器40，配置於平板20的剛體塊10側；及盤簧50，設置於加熱器40與剛體塊10之間，且使加熱器40密接於平板20的剛體塊10側的面上。

简体摘要： 本发明提供一种结构简单且高刚性、高平坦度、且可实现均匀加热、具有高维护性的黏晶平台。黏晶平台包括：刚体块10，于其表面16设置有上表面平坦的多个突起11；平板20，固定于突起11之上的支持面18；陶瓷板30，固定吸附于平板20之上；板状加热器40，配置于平板20的刚体块10侧；及盘簧50，设置于加热器40与刚体块10之间，且使加热器40密接于平板20的刚体块10侧的面上。

公开(公告)号：TW201403785A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102116173

申请日：2013-05-07

申请人： 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

发明人： 權雲星 ,  KWON, WOON-SEONG ,  瑞瑪林嘉 蘇芮戌 ,  RAMALINGAM, SURESH

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/75987 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明提供一種覆晶堆疊的方法，其包含：形成一空腔晶圓，其包括複數個空腔以及一對轉角導軌；放置一直通矽穿孔(TSV)中介片於該空腔晶圓上，該TSV中介片具有被耦合至該TSV中介片的一表面的多個焊接凸塊，俾使得該等焊接凸塊位於該等複數個空腔中，而該TSV中介片位於該對轉角導軌之間；放置一積體電路(IC)晶粒於該TSV中介片的另一表面上，俾使得該IC晶粒、該TSV中介片、以及該等焊接凸塊會形成一已堆疊的中介片單元；從該空腔晶圓處移除該已堆疊的中介片單元；以及將該已堆疊的中介片單元的該等焊接凸塊黏結至一有機基板，俾使得該已堆疊的中介片單元與該有機基板會形成覆晶。

简体摘要： 本发明提供一种覆晶堆栈的方法，其包含：形成一空腔晶圆，其包括复数个空腔以及一对转角导轨；放置一直通硅穿孔(TSV)中介片于该空腔晶圆上，该TSV中介片具有被耦合至该TSV中介片的一表面的多个焊接凸块，俾使得该等焊接凸块位于该等复数个空腔中，而该TSV中介片位于该对转角导轨之间；放置一集成电路(IC)晶粒于该TSV中介片的另一表面上，俾使得该IC晶粒、该TSV中介片、以及该等焊接凸块会形成一已堆栈的中介片单元；从该空腔晶圆处移除该已堆栈的中介片单元；以及将该已堆栈的中介片单元的该等焊接凸块黏结至一有机基板，俾使得该已堆栈的中介片单元与该有机基板会形成覆晶。

公开(公告)号：TW200952129A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：TW098105976

申请日：2009-02-25

申请人： 富士通微電子股份有限公司

发明人： 西村隆雄 ,  乘松孝行

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/90 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665

摘要： 一種半導體裝置包括一支撐板、安裝於該支撐板的一主表面上的一第一半導體元件、及提供於該支撐板與該第一半導體元件之間的一電子元件；其中，該支撐板包括在與該第一半導體元件分離的方向上形成的一凹入部分；及該電子元件的至少一部分被容納於該凹入部分中。

简体摘要： 一种半导体设备包括一支撑板、安装于该支撑板的一主表面上的一第一半导体组件、及提供于该支撑板与该第一半导体组件之间的一电子组件；其中，该支撑板包括在与该第一半导体组件分离的方向上形成的一凹入部分；及该电子组件的至少一部分被容纳于该凹入部分中。

公开(公告)号：TWI544595B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104123233

申请日：2015-07-17

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  朱彥璋 ,  CHU, YEN CHANG ,  劉冠良 ,  LIU, KUAN LIANG ,  劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  蔡正原 ,  TSAI, CHENG YUAN ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG ,  李汝諒 ,  LEE, RU LIANG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L21/68785 ,  B32B37/1018 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75983

公开(公告)号：TW201626524A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104123233

申请日：2015-07-17

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  朱彥璋 ,  CHU, YEN CHANG ,  劉冠良 ,  LIU, KUAN LIANG ,  劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  蔡正原 ,  TSAI, CHENG YUAN ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG ,  李汝諒 ,  LEE, RU LIANG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L21/68785 ,  B32B37/1018 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75983

摘要： 本發明不同實施方式提供一種接合頭、一種使用此接合頭的方法以及一種包含此接合頭的工具。關於此方法，包含以下步驟。首先，放置第一晶圓於第一接合頭的第一表面，其中第一表面至少部份為由第一球面的第一部份與第二球面的第二部份所定義，第一球面具有第一半徑，第二球面具有第二半徑，第一半徑小於第二半徑。然後，放置第二晶圓於第二接合頭。最後，接合第一晶圓與第二晶圓。

简体摘要： 本发明不同实施方式提供一种接合头、一种使用此接合头的方法以及一种包含此接合头的工具。关于此方法，包含以下步骤。首先，放置第一晶圆于第一接合头的第一表面，其中第一表面至少部份为由第一球面的第一部份与第二球面的第二部份所定义，第一球面具有第一半径，第二球面具有第二半径，第一半径小于第二半径。然后，放置第二晶圆于第二接合头。最后，接合第一晶圆与第二晶圆。

公开(公告)号：TWI512856B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW102148925

申请日：2013-12-30

申请人： 新川股份有限公司 ,  SHINKAWA LTD.

发明人： 和田庄司 ,  WADA, SHOJI

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/67103 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75983

公开(公告)号：TWI400774B

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW098105976

申请日：2009-02-25

申请人： 富士通半導體股份有限公司 ,  FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 西村隆雄 ,  NISHIMURA, TAKAO ,  乘松孝行 ,  NORIMATSU, TAKAYUKI

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/90 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665