公开(公告)号：TWI520391B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW102144489

申请日：2013-12-04

申请人： 國立清華大學 ,  NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

发明人： 林崇榮 ,  LIN, CHRONG JUNG ,  金雅琴 ,  KING, YA CHIN

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： H01L43/02 ,  G01R33/02 ,  G01R33/098 ,  H01L23/48 ,  H01L23/645 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201246467A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW100146568

申请日：2011-12-15

申请人： 美國亞德諾半導體公司

发明人： 歐唐尼爾 亞倫 ,  艾瑞特 聖地牙哥 ,  莫菲 馬克J ,  萊登 柯林 ,  凱西 蓋瑞 ,  英格利許 佑恩 艾德華

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G01N27/226 ,  B81B7/00 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  G01N27/26 ,  G01N27/4148 ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/38 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/58 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/94 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L28/00 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/06 ,  H01L35/00 ,  H01L35/28 ,  H01L35/30 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H02S10/10 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本發明之實施例提供一種積體電路系統，其包括：一第一作用層，其製造於一半導體晶粒之一前側上；及一第二預先製造層，其在該半導體晶粒之一背側上且具有體現於其中之電組件，其中該等電組件包括至少一離散被動組件。該積體電路系統亦包括將該第一作用層與該第二預先製造層耦接之至少一電路徑。

简体摘要： 本发明之实施例提供一种集成电路系统，其包括：一第一作用层，其制造于一半导体晶粒之一前侧上；及一第二预先制造层，其在该半导体晶粒之一背侧上且具有体现于其中之电组件，其中该等电组件包括至少一离散被动组件。该集成电路系统亦包括将该第一作用层与该第二预先制造层耦接之至少一电路径。

公开(公告)号：TW201015890A

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：TW097151246

申请日：2008-12-29

申请人： 陽光微電腦系統有限公司

发明人： 周懷恩 ,  霍金斯 爾 ,  多斯特 羅伯特

IPC分类号： H04B

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/48 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H04B5/0012 ,  H04B5/0031 ,  H04B5/0075 ,  H04B5/0081

摘要： 多重存取鄰近通訊系統，其中在積體電路晶片上的電性元件提供多個信號之多工至另一晶片上的單一電性接收元件。形成在一晶片上並接收分別之信號的多個墊可電容耦合至另一晶片上的大型墊。一晶片上的多個電感線圈可磁耦合至另一晶片上的一大型線圈或三或更多晶片上的電感線圈可用來傳送或接收。多工可基於時間、頻率或碼。

简体摘要： 多重存取邻近通信系统，其中在集成电路芯片上的电性组件提供多个信号之多任务至另一芯片上的单一电性接收组件。形成在一芯片上并接收分别之信号的多个垫可电容耦合至另一芯片上的大型垫。一芯片上的多个电感线圈可磁耦合至另一芯片上的一大型线圈或三或更多芯片上的电感线圈可用来发送或接收。多任务可基于时间、频率或码。

公开(公告)号：TW200933873A

公开(公告)日：2009-08-01

申请号：TW097135893

申请日：2008-09-18

申请人： 陽光微電腦系統有限公司 SUN MICROSYSTEMS, INC.

发明人： 康寧罕 約翰 CUNNINGHAM, JOHN E. ,  克里奇納摩西 亞夏克 KRISHNAMOORTHY, ASHOK V. ,  藍汀 安德斯 LANDIN, ANDERS

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： 一種於處理器與一或更多快取記憶體間之“高帽"橋傳輸信號通訊。該橋包圍處理器的周圍,並包含一孔徑與該處理器相對,電源及資料可以由另一裝置,經由該孔徑提供給該處理器。該橋經由電容耦合接近連接與快取記憶體交換信號。該橋經由導電(例如線)連接及選用接近連接法與處理器通訊。在橋與快取記憶體間之接近連接的相對墊間之間隔係藉由在快取記憶體表面中之凹槽、在橋的相對面中之對應凹槽、及用於每一匹配對的對應快取記憶體及橋凹槽的一球加以設定。該球係被配合入匹配對的凹槽內及凹槽間。凹槽深度及球尺寸侷限在接近連接的相對墊間之最小距離。

简体摘要： 一种于处理器与一或更多高速缓存间之“高帽"桥传输信号通信。该桥包围处理器的周围,并包含一孔径与该处理器相对,电源及数据可以由另一设备,经由该孔径提供给该处理器。该桥经由电容耦合接近连接与高速缓存交换信号。该桥经由导电(例如线)连接及选用接近连接法与处理器通信。在桥与高速缓存间之接近连接的相对垫间之间隔系借由在高速缓存表面中之凹槽、在桥的相对面中之对应凹槽、及用于每一匹配对的对应高速缓存及桥凹槽的一球加以设置。该球系被配合入匹配对的凹槽内及凹槽间。凹槽深度及球尺寸局限在接近连接的相对垫间之最小距离。

公开(公告)号：TW201523943A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW102144489

申请日：2013-12-04

申请人： 國立清華大學 ,  NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

发明人： 林崇榮 ,  LIN, CHRONG JUNG ,  金雅琴 ,  KING, YA CHIN

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： H01L43/02 ,  G01R33/02 ,  G01R33/098 ,  H01L23/48 ,  H01L23/645 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種立體積體電路，包含複數個堆疊的晶片。該複數個堆疊的晶片中的每一晶片包含至少一電晶體、一感應線圈及一磁感測器，其中該磁感測器是位於該感應線圈與該至少一電晶體之上，且該感應線圈是介於該至少一電晶體與該磁感測器之間。該晶片是利用該感應線圈產生包含資料的磁場以及該複數個堆疊的晶片中與該晶片相鄰的至少一第一晶片利用該第一晶片的磁感測器通過該晶片的感應線圈所產生的磁場接收產生自該晶片的感應線圈的資料。

简体摘要： 一种三維集成电路，包含复数个堆栈的芯片。该复数个堆栈的芯片中的每一芯片包含至少一晶体管、一感应线圈及一磁传感器，其中该磁传感器是位于该感应线圈与该至少一晶体管之上，且该感应线圈是介于该至少一晶体管与该磁传感器之间。该芯片是利用该感应线圈产生包含数据的磁场以及该复数个堆栈的芯片中与该芯片相邻的至少一第一芯片利用该第一芯片的磁传感器通过该芯片的感应线圈所产生的磁场接收产生自该芯片的感应线圈的数据。

公开(公告)号：TWI447891B

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW097135880

申请日：2008-09-18

申请人： 陽光微電腦系統有限公司 ,  SUN MICROSYSTEMS, INC.

发明人： 米歇爾 詹姆斯 ,  MITCHELL, JAMES G. ,  康寧罕 約翰 ,  CUNNINGHAM, JOHN E. ,  克里奇納摩西 亞夏克 ,  KRISHNAMOORTHY, ASHOK V.

IPC分类号： H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/10 ,  H01L23/48 ,  H01L24/02 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/72

公开(公告)号：TW201401480A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW102105343

申请日：2013-02-08

申请人： 奧瑞可國際公司 ,  ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION

发明人： 沙克 席倫 ,  THACKER, HIREN D. ,  楊恆石 ,  YANG, HYUNG SUK ,  旭賓 艾文 ,  SHUBIN, IVAN ,  康寧罕 約翰 ,  CUNNINGHAM, JOHN E.

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/48 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L24/73 ,  H01L24/90 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/72 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種多晶片模組包含二維陣列的相面對晶片，包括使用重疊的連接器以彼此通訊之島晶片及橋晶片。為了維持這些連接器的相對垂直間隔，可壓縮結構在裝納橋晶片的基底中的穴中、在橋晶片的背表面上提供壓縮力。這些壓縮結構包含順應形狀及體積壓縮的順應材料。依此方式，多晶片模組確保島晶片及橋晶片的相面對表面、以及這些表面上的連接器是幾乎共平面的而未彎曲橋晶片。

简体摘要： 一种多芯片模块包含二维数组的相面对芯片，包括使用重叠的连接器以彼此通信之岛芯片及桥芯片。为了维持这些连接器的相对垂直间隔，可压缩结构在装纳桥芯片的基底中的穴中、在桥芯片的背表面上提供压缩力。这些压缩结构包含顺应形状及体积压缩的顺应材料。依此方式，多芯片模块确保岛芯片及桥芯片的相面对表面、以及这些表面上的连接器是几乎共平面的而未弯曲桥芯片。

公开(公告)号：TW201316478A

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：TW101131865

申请日：2012-08-31

申请人： 美國博通公司 ,  BROADCOM CORPORATION

发明人： 波爾 麥可 ,  BOERS, MICHAEL ,  貝薩德 阿亞 瑞薩 ,  BEHZAD, ARYA REZA ,  羅弗戈蘭 阿瑪德雷茲 ,  ROFOUGARAN, AHMADREZA ,  趙子群 ,  ZHAO, SAM ZIQUN ,  卡司坦帝達 亞瑟 艾凡索 ,  CASTANDEDA, JESUS ALFONSO

IPC分类号： H01L23/58 ,  H04W4/18

CPC分类号： H01P3/12 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明涉及無線地致能積體電路（IC）中的信號分配和發射。公開了用於在積體電路和/或積體電路內的功能模組之間進行無線通訊的方法和裝置。半導體器件製造過程使用預定序列的感光和/或化學處理步驟來將一個或多個功能模組形成在半導體基底上。功能模組耦接至形成在半導體基底上和/或附接至半導體的整合波導以形成積體電路。功能模組通過整合波導利用多路接入傳輸方案彼此通信以及與其他積體電路通信。一個或多個積體電路可以耦接至積體電路載體以形成多晶片模組。所述多晶片模組可以耦接至半導體封裝件以形成封裝的積體電路。

简体摘要： 本发明涉及无线地致能集成电路（IC）中的信号分配和发射。公开了用于在集成电路和/或集成电路内的功能模块之间进行无线通信的方法和设备。半导体器件制造过程使用预定串行的感光和/或化学处理步骤来将一个或多个功能模块形成在半导体基底上。功能模块耦接至形成在半导体基底上和/或附接至半导体的集成波导以形成集成电路。功能模块通过集成波导利用多路接入传输方案彼此通信以及与其他集成电路通信。一个或多个集成电路可以耦接至集成电路载体以形成多芯片模块。所述多芯片模块可以耦接至半导体封装件以形成封装的集成电路。

公开(公告)号：TW201234501A

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：TW100128699

申请日：2011-08-11

申请人： 奧瑞可國際公司

发明人： 哈瑞達 約翰 ,  道格拉斯 大衛 ,  多斯特 羅伯特

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G02B6/43 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16135 ,  H01L2224/16151 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1015 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/151

摘要： 描述一種斜坡堆疊晶片封裝。此晶片封裝包括半導體晶粒或晶片之垂直堆疊,其係於水平方向被彼此偏移,藉此界定一具有暴露墊之階地。一高頻寬的斜坡組件(其被設置幾乎平行於階地)被電氣地且機械式耦合至暴露墊。例如,斜坡組件可使用以下而被耦合至半導體晶粒:焊料、微彈簧及/或各向異性導電膜。再者,每一半導體晶粒包括一靜態彎曲以致每一半導體晶粒之末端區段係平行於該方向且被機械地耦合至該斜坡組件。這些末端區段可促成介於晶片與斜坡組件間之信號的高頻寬通訊(例如,經由近處通訊)。

简体摘要： 描述一种斜坡堆栈芯片封装。此芯片封装包括半导体晶粒或芯片之垂直堆栈,其系于水平方向被彼此偏移,借此界定一具有暴露垫之阶地。一高带宽的斜坡组件(其被设置几乎平行于阶地)被电气地且机械式耦合至暴露垫。例如,斜坡组件可使用以下而被耦合至半导体晶粒:焊料、微弹簧及/或各向异性导电膜。再者,每一半导体晶粒包括一静态弯曲以致每一半导体晶粒之末端区段系平行于该方向且被机械地耦合至该斜坡组件。这些末端区段可促成介于芯片与斜坡组件间之信号的高带宽通信(例如,经由近处通信)。

公开(公告)号：TW200931602A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：TW097135877

申请日：2008-09-18

申请人： 陽光微電腦系統有限公司 SUN MICROSYSTEMS, INC.

发明人： 克里奇納摩西 亞夏克 KRISHNAMOORTHY, ASHOK V. ,  康寧罕 約翰 CUNNINGHAM, JOHN E. ,  米歇爾 詹姆斯 MITCHELL, JAMES G.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/48 ,  H01L23/544 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明描述包含鄰近於該半導體晶粒的一第一表面之鄰近連接器的一種半導體晶粒之實施例。該半導體晶粒組態成藉由一個或多個該等鄰近連接器經由鄰近通訊與其他半導體晶粒通訊訊號。此外,該半導體晶粒包含耦合至該半導體晶粒之一第二表面的一正特徵,其有利於該半導體晶粒與該其他半導體晶粒之機械對準。需注意圍繞該正特徵之一第一區域界定一第一平面,且該正特徵凸起於該第一平面上方。

简体摘要： 本发明描述包含邻近于该半导体晶粒的一第一表面之邻近连接器的一种半导体晶粒之实施例。该半导体晶粒组态成借由一个或多个该等邻近连接器经由邻近通信与其他半导体晶粒通信信号。此外,该半导体晶粒包含耦合至该半导体晶粒之一第二表面的一正特征,其有利于该半导体晶粒与该其他半导体晶粒之机械对准。需注意围绕该正特征之一第一区域界定一第一平面,且该正特征凸起于该第一平面上方。