公开(公告)号：TWI590344B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104133398

申请日：2015-10-12

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 張 彼得 ,  CHANG, PETER ,  梅貝瑞 麥克 ,  MAYBERRY, MICHAEL

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：TWI587475B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105102317

申请日：2016-01-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 林明賢 ,  LIN, MING HSIEN ,  歐 東尼 ,  OATES, ANTHONY

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/58 ,  H01L27/0203

公开(公告)号：TW201618268A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104116296

申请日：2015-05-21

申请人： ARM股份有限公司 ,  ARM LIMITED

发明人： 佛瑞德瑞克二世馬林韋恩 ,  FREDERICK JR., MARLIN WAYNE ,  德立克凱倫李 ,  DELK, KAREN LEE

IPC分类号： H01L23/58 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L23/58 ,  G06F17/5077 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本案提供一種積體電路2，該積體電路由被電力網導體20覆蓋之標準單元電力導體14形成。電力網導體在橫向於電力網導體縱軸之方向上相對於該等導體之下層標準單元電力導體而偏移。此舉具有可能增大距離電力網導體之一側之導線間隔的效應。因此，可提供寬於最小寬度之電力網導體，該導體僅阻斷其相鄰軌道位置之一者被佈線導體22使用。

简体摘要： 本案提供一种集成电路2，该集成电路由被电力网导体20覆盖之标准单元电力导体14形成。电力网导体在横向于电力网导体纵轴之方向上相对于该等导体之下层标准单元电力导体而偏移。此举具有可能增大距离电力网导体之一侧之导线间隔的效应。因此，可提供宽于最小宽度之电力网导体，该导体仅阻断其相邻轨道位置之一者被布线导体22使用。

公开(公告)号：TWI512847B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW099124753

申请日：2010-07-27

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 塞頓 麥可J ,  SEDDON, MICHAEL J. ,  卡尼 法蘭西斯J ,  CARNEY, FRANCIS J.

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/58 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/11914 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13584 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TWI470766B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：TW098107682

申请日：2009-03-10

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

发明人： 彭勝揚 ,  PENG, SHENG YANG

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L21/70 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201417192A

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW102130420

申请日：2013-08-26

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED ,  國立大學法人東京大學 ,  THE UNIVERSITY OF TOKYO

发明人： 竹中充 ,  TAKENAKA, MITSURU ,  高木信一 ,  TAKAGI, SHINICHI ,  韓在勳 ,  HAN, JAEHOON ,  高田朋幸 ,  TAKADA, TOMOYUKI ,  長田剛規 ,  OSADA, TAKENORI ,  秦雅彥 ,  HATA, MASAHIKO

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02123 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3105 ,  H01L23/58 ,  H01L29/401 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供具有不會使界面陷阱密度增大的小EOT之MOS結構的製造技術。詳言之，係提供一種半導體晶圓的製造方法，該半導體晶圓包含有：半導體結晶層；由構成該半導體結晶層之半導體結晶的氧化物、氮化物、或氮氧化物所構成之中間層；以及由氧化物所構成之第一絕緣層，且該半導體結晶層、該中間層、及該第一絕緣層係按以上所述的順序依序配置，該方法包含：(a)在初始半導體結晶層上形成該第一絕緣層；以及(b)使該第一絕緣層的表面曝露在氮氣電漿中以使該初始半導體結晶層的一部份氮化、氧化、或氮氧化，藉以形成該中間層、以及形成由該初始半導體結晶層的其餘部份所構成之該半導體結晶層。

简体摘要： 本发明提供具有不会使界面猫腻密度增大的小EOT之MOS结构的制造技术。详言之，系提供一种半导体晶圆的制造方法，该半导体晶圆包含有：半导体结晶层；由构成该半导体结晶层之半导体结晶的氧化物、氮化物、或氮氧化物所构成之中间层；以及由氧化物所构成之第一绝缘层，且该半导体结晶层、该中间层、及该第一绝缘层系按以上所述的顺序依序配置，该方法包含：(a)在初始半导体结晶层上形成该第一绝缘层；以及(b)使该第一绝缘层的表面曝露在氮气等离子中以使该初始半导体结晶层的一部份氮化、氧化、或氮氧化，借以形成该中间层、以及形成由该初始半导体结晶层的其余部份所构成之该半导体结晶层。

公开(公告)号：TWI431751B

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：TW101105734

申请日：2012-02-22

申请人： 國立清華大學 ,  NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

发明人： 蔡念豫 ,  TSAI, NIEN YU ,  俞浩 ,  YU, HAO ,  錢睿宏 ,  CHIEN, JUI HUNG ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEN

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/04 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201341165A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW102103007

申请日：2013-01-25

申请人： 壯生和壯生視覺關懷公司 ,  JOHNSON & JOHNSON VISION CARE, INC.

发明人： 普格 蘭德爾 ,  PUGH, RANDALL B. ,  費利奇 弗德雷克 ,  FLITSCH, FREDERICK A. ,  奧提斯 丹尼爾 ,  OTTS, DANIEL B. ,  萊爾 詹姆士 ,  RIALL, JAMES DANIEL ,  東尼爾 亞當 ,  TONER, ADAM

IPC分类号： B29D11/00 ,  G02C7/02 ,  G02C7/04 ,  G02C7/08

CPC分类号： G02C7/04 ,  G02C7/083 ,  H01L23/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 敘述一種形成一堆疊集成構件層植入物的方法以及一種堆疊集成構件層植入物。該元件層植入物包含具有功能性的基板層。該等基板層係組裝以與製造一堆疊特徵的基板層之間形成電氣互連。該堆疊特徵係於模製眼用鏡片本體中以黏合材料封裝。

简体摘要： 叙述一种形成一堆栈集成构件层植入物的方法以及一种堆栈集成构件层植入物。该组件层植入物包含具有功能性的基板层。该等基板层系组装以与制造一堆栈特征的基板层之间形成电气互连。该堆栈特征系于模制眼用镜片本体中以黏合材料封装。

公开(公告)号：TW201306232A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101114907

申请日：2012-04-26

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 友田雅史 ,  TOMODA, MASAFUMI ,  佃昌幸 ,  TSUKUDA, MASAYUKI

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/58 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 一電位供應連接互連係設置於一多層互連層中。電位供應連接在一平面視圖中係重疊在外圍胞行中之I/O胞的某些胞以及在內圍胞行中之I/O胞的某些胞。電位供應連接互連將位於外圍胞行之下之一電力電位供應互連連接至位於內圍胞行之下之一電力電位供應互連，且亦將位於外圍胞行之下之一接地電位供應互連連接至位於內圍胞行之下之一接地電位供應互連。

简体摘要： 一电位供应连接互连系设置于一多层互连层中。电位供应连接在一平面视图中系重叠在外围胞行中之I/O胞的某些胞以及在内围胞行中之I/O胞的某些胞。电位供应连接互连将位于外围胞行之下之一电力电位供应互连连接至位于内围胞行之下之一电力电位供应互连，且亦将位于外围胞行之下之一接地电位供应互连连接至位于内围胞行之下之一接地电位供应互连。

公开(公告)号：TWI383482B

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：TW098125407

申请日：2009-07-28

申请人： 北極光股份有限公司 ,  NORTHERN LIGHTS SEMICONDUCTOR CORP.

发明人： 賴錡 ,  LAI, JAMES CHYI ,  馮凱隽 ,  FONG, KAICHUN

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01G2/06 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207