公开(公告)号：TWI578448B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104107092

申请日：2015-03-05

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 關根克行 ,  SEKINE, KATSUYUKI ,  加藤龍也 ,  KATO, TATSUYA ,  荒井史隆 ,  ARAI, FUMITAKA ,  岩本敏幸 ,  IWAMOTO, TOSHIYUKI ,  渡邊優太 ,  WATANABE, YUTA ,  坂本涉 ,  SAKAMOTO, WATARU ,  糸川寬志 ,  ITOKAWA, HIROSHI ,  金子明生 ,  KANEKO, AKIO

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11519 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513 ,  H01L29/515 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7889

公开(公告)号：TW201727823A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105139305

申请日：2016-11-29

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4991 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/515 ,  H01L2221/1042

摘要： 一種半導體結構包含基板、至少一第一閘極結構、至少一源極汲極結構、至少一下導體以及第一介電層。第一閘極結構設置於基板上。源極汲極結構設置於基板上。下導體電性連接源極汲極結構，其中下導體具有上部與下部，下部位於上部與源極汲極結構之間，且孔隙至少位於下導體的上部與第一閘極結構之間。第一介電層至少設置於下導體的下部與第一閘極結構之間。

简体摘要： 一种半导体结构包含基板、至少一第一闸极结构、至少一源极汲极结构、至少一下导体以及第一介电层。第一闸极结构设置于基板上。源极汲极结构设置于基板上。下导体电性连接源极汲极结构，其中下导体具有上部与下部，下部位于上部与源极汲极结构之间，且孔隙至少位于下导体的上部与第一闸极结构之间。第一介电层至少设置于下导体的下部与第一闸极结构之间。

公开(公告)号：TWI581340B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105133306

申请日：2016-10-14

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/401 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI567979B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW105119553

申请日：2016-06-22

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 李柏賢 ,  LI, PO HSIEN ,  楊國良 ,  YANG, GUO LIANG ,  林偉捷 ,  LIN, WEI CHIEH ,  林家福 ,  LIN, JIA FU

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/513 ,  H01L29/515 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8725

公开(公告)号：TW200642089A

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：TW095114476

申请日：2006-04-21

申请人： 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

发明人： 呂函庭 LUE, HANG TING ,  賴二琨 LAI, ERH KUN ,  謝光宇 HSIEH, KUANG YEU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/515

摘要： 一種空氣隧道浮動閘極記憶體細胞，包含一空氣隧道定義於一基材上，一第一多晶矽層(浮動閘極)定義在空氣隧道上，一氧化層沉積在第一多晶矽層上，使得氧化層覆蓋第一多晶矽層，且定義空氣隧道的側壁，一第二多晶矽層，作為一字元線，定義在氧化層上。本發明也揭露一種製造一空氣隧道浮動閘極記憶體細胞的方法，形成一犧牲層於一基材上，形成一第一多晶矽層於犧牲層上，一氧化層沉積在第一多晶矽層上，使得氧化層覆蓋第一多晶矽層，且定義犧牲層的側壁，使用熱磷酸(H3PO4)浸泡以蝕刻犧牲層，形成一空氣隧道。

简体摘要： 一种空气隧道浮动闸极内存细胞，包含一空气隧道定义于一基材上，一第一多晶硅层(浮动闸极)定义在空气隧道上，一氧化层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化层覆盖第一多晶硅层，且定义空气隧道的侧壁，一第二多晶硅层，作为一字符线，定义在氧化层上。本发明也揭露一种制造一空气隧道浮动闸极内存细胞的方法，形成一牺牲层于一基材上，形成一第一多晶硅层于牺牲层上，一氧化层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化层覆盖第一多晶硅层，且定义牺牲层的侧壁，使用热磷酸(H3PO4)浸泡以蚀刻牺牲层，形成一空气隧道。

公开(公告)号：TW451334B

公开(公告)日：2001-08-21

申请号：TW089112696

申请日：2000-09-11

申请人： 法國電訊公司

发明人： 湯姆士 史考尼凱 ,  馬可薩塔 裘莎克

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

摘要： 一種製造SON構造的半導體裝置的方法。在一矽基質(12)上形成一個層疊物，該層疊物，該層疊物包含一第一及第二連續組體，各組體由一矽鍺(SiGe)合金的下層(14)(16)及一矽的上層(15)(17)組成(此上、下係相對於該基質之上下而言)。利用傳統方式藉著離子植入形成一層柵極的介電層(18)，一柵極(l9)，以及間隔器(20)(21)，以及源極與排極的區域(22)(23)，並形成一外鈍化層(24)。然後，將 SiGe層(14)(16)一部分刻蝕並形成隧道(26)(27)，而在柵極層中做出一垂直孔(35)，一直進入SiGe的下層(14)為止。然後，將孔(25)及隧道(26)(27)的壁作內部鈍化，使該隧道可保持空著或填滿。

简体摘要： 一种制造SON构造的半导体设备的方法。在一硅基质(12)上形成一个层叠物，该层叠物，该层叠物包含一第一及第二连续组体，各组体由一硅锗(SiGe)合金的下层(14)(16)及一硅的上层(15)(17)组成(此上、下系相对于该基质之上下而言)。利用传统方式借着离子植入形成一层栅极的介电层(18)，一栅极(l9)，以及间隔器(20)(21)，以及源极与排极的区域(22)(23)，并形成一外钝化层(24)。然后，将 SiGe层(14)(16)一部分刻蚀并形成隧道(26)(27)，而在栅极层中做出一垂直孔(35)，一直进入SiGe的下层(14)为止。然后，将孔(25)及隧道(26)(27)的壁作内部钝化，使该隧道可保持空着或填满。

公开(公告)号：TW201733119A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105126054

申请日：2016-08-16

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 馮 家馨 ,  FUNG, KA-HING

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/515 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： 半導體裝置包含隔離層、第一鰭結構及第二鰭結構、閘極結構和源極/汲極結構，隔離層設置於基底之上，第一鰭結構及第二鰭結構設置於基底之上且於上視圖中沿第一方向延伸，第一鰭結構及第二鰭結構之上部分從隔離層露出，閘極結構設置於部分的第一鰭結構及第二鰭結構之上，且沿與第一方向交叉的第二方向延伸，源極/汲極結構形成於未被第一閘極結構覆蓋且從隔離層露出的第一鰭結構及第二鰭結構之上部分上，且包裹每一個露出的第一鰭結構及第二鰭結構之側表面及頂表面，孔洞形成於源極/汲極結構與隔離層之間。

简体摘要： 半导体设备包含隔离层、第一鳍结构及第二鳍结构、闸极结构和源极/汲极结构，隔离层设置于基底之上，第一鳍结构及第二鳍结构设置于基底之上且于上视图中沿第一方向延伸，第一鳍结构及第二鳍结构之上部分从隔离层露出，闸极结构设置于部分的第一鳍结构及第二鳍结构之上，且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，源极/汲极结构形成于未被第一闸极结构覆盖且从隔离层露出的第一鳍结构及第二鳍结构之上部分上，且包裹每一个露出的第一鳍结构及第二鳍结构之侧表面及顶表面，孔洞形成于源极/汲极结构与隔离层之间。

公开(公告)号：TW201631710A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104107092

申请日：2015-03-05

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 關根克行 ,  SEKINE, KATSUYUKI ,  加藤龍也 ,  KATO, TATSUYA ,  荒井史隆 ,  ARAI, FUMITAKA ,  岩本敏幸 ,  IWAMOTO, TOSHIYUKI ,  渡邊優太 ,  WATANABE, YUTA ,  坂本涉 ,  SAKAMOTO, WATARU ,  糸川寬志 ,  ITOKAWA, HIROSHI ,  金子明生 ,  KANEKO, AKIO

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11519 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513 ,  H01L29/515 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7889

摘要： 本發明之實施形態提供一種可靠性較高之半導體記憶裝置及其製造方法。 實施形態之半導體記憶裝置具備：半導體柱，其沿第1方向延伸；第1電極，其沿相對於上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2電極，其設置於上述半導體柱與上述第1電極之間；第1絕緣膜，其設置於上述半導體柱與上述第2電極之間；第2絕緣膜，其設置於上述第1電極與上述第2電極之間及上述第1電極之上述第1方向兩側；及導電膜，其設置於上述第2電極與上述第2絕緣膜之間，且未與上述第1絕緣膜相接。

简体摘要： 本发明之实施形态提供一种可靠性较高之半导体记忆设备及其制造方法。 实施形态之半导体记忆设备具备：半导体柱，其沿第1方向延伸；第1电极，其沿相对于上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2电极，其设置于上述半导体柱与上述第1电极之间；第1绝缘膜，其设置于上述半导体柱与上述第2电极之间；第2绝缘膜，其设置于上述第1电极与上述第2电极之间及上述第1电极之上述第1方向两侧；及导电膜，其设置于上述第2电极与上述第2绝缘膜之间，且未与上述第1绝缘膜相接。

公开(公告)号：TW201535488A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW104107861

申请日：2015-03-12

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 蕭茹雄 ,  HSIAO, RU SHANG ,  郭柔含 ,  KUO, ROU HAN ,  林庭輔 ,  LIN, TING FU ,  余晟輔 ,  YU, SHENG FU ,  劉宗達 ,  LIU, TZUNG DA ,  陳力毅 ,  CHEN, LI YI

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/515 ,  H01L21/311 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 本發明關於鰭狀場效電晶體裝置與其形成方法，且鰭狀場效電晶體裝置之側壁包含氣隙以具有低介電常數。在某些實施例中，方法包括：形成半導體材料鰭狀物於半導體基板上。閘極結構形成於半導體材料鰭狀物上，且閘極結構具有閘極介電層與其上的閘極材料層。側壁間隔物係形成以鄰接閘極結構的相反兩側。側壁間隔物各自包括與閘極結構鄰接之絕緣材料的第一層，以及絕緣材料的第二層，且絕緣材料的第一層與絕緣材料的第二層之間隔有氣隙。藉由形成具有氣隙之側壁間隔物的鰭狀場效電晶體裝置，可將低鰭狀場效電晶體裝置之寄生電容與對應的RC延遲。

简体摘要： 本发明关于鳍状场效应管设备与其形成方法，且鳍状场效应管设备之侧壁包含气隙以具有低介电常数。在某些实施例中，方法包括：形成半导体材料鳍状物于半导体基板上。闸极结构形成于半导体材料鳍状物上，且闸极结构具有闸极介电层与其上的闸极材料层。侧壁间隔物系形成以邻接闸极结构的相反两侧。侧壁间隔物各自包括与闸极结构邻接之绝缘材料的第一层，以及绝缘材料的第二层，且绝缘材料的第一层与绝缘材料的第二层之间隔有气隙。借由形成具有气隙之侧壁间隔物的鳍状场效应管设备，可将低鳍状场效应管设备之寄生电容与对应的RC延迟。

公开(公告)号：TWI304268B

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：TW095114476

申请日：2006-04-21

申请人： 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

发明人： 呂函庭 LUE, HANG-TING ,  賴二琨 LAI, ERH-KUN ,  謝光宇 HSIEH, KUANG-YEU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/515

摘要： 一種空氣隧道浮動閘極記憶體細胞,包含一空氣隧道定義於一基材上,一第一多晶矽層(浮動閘極)定義在空氣隧道上,一氧化層沉積在第一多晶矽層上,使得氧化層覆蓋第一多晶矽層,且定義空氣隧道的側壁,一第二多晶矽層,作為一字元線,定義在氧化層上。本發明也揭露一種製造一空氣隧道浮動閘極記憶體細胞的方法,形成一犧牲層於一基材上,形成一第一多晶矽層於犧牲層上,一氧化層沉積在第一多晶矽層上,使得氧化層覆蓋第一多晶矽層,且定義犧牲層的側壁,使用熱磷酸(H3PO4)浸泡以蝕刻犧牲層,形成一空氣隧道。

简体摘要： 一种空气隧道浮动闸极内存细胞,包含一空气隧道定义于一基材上,一第一多晶硅层(浮动闸极)定义在空气隧道上,一氧化层沉积在第一多晶硅层上,使得氧化层覆盖第一多晶硅层,且定义空气隧道的侧壁,一第二多晶硅层,作为一字符线,定义在氧化层上。本发明也揭露一种制造一空气隧道浮动闸极内存细胞的方法,形成一牺牲层于一基材上,形成一第一多晶硅层于牺牲层上,一氧化层沉积在第一多晶硅层上,使得氧化层覆盖第一多晶硅层,且定义牺牲层的侧壁,使用热磷酸(H3PO4)浸泡以蚀刻牺牲层,形成一空气隧道。