公开(公告)号：US09048430B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13330657

申请日：2011-12-19

申请人： Seon-Il Kim ,  Shin-Il Choi ,  Ji-Young Park ,  Sang-Gab Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Dong-Ki Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Young-Chul Park ,  In-Ho Yu ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Min-Ki Lim ,  Sang-Hoon Jang ,  Young-Jun Jin

发明人： Seon-Il Kim ,  Shin-Il Choi ,  Ji-Young Park ,  Sang-Gab Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Dong-Ki Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Young-Chul Park ,  In-Ho Yu ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Min-Ki Lim ,  Sang-Hoon Jang ,  Young-Jun Jin

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0023 ,  H01L2251/308

摘要： Exemplary embodiments of the present invention disclose a non-halogenated etchant for etching an indium oxide layer and a method of manufacturing a display substrate using the non-halogenated etchant, the non-halogenated etchant including nitric acid, sulfuric acid, a corrosion inhibitor including ammonium, a cyclic amine-based compound, and water.

摘要翻译： 本发明的示例性实施方案公开了用于蚀刻氧化铟层的非卤化蚀刻剂和使用非卤化蚀刻剂制造显示衬底的方法，非卤化蚀刻剂包括硝酸，硫酸，包括铵的腐蚀抑制剂 ，环胺类化合物和水。

公开(公告)号：US20120208310A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13330657

申请日：2011-12-19

申请人： Seon-Il KIM ,  Shin-Il Choi ,  Ji-Young Park ,  Sang-Gab Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Dong-Ki Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Young-Chul Park ,  In-Ho Yu ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Min-Ki Lim ,  Sang-Hoon Jang ,  Young-Jun JIN

发明人： Seon-Il KIM ,  Shin-Il Choi ,  Ji-Young Park ,  Sang-Gab Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Dong-Ki Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Young-Chul Park ,  In-Ho Yu ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Min-Ki Lim ,  Sang-Hoon Jang ,  Young-Jun JIN

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L51/0023 ,  H01L2251/308

摘要： Exemplary embodiments of the present invention disclose a non-halogenated etchant for etching an indium oxide layer and a method of manufacturing a display substrate using the non-halogenated etchant, the non-halogenated etchant including nitric acid, sulfuric acid, a corrosion inhibitor including ammonium, a cyclic amine-based compound, and water.

摘要翻译： 本发明的示例性实施方案公开了用于蚀刻氧化铟层的非卤化蚀刻剂和使用非卤化蚀刻剂制造显示衬底的方法，非卤化蚀刻剂包括硝酸，硫酸，包括铵的腐蚀抑制剂 ，环胺类化合物和水。

公开(公告)号：US08409999B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12947296

申请日：2010-11-16

申请人： Byeong-Jin Lee ,  Hong-Sick Park ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Suck-Jun Lee ,  Seung-Jae Yang ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Hye-Ra Shin ,  Yu-Jin Lee

发明人： Byeong-Jin Lee ,  Hong-Sick Park ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Suck-Jun Lee ,  Seung-Jae Yang ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Hye-Ra Shin ,  Yu-Jin Lee

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  H01L27/124 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： An etchant composition for etching a transparent electrode is provided, the etchant composition includes an inorganic acid, an ammonium (NH4+)-containing compound, a cyclic amine compound, and the remaining amount of water.

摘要翻译： 提供了用于蚀刻透明电极的蚀刻剂组合物，蚀刻剂组合物包括无机酸，含铵（NH 4 +）的化合物，环胺化合物和剩余量的水。

公开(公告)号：US20110183476A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12947296

申请日：2010-11-16

申请人： Byeong-Jin LEE ,  Hong-Sick Park ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Suck-Jun Lee ,  Seung-Jae Yang ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Hye-Ra Shin ,  Yu-Jin Lee

发明人： Byeong-Jin LEE ,  Hong-Sick Park ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Suck-Jun Lee ,  Seung-Jae Yang ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Hye-Ra Shin ,  Yu-Jin Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/06 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  H01L27/124 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： An etchant composition for etching a transparent electrode is provided, the etchant composition includes an inorganic acid, an ammonium (NH4+)-containing compound, a cyclic amine compound, and the remaining amount of water.

摘要翻译： 提供了用于蚀刻透明电极的蚀刻剂组合物，蚀刻剂组合物包括无机酸，含铵（NH 4 +）的化合物，环胺化合物和剩余量的水。

公开(公告)号：US08785935B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13168408

申请日：2011-06-24

申请人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Dong-Ki Kim

发明人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Dong-Ki Kim

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： An etchant includes: 5 to 20 wt % of persulfate, 1 to 10 wt % of at least one compound of an inorganic acid, an inorganic acid salt, or a mixture thereof, 0.3 to 5 wt % of a cyclic amine compound, 1 to 10 wt % of at least one compound of an organic acid, an organic acid salt, or a mixture thereof, 0.1 to 5 wt % of p-toluenesulfonic acid, and water, based on the total weight of the etchant. A copper-titanium etchant further includes 0.01 to 2 wt % of a fluoride-containing compound. A method of forming a display device using the etchant, and a display device, are also disclosed.

摘要翻译： 蚀刻剂包括：5〜20重量％的过硫酸盐，1〜10重量％的至少一种无机酸化合物，无机酸盐或其混合物，0.3〜5重量％的环状胺化合物，1〜 10重量％的至少一种有机酸化合物，有机酸盐或其混合物，0.1至5重量％的对甲苯磺酸和水，基于蚀刻剂的总重量。 另外，铜 - 钛蚀刻剂还含有0.01〜2重量％的含氟化合物。 还公开了使用蚀刻剂形成显示装置的方法和显示装置。

公开(公告)号：US20130115727A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13534502

申请日：2012-06-27

申请人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

发明人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/26 ,  C23F1/18

CPC分类号： C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： An etching composition and a method of manufacturing a display substrate using the etching composition are disclosed. The etching composition includes phosphoric acid (H3PO4) of about 40% by weight to about 70% by weight, nitric acid (HNO3) of about 5% by weight to about 15% by weight, acetic acid (CH3COOH) of about 5% by weight to about 20% by weight, and a remainder of water. Thus, a metal layer including copper may be stably etched.

摘要翻译： 公开了一种蚀刻组合物和使用该蚀刻组合物制造显示衬底的方法。 蚀刻组合物包括约40重量％至约70重量％的磷酸（H 3 PO 4），约5重量％至约15重量％的硝酸（HNO 3），约5重量％至约15重量％的乙酸（CH 3 COOH） 重量至约20％重量，余量为水。 因此，可以稳定地蚀刻包括铜的金属层。

公开(公告)号：US20120322187A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13366696

申请日：2012-02-06

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Seon-il KIM ,  Ji-Young PARK ,  Jeanho SONG ,  Sanggab KIM ,  Shin Il CHOI ,  Youngchul PARK ,  Youngjun JIN ,  Suckjun LEE ,  O byoung KWON ,  Inho YU ,  Sanghoon JANG ,  Minki LIM

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Seon-il KIM ,  Ji-Young PARK ,  Jeanho SONG ,  Sanggab KIM ,  Shin Il CHOI ,  Youngchul PARK ,  Youngjun JIN ,  Suckjun LEE ,  O byoung KWON ,  Inho YU ,  Sanghoon JANG ,  Minki LIM

IPC分类号： H01L33/08 ,  H05K13/00 ,  C09K13/08

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908

摘要： An etchant includes: a persulfate; a fluoride; an inorganic acid; a cyclic amine; a sulfonic acid; and one of an organic acid and a salt thereof.

摘要翻译： 蚀刻剂包括：过硫酸盐; 氟化物 无机酸; 环胺; 磺酸; 和有机酸及其盐之一。

公开(公告)号：US20120252148A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13223958

申请日：2011-09-01

申请人： Ji-Young PARK ,  Shin-Il CHOI ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sang Gab KIM ,  Seon-Il KIM ,  Sang-Tae KIM ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Kyong-Min KANG ,  Suck-Jun LEE ,  O-Byoung KWON ,  In-Ho YU ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM ,  Yu-Jin LEE

发明人： Ji-Young PARK ,  Shin-Il CHOI ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sang Gab KIM ,  Seon-Il KIM ,  Sang-Tae KIM ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Kyong-Min KANG ,  Suck-Jun LEE ,  O-Byoung KWON ,  In-Ho YU ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM ,  Yu-Jin LEE

IPC分类号： H01L33/36 ,  C09K13/08

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： An etchant according to exemplary embodiments of the present invention includes about 0.5 wt % to about 20 wt % of persulfate, about 0.01 wt % to about 2 wt % of a fluorine compound, about 1 wt % to about 10 wt % of inorganic acid, about 0.5 wt % to about 5 wt % of a cyclic amine compound, about 0.1 wt % to about 5 wt % of a chlorine compound, about 0.05 wt % to about 3 wt % of copper salt, about 0.1 wt % to about 10 wt % of organic acid or organic acid salt, and water.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方案的蚀刻剂包括约0.5重量％至约20重量％的过硫酸盐，约0.01重量％至约2重量％的氟化合物，约1重量％至约10重量％的无机酸， 约0.5重量％至约5重量％的环胺化合物，约0.1重量％至约5重量％的氯化合物，约0.05重量％至约3重量％的铜盐，约0.1重量％至约10重量％ ％的有机酸或有机酸盐，和水。

公开(公告)号：US09062244B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13534502

申请日：2012-06-27

申请人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

发明人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C09K13/04 ,  C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  C09K13/08 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/12

CPC分类号： C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： An etching composition and a method of manufacturing a display substrate using the etching composition are disclosed. The etching composition includes phosphoric acid (H3PO4) of about 40% by weight to about 70% by weight, nitric acid (HNO3) of about 5% by weight to about 15% by weight, acetic acid (CH3COOH) of about 5% by weight to about 20% by weight, and a remainder of water. Thus, a metal layer including copper may be stably etched.

摘要翻译： 公开了一种蚀刻组合物和使用该蚀刻组合物制造显示衬底的方法。 蚀刻组合物包括约40重量％至约70重量％的磷酸（H 3 PO 4），约5重量％至约15重量％的硝酸（HNO 3），约5重量％至约15重量％的乙酸（CH 3 COOH） 重量至约20％重量，余量为水。 因此，可以稳定地蚀刻包括铜的金属层。

公开(公告)号：US08383437B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13223958

申请日：2011-09-01

申请人： Ji-Young Park ,  Shin-Il Choi ,  Jong-Hyun Choung ,  Sang Gab Kim ,  Seon-Il Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Yu-Jin Lee

发明人： Ji-Young Park ,  Shin-Il Choi ,  Jong-Hyun Choung ,  Sang Gab Kim ,  Seon-Il Kim ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Yu-Jin Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： An etchant according to exemplary embodiments of the present invention includes about 0.5 wt % to about 20 wt % of persulfate, about 0.01 wt % to about 2 wt % of a fluorine compound, about 1 wt % to about 10 wt % of inorganic acid, about 0.5 wt % to about 5 wt % of a cyclic amine compound, about 0.1 wt % to about 5 wt % of a chlorine compound, about 0.05 wt % to about 3 wt % of copper salt, about 0.1 wt % to about 10 wt % of organic acid or organic acid salt, and water.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方案的蚀刻剂包括约0.5重量％至约20重量％的过硫酸盐，约0.01重量％至约2重量％的氟化合物，约1重量％至约10重量％的无机酸， 约0.5重量％至约5重量％的环胺化合物，约0.1重量％至约5重量％的氯化合物，约0.05重量％至约3重量％的铜盐，约0.1重量％至约10重量％ ％的有机酸或有机酸盐，和水。