公开(公告)号：US20110024047A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12849012

申请日：2010-08-02

申请人： Andrew NGUYEN ,  Wing Lau CHENG ,  Hiroji HANAWA ,  Semyon L. KATS ,  Kartik RAMASWAMY ,  Yan YE ,  Kwok Manus WONG ,  Daniel J. HOFFMAN ,  Tetsuya ISHIKAWA ,  Brian C. LUE

发明人： Andrew NGUYEN ,  Wing Lau CHENG ,  Hiroji HANAWA ,  Semyon L. KATS ,  Kartik RAMASWAMY ,  Yan YE ,  Kwok Manus WONG ,  Daniel J. HOFFMAN ,  Tetsuya ISHIKAWA ,  Brian C. LUE

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23C16/00 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/31678

摘要： A support for a substrate processing chamber comprises a chuck having a substrate receiving surface, and a base comprising an upper wall comprising a recessed trench having (i) an attachment face at a first depth, and (ii) a fluid channel at a second depth. A lower wall is seated in the recessed trench and attached to the attachment face of the upper wall, to close the fluid channel. A fluid inlet is provided to supply a heat transfer fluid to the fluid channel and a fluid outlet provided to discharge the heat transfer fluid from the fluid channel.

摘要翻译： 用于衬底处理室的支撑件包括具有衬底接收表面的卡盘，以及包括上壁的基座，该上壁包括凹槽，所述凹槽具有（i）第一深度处的附接面，以及（ii）第二深度处的流体通道 。 下壁位于凹槽中并附着到上壁的附接面，以封闭流体通道。 提供流体入口以将传热流体供应到流体通道和设置用于从流体通道排出传热流体的流体出口。

公开(公告)号：US20100270262A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12765855

申请日：2010-04-22

申请人： Hiroji HANAWA ,  Kartik Ramaswamy

发明人： Hiroji HANAWA ,  Kartik Ramaswamy

IPC分类号： C23F1/02 ,  H01B13/00

CPC分类号： G03F7/427 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

摘要： A method of etching a low-k dielectric on, or removing resist from, a substrate. In the method, the substrate is placed in a process zone. An ionized gas is generated in a gas ionization zone above the process zone, by introducing a process gas into a gas ionization zone, maintaining the process gas at a pressure of less than about 0.1 mTorr, and coupling RF energy to the process gas to form an ionized gas. The ionized gas is passed through an ion filter to form a filtered ionized gas. The substrate is exposed to the filtered ionized gas to etch the low-k dielectric layer on the substrate or to remove or clean remnant resist on the substrate.

摘要翻译： 蚀刻基底上的低k电介质或去除抗蚀剂的方法。 在该方法中，将基板放置在处理区中。 在工艺区域上方的气体离子化区域中产生电离气体，通过将工艺气体引入气体离子化区域，将工艺气体保持在小于约0.1mTorr的压力，并将RF能量耦合到工艺气体以形成 电离气体。 电离气体通过离子过滤器以形成过滤的电离气体。 将衬底暴露于经过滤的电离气体以蚀刻衬底上的低k电介质层或去除或清洁衬底上的残余抗蚀剂。

公开(公告)号：US20130032085A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13456693

申请日：2012-04-26

申请人： Hiroji HANAWA ,  Yuriy Melnik ,  Donald J.K. Olgado ,  Karl M. Brown ,  Son T. Nguyen ,  Kevin S. Griffin

发明人： Hiroji HANAWA ,  Yuriy Melnik ,  Donald J.K. Olgado ,  Karl M. Brown ,  Son T. Nguyen ,  Kevin S. Griffin

IPC分类号： C30B25/14 ,  C30B25/02

CPC分类号： C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/452 ,  C30B25/105 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403

摘要： Embodiments of the invention disclosed herein generally relate to a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) deposition chamber that utilizes a plasma generation apparatus to form an activated precursor gas that is used to rapidly form a high quality compound nitride layer on a surface of a substrate. In one embodiment, the plasma generation apparatus is used to create a desirable group-III metal halide precursor gas that can enhance the deposition reaction kinetics, and thus reduce the processing time and improve the film quality of a formed group-III metal nitride layer. In addition, the chamber may be equipped with a separate nitrogen containing precursor activated species generator to enhance the activity of the delivered nitrogen precursor gases.

摘要翻译： 本文公开的本发明的实施例通常涉及氢化物气相外延（HVPE）沉积室，其利用等离子体产生装置形成活化的前体气体，其用于在衬底的表面上快速形成高质量的复合氮化物层。 在一个实施例中，等离子体产生装置用于产生可以增强沉积反应动力学，从而减少处理时间并改善形成的III族金属氮化物层的膜质量的期望的III族金属卤化物前体气体。 此外，腔室可以配备有单独的含氮前体活化物质发生器，以增强所输送的氮前体气体的活性。