公开(公告)号：US06490146B2

公开(公告)日：2002-12-03

申请号：US09929806

申请日：2001-08-13

申请人： You Wang ,  Shamouil Shamouilian ,  Arnold Kholodenko ,  Alexander M. Veytser ,  Surinder S. Bedi ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Wing L. Cheng ,  Ananda H. Kumar

发明人： You Wang ,  Shamouil Shamouilian ,  Arnold Kholodenko ,  Alexander M. Veytser ,  Surinder S. Bedi ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Wing L. Cheng ,  Ananda H. Kumar

IPC分类号： H01G2300

CPC分类号： C04B37/026 ,  C04B37/006 ,  C04B37/021 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/61 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/64 ,  C04B2237/74 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

摘要： An electrostatic chuck for holding a substrate has an electrostatic member having a dielectric covering an electrode that is chargeable to electrostatically hold the substrate. The bond layer has a metal layer that is infiltrated or brazed between the electrostatic member and the base. The base may be a composite of a ceramic and metal, the composite having a coefficient of thermal expansion within about ±30% of a coefficient of thermal expansion of the electrostatic member. The base may also have a heater.

公开(公告)号：US06462928B1

公开(公告)日：2002-10-08

申请号：US09306944

申请日：1999-05-07

申请人： Shamouil Shamouilian ,  You Wang ,  Surinder S. Bedi ,  Arnold Kholodenko ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Wing L. Cheng ,  Ananda H. Kumar

发明人： Shamouil Shamouilian ,  You Wang ,  Surinder S. Bedi ,  Arnold Kholodenko ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Wing L. Cheng ,  Ananda H. Kumar

IPC分类号： H02N1300

CPC分类号： H02N13/00 ,  H01L21/6833

摘要： An electrostatic chuck 55 comprises an electrical connector 140 which is connected to the electrode 105 to conduct an electrical charge to the electrode 105. The electrical connector 140 comprises a refractory metal having a melting temperature of at least about 1500° C., such as for example, tungsten, titanium, nickel, tantalum, molybdenum, or alloys thereof. Preferably, the electrical connector 140 is bonded to the electrode 105 by a metal having a softening temperature of less than about 600° C., such as aluminum, indium, or low melting point alloys.

摘要翻译： 静电卡盘55包括电连接器140，电连接器140连接到电极105以将电荷引导到电极105.电连接器140包括具有至少约1500℃的熔化温度的难熔金属，例如用于 例如钨，钛，镍，钽，钼或其合金。 优选地，电连接器140通过软化温度小于约600℃的金属（例如铝，铟或低熔点合金）结合到电极105。

公开(公告)号：US08607731B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12144463

申请日：2008-06-23

申请人： Daniel J. Hoffman ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Semyon L. Kats ,  Dan Katz

发明人： Daniel J. Hoffman ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Semyon L. Kats ,  Dan Katz

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/50 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/6833

摘要： An apparatus for generating uniform plasma across and beyond the peripheral edge of a substrate has a dielectric body with an upper electrode and an annular electrode embedded therein. The outer perimeter of the upper electrode overlaps the inner perimeter of the annular electrode. In one embodiment, the upper electrode and the annular electrode are electrically coupled by molybdenum vias. In one embodiment, the upper electrode is coupled to a DC power source to provide electrostatic force for chucking the substrate. In one embodiment, the upper electrode is coupled to an RF source for exciting one or more processing gasses into plasma for substrate processing.

摘要翻译： 用于在衬底的周边边缘上产生均匀等离子体的装置具有电介质体，其具有嵌入其中的上电极和环形电极。 上电极的外周与环形电极的内周重叠。 在一个实施例中，上电极和环形电极通过钼通孔电耦合。 在一个实施例中，上电极耦合到DC电源以提供用于夹持衬底的静电力。 在一个实施例中，上电极耦合到RF源，用于将一个或多个处理气体激发成用于衬底处理的等离子体。

公开(公告)号：US07768765B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11683994

申请日：2007-03-08

申请人： Andrew Nguyen ,  Wing Lau Cheng ,  Hiroji Hanawa ,  Semyon L. Kats ,  Kartik Ramaswamy ,  Yan Ye ,  Kwok Manus Wong ,  Daniel J. Hoffman ,  Tetsuya Ishikawa ,  Brian C. Lue

发明人： Andrew Nguyen ,  Wing Lau Cheng ,  Hiroji Hanawa ,  Semyon L. Kats ,  Kartik Ramaswamy ,  Yan Ye ,  Kwok Manus Wong ,  Daniel J. Hoffman ,  Tetsuya Ishikawa ,  Brian C. Lue

IPC分类号： H01T23/00

CPC分类号： H01L21/67109

摘要： A support for a substrate processing chamber comprises a fluid circulating reservoir comprising a channel having serpentine convolutions. A fluid inlet supplies a heat transfer fluid to the fluid circulating reservoir and a fluid outlet discharges the heat transfer fluid. In one version, the channel is doubled over to turn back upon itself.

摘要翻译： 用于衬底处理室的支撑件包括流体循环容器，其包括具有蛇形卷积的通道。 流体入口将传热流体供应到流体循环储存器，并且流体出口排出传热流体。 在一个版本中，频道翻倍翻转自己。

公开(公告)号：US07672110B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11214286

申请日：2005-08-29

申请人： Jennifer Y. Sun ,  James Dempster ,  Semyon L. Kats ,  Allen Fox

发明人： Jennifer Y. Sun ,  James Dempster ,  Semyon L. Kats ,  Allen Fox

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01T23/00 ,  B23B31/28

CPC分类号： H01L21/6833 ,  Y10T279/23

摘要： An electrostatic chuck has an electrode embedded in a dielectric which is mounted on a pedestal. The dielectric has a contact surface with an average surface roughness of less than about 0.5 μm, a surface peak waviness of less than about 0.12 μm, and a surface peak waviness material ratio of greater than about 20%. The surface texture can be formed by lapping the dielectric surface with a slurry of abrasive particles.

摘要翻译： 静电吸盘具有嵌入在基座上的电介质中的电极。 电介质具有平均表面粗糙度小于约0.5μm的接触表面，小于约0.12μm的表面波峰波纹，以及大于约20％的表面波峰厚度材料比。 可以通过用研磨颗粒的浆料研磨电介质表面来形成表面纹理。

公开(公告)号：US20090314433A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12144463

申请日：2008-06-23

申请人： Daniel J. Hoffman ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Semyon L. Kats ,  Dan Katz

发明人： Daniel J. Hoffman ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Semyon L. Kats ,  Dan Katz

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833

摘要： An apparatus for generating uniform plasma across and beyond the peripheral edge of a substrate has a dielectric body with an upper electrode and an annular electrode embedded therein. The outer perimeter of the upper electrode overlaps the inner perimeter of the annular electrode. In one embodiment, the upper electrode and the annular electrode are electrically coupled by molybdenum vias. In one embodiment, the upper electrode is coupled to a DC power source to provide electrostatic force for chucking the substrate. In one embodiment, the upper electrode is coupled to an RF source for exciting one or more processing gasses into plasma for substrate processing.

摘要翻译： 用于在衬底的周边边缘上产生均匀等离子体的装置具有电介质体，其具有嵌入其中的上电极和环形电极。 上电极的外周与环形电极的内周重叠。 在一个实施例中，上电极和环形电极通过钼通孔电耦合。 在一个实施例中，上电极耦合到DC电源以提供用于夹持衬底的静电力。 在一个实施例中，上电极耦合到RF源，用于将一个或多个处理气体激发成用于衬底处理的等离子体。

公开(公告)号：US07221553B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10421473

申请日：2003-04-22

申请人： Andrew Nguyen ,  Wing Lau Cheng ,  Hiroji Hanawa ,  Semyon L. Kats ,  Kartik Ramaswamy ,  Yan Ye ,  Kwok Manus Wong ,  Daniel J. Hoffman ,  Tetsuya Ishikawa ,  Brian C. Lue

发明人： Andrew Nguyen ,  Wing Lau Cheng ,  Hiroji Hanawa ,  Semyon L. Kats ,  Kartik Ramaswamy ,  Yan Ye ,  Kwok Manus Wong ,  Daniel J. Hoffman ,  Tetsuya Ishikawa ,  Brian C. Lue

IPC分类号： H05F3/00

CPC分类号： H01L21/67109

摘要： A support for a substrate processing chamber has upper and lower walls that are joined by a peripheral sidewall to define a reservoir. A fluid inlet supplies a heat transfer fluid to the reservoir. In one version, a plurality of protrusions extends into the reservoir to perturb the flow of the heat transfer fluid through the reservoir. In another version, the reservoir is an elongated channel having one or more of (i) serpentine convolutions, (ii) integral fins extending into the channel, (iii) a roughened internal surface, or (iv) a changing cross-section. A fluid outlet discharges the heat transfer fluid from the reservoir.

摘要翻译： 用于衬底处理室的支撑件具有通过周边侧壁连接以限定储存器的上壁和下壁。 流体入口将传热流体供应到储存器。 在一个版本中，多个突起延伸到储存器中以扰乱通过储存器的传热流体的流动。 在另一个版本中，储存器是具有（i）蛇形循环中的一个或多个的细长通道，（ii）延伸到通道中的整体翅片，（iii）粗糙化的内表面，或（iv）变化的横截面。 流体出口从储存器排出传热流体。

公开(公告)号：US06721162B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10095914

申请日：2002-03-12

申请人： Edwin C. Weldon ,  Kenneth S. Collins ,  Arik Donde ,  Brian Lue ,  Dan Maydan ,  Robert J. Steger ,  Timothy Dyer ,  Ananda H. Kumar ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  Dennis S. Grimard

发明人： Edwin C. Weldon ,  Kenneth S. Collins ,  Arik Donde ,  Brian Lue ,  Dan Maydan ,  Robert J. Steger ,  Timothy Dyer ,  Ananda H. Kumar ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  Dennis S. Grimard

IPC分类号： H02N1300

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C16/4586 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  Y10T279/23

摘要： An electrostatic chuck has an electrode capable of being electrically charged to electrostatically hold a substrate. A composite layer covers the electrode. The composite layer comprises (1) a first dielectric material covering a central portion of the electrode, and (2) a second dielectric material covering a peripheral portion of the electrode, the second dielectric material having a different composition than the composition of the first dielectric material. The chuck is useful in a plasma process chamber to process substrates, such as semiconductor wafers.

摘要翻译： 静电吸盘具有能够带电的电极，以静电保持基板。 复合层覆盖电极。 复合层包括（1）覆盖电极的中心部分的第一电介质材料，和（2）覆盖电极的周边部分的第二电介质材料，第二电介质材料的组成不同于第一电介质的组成 材料。 卡盘在等离子体处理室中可用于处理诸如半导体晶片的基板。

公开(公告)号：US06310755B1

公开(公告)日：2001-10-30

申请号：US09307215

申请日：1999-05-07

申请人： Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  You Wang ,  Wing L. Cheng ,  Alexander M. Veytser ,  Surinder S. Bedi ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Ananda H. Kumar

发明人： Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  You Wang ,  Wing L. Cheng ,  Alexander M. Veytser ,  Surinder S. Bedi ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Ananda H. Kumar

IPC分类号： H01G2300

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/185 ,  C04B35/806 ,  C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/60 ,  C22C29/00 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4523

摘要： An electrostatic chuck 55 has an electrostatic member 100 including a dielectric 115 having a surface 120 adapted to receive the substrate 30. The dielectric 115 covers an electrode 105 that is chargeable to electrostatically hold the substrate 30. A support 190 below the electrostatic member 100 has a cavity 300 adapted to hold a gas to serve as a thermal insulator to regulate the flow of heat from the electrostatic chuck 55 to a surface 120 of the chamber 25. The cavity 300 has a cross-sectional profile that is shaped to provide a predetermined temperature profile across the substrate 30.

摘要翻译： 静电吸盘55具有静电构件100，静电构件100包括具有适于接纳衬底30的表面120的电介质115.电介质115覆盖电极105，电极105可充电以静电保持衬底30.静电构件100下方的支撑件190具有 空腔300适于保持气体以用作热绝缘体，以调节从静电卡盘55到腔室25的表面120的热量流动。空腔300具有截面轮廓，其形状设置成提供预定的 跨越衬底30的温度分布。

公开(公告)号：US20100081284A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12240090

申请日：2008-09-29

申请人： AJIT BALAKRISHNA ,  Aniruddha Pal ,  James D. Carducci ,  Semyon L. Kats ,  Shahid Rauf

发明人： AJIT BALAKRISHNA ,  Aniruddha Pal ,  James D. Carducci ,  Semyon L. Kats ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/08 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

摘要： Methods and apparatus for processing substrates are provided herein. In some embodiments, an apparatus for processing a substrate includes a flow equalizer configured to control the flow of gases between a process volume and an exhaust port of a process chamber. The flow equalizer includes at least one restrictor plate configured to be disposed in a plane proximate a surface of a substrate to be processed and defines an azimuthally non-uniform gap between an edge of the at least one restrictor plate and one of either a chamber wall or a substrate support when installed in the process chamber.

摘要翻译： 本文提供了处理衬底的方法和装置。 在一些实施例中，用于处理衬底的装置包括流量均衡器，其被配置为控制处理室的处理容积和排气口之间的气体流。 流量均衡器包括至少一个限制器板，其被配置为设置在接近要处理的基板的表面的平面中，并且限定了至少一个限制器板的边缘与腔室壁中的一个之间的方位不均匀的间隙 或安装在处理室中时的基板支撑件。