公开(公告)号：US07063871B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10617819

申请日：2003-07-14

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Tsukasa Matsuda ,  Taro Ikeda ,  Kazuhito Nakamura ,  Koumei Matsuzawa ,  Yumiko Kawano ,  Mitsuhiro Tachibana

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Tsukasa Matsuda ,  Taro Ikeda ,  Kazuhito Nakamura ,  Koumei Matsuzawa ,  Yumiko Kawano ,  Mitsuhiro Tachibana

IPC分类号： C23C16/16

CPC分类号： C23C16/16

摘要： A metal CVD process includes a step (A) of introducing a gaseous source material containing a metal carbonyl compound into a process space adjacent to a surface of a substrate to be processed in such a manner that the metal carbonyl compound has a first partial pressure, and a step (B) of depositing a metal film on the surface of the substrate by introducing a gaseous source material containing the metal carbonyl compound into the process space in such a mater that the metal carbonyl compound has a second, smaller partial pressure. The step (A) is conducted such that there is caused no substantial deposition of the metal film on the substrate.

摘要翻译： 金属CVD法包括将含有羰基金属化合物的气态源材料以与金属羰基化合物具有第一分压的方式相连接的待处理基板的表面的工艺空间引入的工序（A） 以及在金属羰基化合物具有第二较小分压的情况下，通过将含有羰基金属化合物的气态源材料引入到工艺空间中，在基板的表面上沉积金属膜的工序（B）。 进行步骤（A），使得金属膜不会在基板上实质上沉积。

公开(公告)号：US06924223B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10673646

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra ,  Andrew H Simon ,  John J Yurkas

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra ,  Andrew H Simon ,  John J Yurkas

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.

摘要翻译： 提供了一种使用间歇式前体气体流动方法在基板上形成金属层的方法。 该方法包括将衬底暴露于还原气体，同时将衬底暴露于羰基金属前体气体的脉冲。 进行该过程，直到在基底上形成具有所需厚度的金属层。 金属层可以形成在基板上，或者可以在金属成核层上形成金属层。

公开(公告)号：US20050069632A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10673646

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra ,  Andrew Simon ,  John Yurkas

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra ,  Andrew Simon ,  John Yurkas

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  B05D5/12 ,  H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.

公开(公告)号：US20050069641A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10673910

申请日：2003-09-30

申请人： Tsukasa Matsuda ,  Taro Ikeda ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Hideaki Yamasaki ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra ,  Andrew Simon ,  John Yurkas

发明人： Tsukasa Matsuda ,  Taro Ikeda ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Hideaki Yamasaki ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra ,  Andrew Simon ,  John Yurkas

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  B05D3/02 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

摘要： A method for depositing metal layers with good surface morphology using sequential flow deposition includes alternately exposing a substrate in a process chamber to a metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas. During exposure with the metal-carbonyl precursor gas, a thin metal layer is deposited on the substrate, and subsequent exposure of the metal layer to the reducing gas aids in the removal of reaction by-products from the metal layer. The metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas exposure steps can be repeated until a metal layer with a desired thickness is achieved. The metal-carbonyl precursor can, for example, be selected from W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12.

摘要翻译： 使用顺序流动沉积沉积具有良好表面形态的金属层的方法包括将处理室中的衬底交替地暴露于羰基金属前体气体和还原气体。 在用羰基金属前驱体气体曝光的同时，在基板上沉积薄金属层，随后将金属层暴露于还原气体有助于从金属层除去反应副产物。 可以重复金属羰基前体气体和还原气体暴露步骤，直到达到具有所需厚度的金属层。 金属羰基前体可以例如选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co2（CO）8，Rh4（CO）12，Re2（CO） （CO）6和Ru 3（CO）12。

公开(公告)号：US06989321B2

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：US10673908

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO） CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2， Re（CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）3， 12个前体。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

公开(公告)号：US07078341B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US10673648

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process. The TCVD process utilizes high flow rate of a dilute process gas containing a metal-carbonyl precursor to deposit a metal layer. In one embodiment of the invention, the metal-carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing a W layer from a process gas comprising a W(CO)6 precursor at a substrate temperature of about 410° C. and a chamber pressure of about 200 mTorr.

摘要翻译： 一种通过热化学气相沉积（TCVD）工艺在半导体衬底上沉积金属层的方法。 TCVD工艺利用含有羰基金属前体的稀释工艺气体的高流速来沉积金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO） Co（CO）8，Rh 4（CO）12，SO 2，CO 2， （CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO） _{12 。 在本发明的另一个实施方案中，提供了一种方法，用于在约410℃的衬底温度下从包含W（CO）6 N 2前体的工艺气体中沉积W层， 约200毫托。}

公开(公告)号：US20050079708A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10673648

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

IPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process. The TCVD process utilizes high flow rate of a dilute process gas containing a metal-carbonyl precursor to deposit a metal layer. In one embodiment of the invention, the metal-carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing a W layer from a process gas comprising a W(CO)6 precursor at a substrate temperature of about 410° C. and a chamber pressure of about 200 mTorr.

摘要翻译： 一种通过热化学气相沉积（TCVD）工艺在半导体衬底上沉积金属层的方法。 TCVD工艺利用含有羰基金属前体的稀释工艺气体的高流速来沉积金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co 2（CO）8，Rh 4（CO）12， Re 2（CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）12）。 在本发明的另一个实施方案中，提供了一种方法，用于在约410℃的基底温度和约200mTorr的室压下从包含W（CO）6前体的工艺气体中沉积W层。

公开(公告)号：US20050070100A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10673908

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，金属羰基前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2 （CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）12前体）。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

公开(公告)号：US20050233079A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11155575

申请日：2005-06-20

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method of forming a metal film using a metal carbonyl compound as a material is disclosed that includes the steps of: (a) introducing a reactive gas into a space near a surface of a substrate to be processed; and (b) introducing a gaseous phase material including the metal carbonyl compound into the space on the surface of the substrate to be processed, and depositing the metal film on the surface of the substrate to be processed after step (a). Step (a) is executed in such a manner as to prevent substantial deposition of the metal film on the substrate to be processed.

摘要翻译： 公开了使用羰基金属化合物作为材料形成金属膜的方法，其包括以下步骤：（a）将反应性气体引入待处理的基板的表面附近的空间; 和（b）将包含羰基金属化合物的气相材料引入到待处理基板的表面上的空间中，并且在步骤（a）之后将金属膜沉积在待处理基板的表面上。 执行步骤（a），以防止金属膜在待处理的基板上的大量沉积。

公开(公告)号：US07344754B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US11155575

申请日：2005-06-20

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05D3/00

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method of forming a metal film using a metal carbonyl compound as a material is disclosed that includes the steps of: (a) introducing a reactive gas into a space near a surface of a substrate to be processed; and (b) introducing a gaseous phase material including the metal carbonyl compound into the space on the surface of the substrate to be processed, and depositing the metal film on the surface of the substrate to be processed after step (a). Step (a) is executed in such a manner as to prevent substantial deposition of the metal film on the substrate to be processed.

摘要翻译： 公开了使用羰基金属化合物作为材料形成金属膜的方法，其包括以下步骤：（a）将反应性气体引入待处理的基板的表面附近的空间; 和（b）将包含羰基金属化合物的气相材料引入到待处理基板的表面上的空间中，并且在步骤（a）之后将金属膜沉积在待处理基板的表面上。 执行步骤（a），以防止金属膜在待处理的基板上的大量沉积。