公开(公告)号：US06989321B2

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：US10673908

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO） CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2， Re（CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）3， 12个前体。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

公开(公告)号：US07078341B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US10673648

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process. The TCVD process utilizes high flow rate of a dilute process gas containing a metal-carbonyl precursor to deposit a metal layer. In one embodiment of the invention, the metal-carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing a W layer from a process gas comprising a W(CO)6 precursor at a substrate temperature of about 410° C. and a chamber pressure of about 200 mTorr.

摘要翻译： 一种通过热化学气相沉积（TCVD）工艺在半导体衬底上沉积金属层的方法。 TCVD工艺利用含有羰基金属前体的稀释工艺气体的高流速来沉积金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO） Co（CO）8，Rh 4（CO）12，SO 2，CO 2， （CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO） _{12 。 在本发明的另一个实施方案中，提供了一种方法，用于在约410℃的衬底温度下从包含W（CO）6 N 2前体的工艺气体中沉积W层， 约200毫托。}

公开(公告)号：US06924223B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10673646

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra ,  Andrew H Simon ,  John J Yurkas

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra ,  Andrew H Simon ,  John J Yurkas

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.

摘要翻译： 提供了一种使用间歇式前体气体流动方法在基板上形成金属层的方法。 该方法包括将衬底暴露于还原气体，同时将衬底暴露于羰基金属前体气体的脉冲。 进行该过程，直到在基底上形成具有所需厚度的金属层。 金属层可以形成在基板上，或者可以在金属成核层上形成金属层。

公开(公告)号：US20050070100A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10673908

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，金属羰基前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2 （CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）12前体）。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

公开(公告)号：US20050079708A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10673648

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

IPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process. The TCVD process utilizes high flow rate of a dilute process gas containing a metal-carbonyl precursor to deposit a metal layer. In one embodiment of the invention, the metal-carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing a W layer from a process gas comprising a W(CO)6 precursor at a substrate temperature of about 410° C. and a chamber pressure of about 200 mTorr.

摘要翻译： 一种通过热化学气相沉积（TCVD）工艺在半导体衬底上沉积金属层的方法。 TCVD工艺利用含有羰基金属前体的稀释工艺气体的高流速来沉积金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co 2（CO）8，Rh 4（CO）12， Re 2（CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）12）。 在本发明的另一个实施方案中，提供了一种方法，用于在约410℃的基底温度和约200mTorr的室压下从包含W（CO）6前体的工艺气体中沉积W层。

公开(公告)号：US20050069632A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10673646

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra ,  Andrew Simon ,  John Yurkas

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra ,  Andrew Simon ,  John Yurkas

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  B05D5/12 ,  H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.

公开(公告)号：US08999841B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13566515

申请日：2012-08-03

申请人： Tadahiro Ishizaka ,  Atsushi Gomi ,  Kenzi Suzuki ,  Tatsuo Hatano ,  Yasushi Mizusawa

发明人： Tadahiro Ishizaka ,  Atsushi Gomi ,  Kenzi Suzuki ,  Tatsuo Hatano ,  Yasushi Mizusawa

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76841 ,  C23C14/02 ,  C23C14/046 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843

摘要： A semiconductor device manufacturing method includes: modifying a surface of a burying recess, of which surface is hydrophobic and which is formed in a dielectric film, to a hydrophilic state by supplying a plasma containing H ions and H radicals or a plasma containing NHx (x being 1, 2 or 3) ions and NHx radicals to the dielectric film formed on a substrate and containing silicon, carbon, hydrogen and oxygen, a bottom portion of the burying recess being exposed with a lower conductive layer; and directly forming an adhesion film formed of a Ru film on the hydrophilic surface of the recess. The method further includes burying copper forming a conductive path in the recess.

摘要翻译： 半导体器件制造方法包括：通过供给含有H离子和H基团的等离子体或包含NH x（x）的等离子体，将其表面是疏水性的并且形成在电介质膜中的掩埋凹槽的表面改性为亲水状态 是1,2或3）离子和NH x自由基，形成在衬底上并含有硅，碳，氢和氧的电介质膜，埋入凹部的底部用下导电层暴露; 并且在凹部的亲水性表面上直接形成由Ru膜形成的粘合膜。 该方法还包括在凹槽中形成导电路径的铜。

公开(公告)号：US08349283B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US13058243

申请日：2009-08-04

申请人： Masamichi Hara ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano

发明人： Masamichi Hara ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano

IPC分类号： B01D50/00 ,  B01D53/64 ,  H01L21/20

CPC分类号： F27D17/004 ,  B01D53/005 ,  B01D53/04 ,  B01D53/75 ,  B01D53/864 ,  B01D53/8668 ,  B01D53/869 ,  B01D2251/102 ,  B01D2255/20 ,  B01D2255/2045 ,  B01D2255/2047 ,  B01D2255/2073 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

摘要： A metal recovery apparatus recovers metal components from an exhaust gas exhausted from a processing chamber in which a thin film is formed on the surface of a target substrate by using a source gas formed of an organic metal compound serving as a source, and scrubs the exhaust gas. The metal recovery apparatus 66 includes a trap unit having an adsorption member for attaching thereon metal components included in the source gas by heating the exhaust gas and thus thermally decomposing an unreacted source gas included in the exhaust gas; and the scrubbing unit including a catalyzer for oxidizing and thus scrubbing harmful gas components included in the exhaust gas that has flowed through the trap unit.

摘要翻译： 金属回收装置通过使用由作为源的有机金属化合物形成的源气体从从处理室排出的废气从目标基板的表面上形成有薄膜的废气中回收金属成分， 加油站。 金属回收装置66包括具有吸附部件的收集部，该吸附部件通过加热废气而附加在源气体中的金属成分，从而热分解废气中包含的未反应的源气体; 并且所述洗涤单元包括用于氧化并因此洗涤已经流过所述捕集单元的废气中包含的有害气体组分的催化剂。

公开(公告)号：US08273409B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US13158180

申请日：2011-06-10

申请人： Masamichi Hara ,  Yasushi Mizusawa ,  Satoshi Taga ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano

发明人： Masamichi Hara ,  Yasushi Mizusawa ,  Satoshi Taga ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

摘要： Disclosed is a method for film formation, characterized by comprising allowing a treatment gas stream containing a metal carbonyl-containing treatment gas and a carbon monoxide-containing carrier gas to flow into a region on the upper outside of the outer periphery of a substrate to be treated in a diameter direction of the substrate while avoiding the surface of the substrate and diffusing the metal carbonyl from the treatment gas stream into the surface of the substrate to form a metal film on the surface of the substrate.

摘要翻译： 本发明公开了一种成膜方法，其特征在于，含有含有含羰基金属的处理气体和一氧化碳的载气的处理气流流入基板的外周的上侧的区域，为 在衬底的直径方向处理，同时避免衬底的表面并将金属羰基从处理气流扩散到衬底的表面中，以在衬底的表面上形成金属膜。

公开(公告)号：US20110203310A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13057372

申请日：2009-08-04

申请人： Atsushi Gomi ,  Yasushi Mizusawa ,  Tatsuo Hatano ,  Masamichi Hara ,  Kaoru Yamamoto ,  Chiaki Yasumuro

发明人： Atsushi Gomi ,  Yasushi Mizusawa ,  Tatsuo Hatano ,  Masamichi Hara ,  Kaoru Yamamoto ,  Chiaki Yasumuro

IPC分类号： B01D53/14 ,  F25J1/02 ,  B01D47/00 ,  B01D53/78

CPC分类号： C23C16/4412 ,  B01D53/002 ,  B01D53/62 ,  B01D53/75 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/416 ,  C23C16/16 ,  Y02C20/30

摘要： A raw material recovery method for recovering a raw material of an organic metallic compound, which has the property of being stable toward a specific refrigerant without being decomposed thereby, from exhaust gas discharged from a treatment container in which a metallic thin film is formed on the surface of an object to be treated by using source gas obtained by vaporizing the raw material is characterized by being provided with a solidification step for solidifying the unreacted source gas by cooling the exhaust gas by bringing the exhaust gas into contact with the refrigerant and reprecipitating the raw material, and a recovery step for separating and recovering the raw material reprecipitated in the solidification step from the refrigerant. To provide a method for controlling an exhaust gas flow rate so that flow of gas in a processing chamber becomes uniform.

摘要翻译： 一种原料回收方法，用于从其中形成有金属薄膜的处理容器排出的废气中回收具有对特定制冷剂稳定的特性的有机金属化合物的原料， 通过使用通过蒸发原料获得的源气体处理的物体的表面的特征在于具有固化步骤，用于通过使废气与制冷剂接触而冷却排气来固化未反应的源气体，并再次沉淀 原料和用于分离和回收在固化步骤中从制冷剂中再沉淀的原料的回收步骤。 提供一种用于控制废气流量使得处理室中的气体流变得均匀的方法。