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    Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors
    2.
    发明申请
    Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors 有权
    金属 - 羰基前驱体金属层的低压沉积

    公开(公告)号：US20050070100A1

    公开(公告)日：2005-03-31

    申请号：US10673908

    申请日：2003-09-30

    申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

    发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

    IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

    摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

    摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，金属羰基前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2 （CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）12前体）。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

    Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors
    5.
    发明授权
    Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors 有权
    金属 - 羰基前驱体金属层的低压沉积

    公开(公告)号：US06989321B2

    公开(公告)日：2006-01-24

    申请号：US10673908

    申请日：2003-09-30

    申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

    发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

    摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

    摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO） CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2， Re（CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）3， 12个前体。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

    Method of forming a tantalum-containing gate electrode structure
    10.
    发明申请
    Method of forming a tantalum-containing gate electrode structure 失效
    形成含钽栅电极结构的方法

    公开(公告)号：US20050227441A1

    公开(公告)日：2005-10-13

    申请号：US10830804

    申请日：2004-03-31

    申请人： Kazuhito Nakamura ,  Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  John Yurkas ,  Vijay Narayanan

    发明人： Kazuhito Nakamura ,  Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  John Yurkas ,  Vijay Narayanan

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  C30B1/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/36 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517

    摘要： A method for forming a tantalum-containing gate electrode structure by providing a substrate having a high-k dielectric layer thereon in a process chamber and forming a tantalum-containing layer on the high-k dielectric layer in a thermal chemical vapor deposition process by exposing the substrate to a process gas containing TAIMATA (Ta(N(CH3)2)3(NC(C2H5)(CH3)2)) precursor gas. In one embodiment of the invention, the tantalum-containing layer can include a TaSiN layer formed from a process gas containing TAIMATA precursor gas, a silicon containing gas, and optionally a nitrogen-containing gas. In another embodiment of the invention, a TaN layer is formed on the TaSiN layer. The TaN layer can be formed from a process gas containing TAIMATA precursor gas and optionally a nitrogen-containing gas. A computer readable medium executable by a processor to cause a processing system to perform the method and a processing system for forming a tantalum-containing gate electrode structure are also provided.

    摘要翻译： 一种用于形成含钽栅电极结构的方法，其通过在处理室中提供其上具有高k电介质层的衬底，并在热化学气相沉积工艺中通过暴露在高k电介质层上形成含钽层 将衬底加工成含有TAIMATA（Ta（N（CH 3）2）3）（NC（C 2）2）的工艺气体， （CH 3）2））前体气体。 在本发明的一个实施方案中，含钽层可以包括由含有TAIMATA前体气体，含硅气体和任选的含氮气体的工艺气体形成的TaSiN层。 在本发明的另一实施例中，在TaSiN层上形成TaN层。 TaN层可以由含有TAIMATA前体气体和任选的含氮气体的工艺气体形成。 还提供了可由处理器执行以使处理系统执行该方法的计算机可读介质和用于形成含钽栅电极结构的处理系统。