公开(公告)号：US09105572B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US14203400

申请日：2014-03-10

申请人： Hiroyuki Kanaya ,  Dong Jun Kim ,  Sung Hoon Lee

发明人： Hiroyuki Kanaya ,  Dong Jun Kim ,  Sung Hoon Lee

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  G11C7/18

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C7/18 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a cell transistor including a first source/drain diffusion layer and a second source/drain diffusion layer, a first contact on the first source/drain diffusion layer, a memory element on the first contact, and a second contact on the second source/drain diffusion layer, the second contact including a first plug on the second source/drain diffusion layer, and a second plug on the first plug.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括单元晶体管，其包括第一源极/漏极扩散层和第二源极/漏极扩散层，第一源极/漏极扩散层上的第一触点，第一触点上的存储元件，以及 在第二源/漏扩散层上的第二触点，第二触点包括在第二源极/漏极扩散层上的第一插头和第一插头上的第二插头。

公开(公告)号：US20100317868A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12517980

申请日：2007-11-20

申请人： Nam Du Kim ,  Wooseob Shin ,  Jaehyuk Jung ,  Dong Jun Kim ,  Gi Jeong Kim ,  Young Ho Moon ,  Young-Kil Chang ,  Gwan Sun Lee ,  Tae Jin Choi

发明人： Nam Du Kim ,  Wooseob Shin ,  Jaehyuk Jung ,  Dong Jun Kim ,  Gi Jeong Kim ,  Young Ho Moon ,  Young-Kil Chang ,  Gwan Sun Lee ,  Tae Jin Choi

IPC分类号： C07D263/06 ,  C07D305/14

CPC分类号： C07D305/14 ,  Y02P20/55

摘要： The present invention relates to a novel method of preparing a taxane derivative having an anti-tumor and anti-leukemia activity, and intermediates used therein.

摘要翻译： 本发明涉及一种制备具有抗肿瘤和抗白血病活性的紫杉烷衍生物的新方法及其中使用的中间体。

公开(公告)号：US20100280543A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12738478

申请日：2008-10-16

申请人： Dong Jun Kim ,  Jun Woo Park ,  Yung Ho Jo

发明人： Dong Jun Kim ,  Jun Woo Park ,  Yung Ho Jo

IPC分类号： A61B17/29 ,  A61B17/00

CPC分类号： A61B34/70 ,  A61B34/71 ,  A61B34/72 ,  A61B2017/00398 ,  A61B2017/2902 ,  A61B2017/2905 ,  A61B2017/2932 ,  A61B2017/2936

摘要： A laparoscopic surgical instrument includes a shaft and a head having a distal end to which a variety of surgical instruments are attached. The laparoscopic surgical instrument also includes a flexible joint installed between the shaft and the head; a longitudinal-driving unit including a longitudinal-driving wire connected with both longitudinal ends of the head and a longitudinal-driving roller turning the longitudinal-driving wire and a transverse-driving unit including a transverse-driving wire connected with both transverse ends of the head and a transverse-driving roller turning the transverse-driving wire. The longitudinal-driving unit turns the flexible joint in the longitudinal direction, the transverse-driving unit turns the flexible joint in the transverse direction, and the shaft has a small diameter.

摘要翻译： 腹腔镜手术器械包括轴和具有远端的头部，多个外科器械附接到该远端。 腹腔镜手术器械还包括安装在轴和头部之间的柔性接头; 纵向驱动单元，包括与头部的两个纵向端连接的纵向驱动线和转动纵向驱动线的纵向驱动辊;以及横向驱动单元，横向驱动单元包括横向驱动线，该横向驱动线与 头部和横向驱动辊转动横向驱动线。 纵向驱动单元沿纵向旋转柔性接头，横向驱动单元使柔性接头在横向上转动，并且轴具有小的直径。

公开(公告)号：US06864148B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：US10655705

申请日：2003-09-05

申请人： Chia-Shun Hsiao ,  Dong Jun Kim

发明人： Chia-Shun Hsiao ,  Dong Jun Kim

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/42368

摘要： A method and structure are provided with reduced gate wrap around to advantageously control for threshold voltage and increase stability in semiconductor devices. A spacer is provided aligned to field dielectric layers to protect the dielectric layers during subsequent etch processes. The spacer is then removed prior to subsequently forming a part of a gate oxide layer and a gate conductor layer. Advantageously, the spacer protects the corner area o the field dielectric and also allows for enhanced thickness of the gate oxide near the corners.

公开(公告)号：US06326259B1

公开(公告)日：2001-12-04

申请号：US09852602

申请日：2001-05-10

申请人： Kyong Min Kim ,  Han Sang Song ,  Dong Jun Kim

发明人： Kyong Min Kim ,  Han Sang Song ,  Dong Jun Kim

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31604 ,  H01L28/91

摘要： A method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device uses a metal as an upper electrode and a lower electrode, and forms a dielectric film in a double structure of a titanium-containing tantalum oxide film and an amorphous tantalum oxide film. Therefore, the invention can secure a sufficient capacitance while improving an electrical characteristic of the capacitor.

摘要翻译： 在半导体器件中制造电容器的方法使用金属作为上部电极和下部电极，并且在含钛的钽氧化物膜和非晶形氧化钽膜的双重结构中形成电介质膜。 因此，本发明可以确保足够的电容，同时改善电容器的电特性。

公开(公告)号：US08950264B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US12984667

申请日：2011-01-05

申请人： Jin Woo Nam ,  Byung Joo Paek ,  Dong Jun Kim

发明人： Jin Woo Nam ,  Byung Joo Paek ,  Dong Jun Kim

IPC分类号： G01M7/02

CPC分类号： G01M7/027

摘要： A jig device usable with a flat display panel which includes a frame including a base frame having an opening and a vertical frame which extends vertically along a perimeter of the base frame and a supporting frame coupled to the base frame within the frame, on which the flat display panel is disposed, wherein the supporting frame includes fixing portions provided at corners thereof to support respective corners of the flat display panel.

摘要翻译： 一种可用于平板显示面板的夹具装置，其包括框架，该框架包括具有开口的基座框架和沿着所述底座框架的周边垂直延伸的垂直框架，以及支撑框架，其联接到所述框架内的所述基座框架， 平面显示面板设置在其中，支撑框架包括设置在其角部的固定部分，以支撑平面显示面板的各个角部。

公开(公告)号：US20140373904A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US14362736

申请日：2012-03-30

申请人： Young Wook Choi ,  Dong Jun Kim ,  Eun Kyung Kim ,  Dae Seop Song

发明人： Young Wook Choi ,  Dong Jun Kim ,  Eun Kyung Kim ,  Dae Seop Song

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention relates to a paste composition for a solar cell electrode and an electrode produced therefrom. The present invention relates to a paste composition for a solar cell electrode, and an electrode produced therefrom, the paste composition comprising conductive powders, a glass frit, and an organic vehicle, the glass frit including PbO, SiO2, and TeO2, wherein an amount of said TeO2 included in the glass frit is about 1-20% by weight.

摘要翻译： 本发明涉及一种太阳能电池用电极用糊料组合物及其制造的电极。 本发明涉及一种太阳能电池用电极用糊料组合物及由其制造的电极，所述糊料组合物含有导电粉末，玻璃料和有机载体，所述玻璃料包含PbO，SiO 2和TeO 2，其中， 所述玻璃料中包含的所述TeO 2为约1-20重量％。

公开(公告)号：US20120214997A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13502260

申请日：2010-10-19

申请人： Nam Du Kim ,  Ji Yeon Chang ,  Dong Jun Kim ,  Hyun Seung Lee ,  Jae Hyuk Jung ,  Young Kil Chang ,  Gwan Sun Lee

发明人： Nam Du Kim ,  Ji Yeon Chang ,  Dong Jun Kim ,  Hyun Seung Lee ,  Jae Hyuk Jung ,  Young Kil Chang ,  Gwan Sun Lee

IPC分类号： C07D487/04 ,  C07C211/29 ,  C07C33/48 ,  C07C229/34

CPC分类号： A61K31/4985 ,  C07D487/04

摘要： Disclosed are a novel, simple and low-cost method for preparing sitagliptin, as DPP-IV (dipeptidyl peptidase IV) inhibitor, which is useful in treating type 2 diabetes mellitus and key intermediates used in said preparation of sitagliptin.

摘要翻译： 公开了一种用于制备西他列汀的新型，简单且低成本的方法，DPP-IV（二肽基肽酶IV）抑制剂，其可用于治疗所述西他列嗪制备中使用的2型糖尿病和关键中间体。

公开(公告)号：US07358149B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US11193150

申请日：2005-07-29

申请人： Daniel Wang ,  Chunchieh Huang ,  Dong Jun Kim

发明人： Daniel Wang ,  Chunchieh Huang ,  Dong Jun Kim

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L21/76237 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11546

摘要： Substrate isolation trench (224) are formed in a semiconductor substrate (120). Dopant (e.g. boron) is implanted into the trench sidewalls by ion implantation to suppress the current leakage along the sidewalls. During the ion implantation, the transistor gate dielectric (520) faces the ion stream, but damage to the gate dielectric is annealed in subsequent thermal steps. In some embodiments, the dopant implantation is an angled implant. The implant is performed from the opposite sides of the wafer, and thus from the opposite sides of each active area. Each active area includes a region implanted from one side and a region implanted from the opposite side. The two regions overlap to facilitate threshold voltage adjustment.

摘要翻译： 衬底隔离沟槽（224）形成在半导体衬底（120）中。 通过离子注入将掺杂剂（例如硼）注入到沟槽侧壁中，以抑制沿着侧壁的电流泄漏。 在离子注入期间，晶体管栅极电介质（520）面向离子流，但在随后的热步骤中对栅极电介质的损坏退火。 在一些实施例中，掺杂剂注入是成角度的植入物。 植入物从晶片的相对侧进行，并且因此从每个有效区域的相对侧进行。 每个有源区域包括从一侧注入的区域和从相对侧注入的区域。 两个区域重叠以便于阈值电压调整。

公开(公告)号：US06746931B2

公开(公告)日：2004-06-08

申请号：US10423873

申请日：2003-04-28

申请人： Kee Jeung Lee ,  Dong Jun Kim

发明人： Kee Jeung Lee ,  Dong Jun Kim

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L21/3145 ,  C23C16/308 ,  H01L28/40 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

摘要： Disclosed are a capacitor for semiconductor devices capable of increasing storage capacitance and preventing leakage current, and method of manufacturing the same. The capacitor for semiconductor memory devices according to the present invention includes: a lower electrode; a dielectric layer formed on the lower electrode; and an upper electrode formed on the upper portion of the dielectric layer, wherein the dielectric layer is a crystalline TaxOyNz layer, and the total of x, y, and z in the crystalline TaxOyNz layer is 1, and y is 0.3 to 0.5, and z is 0.1 to 0.3.

摘要翻译： 公开了一种能够增加存储电容并防止漏电流的半导体器件的电容器及其制造方法。 根据本发明的用于半导体存储器件的电容器包括：下电极; 形成在下电极上的电介质层; 以及形成在电介质层的上部的上电极，其中电介质层是结晶的TaxOyNz层，并且结晶TaxOyNz层中的x，y和z的总和为1，y为0.3至0.5，并且 z为0.1〜0.3。