公开(公告)号：US20090116272A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12216529

申请日：2008-07-07

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C11/36 ,  H01L29/12

CPC分类号： G11C11/36 ,  G11C11/14 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/1021

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a cross-point memory array including the same which have a diode characteristic enabling the non-volatile memory device and the cross-point memory array including the same to operate in a simple structure, without requiring a switching device separately formed so as to embody a high density non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a first electrode; a diode-storage node formed on the first electrode; and a second electrode formed on the diode-storage node.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的交叉点存储器阵列，其具有使得非易失性存储器件的二极管特性和包括其的交叉点存储器阵列能够以简单的结构工作，而不需要 开关装置分开形成，以便体现高密度非易失性存储装置。 非易失性存储器件包括第一电极; 形成在所述第一电极上的二极管存储节点; 以及形成在二极管存储节点上的第二电极。

公开(公告)号：US20090101948A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US12078404

申请日：2008-03-31

申请人： Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

发明人： Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643

摘要： CMOS image sensors having transparent transistors and methods of manufacturing the same are provided. The CMOS image sensors include a photodiode and at least one transistor formed on the photodiode. The image sensor may include a plurality of transistors wherein at least one of the plurality of transistors is a transparent transistor.

摘要翻译： 提供具有透明晶体管的CMOS图像传感器及其制造方法。 CMOS图像传感器包括光电二极管和形成在光电二极管上的至少一个晶体管。 图像传感器可以包括多个晶体管，其中多个晶体管中的至少一个是透明晶体管。

公开(公告)号：USD585157S1

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US29324943

申请日：2008-09-24

申请人： Young-soo Park

设计人： Young-soo Park

公开(公告)号：US20080315200A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12213327

申请日：2008-06-18

申请人： Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Young-soo Park ,  Jae-chul Park

发明人： Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Young-soo Park ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Oxide semiconductors and thin film transistors (TFTs) including the same are provided. An oxide semiconductor includes Zn atoms and at least one of Hf and Cr atoms added thereto. A thin film transistor (TFT) includes a channel including an oxide semiconductor including Zn atoms and at least one of Hf and Cr atoms added thereto.

摘要翻译： 提供包括其的氧化物半导体和薄膜晶体管（TFT）。 氧化物半导体包括Zn原子和添加了Hf原子和Cr原子中的至少一种。 薄膜晶体管（TFT）包括包括包含Zn原子和添加有Hf原子和Cr原子中的至少一种的氧化物半导体的沟道。

公开(公告)号：US07459736B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US10978795

申请日：2004-11-02

申请人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

发明人： Sang-min Shin ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-mo Koo

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

摘要： A ferroelectric capacitor comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer. A ferroelectric memory comprises a substrate and a plurality of memory cells arranged on the substrate. Each memory cell comprises a first electrode comprising an alloy of Ir and Ru, a ferroelectric layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 铁电电容器包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。 铁电存储器包括衬底和布置在衬底上的多个存储单元。 每个存储单元包括包含Ir和Ru的合金的第一电极，设置在第一电极上的铁电层和设置在铁电层上的第二电极。

公开(公告)号：US20080278989A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12073666

申请日：2008-03-07

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Soon-won Hwang ,  Seok-jae Chung ,  Chang-soo Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： Provided is a resistive memory device and a method of manufacturing the resistive memory device that includes a bottom electrode, an insulating layer that is formed on the bottom electrode and has a hole that exposes the bottom electrode, a resistance layer and an intermediate layer which are formed in the hole, a switch structure formed on a surface of the intermediate layer, and an upper electrode formed on the switch structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种电阻式存储器件及其制造方法，该电阻式存储器件包括底部电极，形成在底部电极上并具有露出底部电极的孔的绝缘层，电阻层和中间层， 形成在所述孔中，形成在所述中间层的表面上的开关结构和形成在所述开关结构上的上电极。

公开(公告)号：US20080258141A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12007085

申请日：2008-01-07

申请人： Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park

发明人： Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor (TFT), a method of manufacturing the TFT, and a flat panel display comprising the TFT are provided. The TFT includes a gate, a gate insulating layer that contacts the gate, a channel layer that contacts the gate insulating layer and faces the gate with the gate insulating layer therebetween, a source that contacts an end of the channel layer; and a drain that contacts an other end of the channel layer, wherein the channel layer is an amorphous oxide semiconductor layer, and each of the source and the drain is a conductive oxide layer comprising an oxide semiconductor layer having a conductive impurity in the oxide semiconductor layer. A low resistance metal layer can further be included on the source and drain. A driving circuit of a unit pixel of a flat panel display includes the TFT.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管（TFT），制造TFT的方法以及包括TFT的平板显示器。 TFT包括栅极，与栅极接触的栅极绝缘层，与栅极绝缘层接触且与栅极绝缘层面对栅极的沟道层，接触沟道层的端部的源极; 以及与沟道层的另一端接触的漏极，其中，所述沟道层为非晶氧化物半导体层，所述源极和漏极中的每一个为包含氧化物半导体中具有导电杂质的氧化物半导体层的导电氧化物层 层。 源极和漏极可以进一步包含低电阻金属层。 平板显示器的单位像素的驱动电路包括TFT。

公开(公告)号：US20080142796A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11980454

申请日：2007-10-31

申请人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Chang-Jung Kim ,  Young-soo Park

发明人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Chang-Jung Kim ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

摘要： A zinc oxide (ZnO) group and method of forming the same are provided. The ZnO group diode may include a first electrode and a second electrode that are separated from each other, and an active layer formed of MxIn1-xZnO (wherein “M” is a Group III metal) between the first electrode and the second electrode. The first electrode may have a work function lower than the active layer. The second electrode may have a work function higher than the active layer.

摘要翻译： 提供氧化锌（ZnO）基团及其形成方法。 ZnO族二极管可以包括彼此分离的第一电极和第二电极，以及由M 1 x In 1 x x ZnO形成的有源层（其中“ M“是第III族金属）。 第一电极可具有低于有源层的功函数。 第二电极可具有比有源层高的功函数。

公开(公告)号：US20080038846A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11878868

申请日：2007-07-27

申请人： Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Choong-rae Cho ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Sang-min Shin

发明人： Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  Choong-rae Cho ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Sang-min Shin

IPC分类号： H01L21/8246

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： A capacitor of a memory device, and a method of fabricating the same, includes a lower electrode electrically coupled to a doping region of a transistor structure, the lower electrode having a metal electrode and a metal oxide electrode, a ferroelectric layer covering and extending laterally along the lower electrode, and an upper electrode formed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 存储器件的电容器及其制造方法包括电耦合到晶体管结构的掺杂区域的下电极，下电极具有金属电极和金属氧化物电极，铁电层覆盖并横向延伸 沿着下电极和形成在铁电层上的上电极。

公开(公告)号：US20070252147A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11785269

申请日：2007-04-17

申请人： Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Dong-hun Kang ,  Young-soo Park

发明人： Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Dong-hun Kang ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A semiconductor device may include a composite represented by Formula 1 below as an active layer. x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)  Formula 1wherein, about 0.75≦x/z≦about 3.15, and about 0.55≦y/z≦about 1.70. Switching characteristics of displays and driving characteristics of driving transistors may be improved by adjusting the amounts of a gallium (Ga) oxide and an indium (In) oxide mixed with a zinc (Zn) oxide and improving optical sensitivity.

摘要翻译： 半导体器件可以包括由下面的式1表示的复合物作为有源层。 <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？> x（Ga 2 2 O 3 3）y（In < z（ZnO）式1 <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>其中，约0.75 <= x / z <=约3.15，约0.55≤y/z≤约1.70。 可以通过调节与锌（Zn）氧化物混合的镓（Ga）氧化物和铟（In））的量来提高驱动晶体管的开关特性并提高光学灵敏度。