公开(公告)号：US4801554A

公开(公告)日：1989-01-31

申请号：US833219

申请日：1986-02-26

申请人： Jens Gobrecht ,  Peter Roggwiller ,  Roland Sittig ,  Jan Voboril

发明人： Jens Gobrecht ,  Peter Roggwiller ,  Roland Sittig ,  Jan Voboril

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/744 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L29/7392 ,  H01L29/744

摘要： A process for manufacturing a power semiconductor component having a component of this type is presented which has at least three consecutive layers and possessing a high current capacity and small power losses. For contacting the first two layers, the component has first second metallized contact planes, which impress a step-like structure onto a first surface of the component. The steps have a height of between 10 and 20 .mu.m and a width of between 20 and 300 .mu.m. The ratio between the surface area of the first contact plane and the surface area of the second contact plane is between 1 and 4. The first layer is heavily doped and has a maximum thickness of 8 .mu.m, and the second layer is lightly doped and has a maximum thickness of 40 .mu.m. According to the process for manufacturing the component, the surface structure according to the invention is produced essentially by a reactive ion-etching process with a single aluminum mask.

摘要翻译： 提出了具有这种分量的功率半导体元件的制造方法，其具有至少三个连续的层并具有高的电流容量和小的功率损耗。 为了接触前两层，该部件具有第一第二金属化接触平面，其将阶梯状结构压印在部件的第一表面上。 这些台阶的高度在10到20微米之间，宽度在20到300微米之间。 第一接触面的表面积和第二接触面的表面积之间的比率在1和4之间。第一层是重掺杂的，最大厚度为8μm，第二层是轻掺杂的， 最大厚度为40亩。 根据制造该组件的方法，本发明的表面结构基本上是通过具有单个铝掩模的反应离子蚀刻工艺制备的。

公开(公告)号：US4568586A

公开(公告)日：1986-02-04

申请号：US640814

申请日：1984-08-15

申请人： Jens Gobrecht

发明人： Jens Gobrecht

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  C04B37/02 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  B32B3/14

CPC分类号： H05K1/0271 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3733 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/09036 ,  H05K3/0061 ,  Y10S228/903 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T403/478 ,  Y10T428/166

摘要： A ceramic/metal element, in which a metal layer (1) is firmly bonded to a ceramic substrate (2) after cooling and consequent solidification of a previously liquid eutectic interlayer (3), wherein the metal layer (1) has at least approximately the same or a greater thickness (D) than the ceramic substrate (2) and is composed in the manner of a mosaic from individual, predominantly loosely adjoining metal elements (1). By using the composite structure of the present ceramic/metal element, fracture of the ceramic substrate and curvature of the composite ceramic/metal element is avoided.

摘要翻译： 一种陶瓷/金属元件，其中在冷却之后金属层（1）牢固地结合到陶瓷基板（2），并随后固化预先液体的共晶中间层（3），其中金属层（1）具有至少约 与陶瓷基板（2）相同或更大的厚度（D），并且以从单独的，主要是松散相邻的金属元件（1）的马赛克的方式构成。 通过使用本陶瓷/金属元件的复合结构，可以避免陶瓷基板的断裂和复合陶瓷/金属元件的曲率。

公开(公告)号：US4829348A

公开(公告)日：1989-05-09

申请号：US148136

申请日：1988-01-27

申请人： Bruno Broich ,  Jens Gobrecht ,  Peter Roggwiller ,  Jan Voboril

发明人： Bruno Broich ,  Jens Gobrecht ,  Peter Roggwiller ,  Jan Voboril

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/744 ,  H01L29/749

CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L29/102 ,  H01L29/7392 ,  H01L29/744

摘要： A field-controlled thyristor having a sequence of layers consisting of anode layer, channel layer and gate regions and cathode regions, which regions are alternately arranged at the cathode side, wherein an improvement in the turn-off gain is achieved by a p-type doping of the side walls of the troughs which separate the cathode regions from each other, and/or by an additional intermediate layer which has low p-type doping and which is arranged between adjacent gate regions.

摘要翻译： 具有由阳极层，沟道层和栅极区域和阴极区域组成的层序列的场控晶闸管，该区域在阴极侧交替布置，其中关断增益的改善通过p型 掺杂了将阴极区彼此分离的槽的侧壁和/或通过具有低p型掺杂并且布置在相邻栅极区之间的附加中间层的掺杂。

公开(公告)号：US4766481A

公开(公告)日：1988-08-23

申请号：US925414

申请日：1986-10-31

申请人： Jens Gobrecht ,  Reinhold Bayerer

发明人： Jens Gobrecht ,  Reinhold Bayerer

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H05K1/18 ,  H01L39/02

CPC分类号： H01L25/162 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111

摘要： A power semiconductor module includes a multi-layered substrate formed of a first ceramic bottom plate, at least one second ceramic plate disposed above and parallel to the first ceramic bottom plate, a metal foil in the form of a textured metallization located between and directly bonded to the ceramic plates, the second ceramic plate having cutouts formed therein, and assembly elements soldered in the cutouts.

摘要翻译： 功率半导体模块包括由第一陶瓷底板，设置在第一陶瓷底板上方并平行于第一陶瓷底板的至少一个第二陶瓷板的多层基板，位于其间并且直接结合的纹理金属化形式的金属箔 陶瓷板，其中形成有切口的第二陶瓷板和焊接在切口中的组装元件。

公开(公告)号：US4727454A

公开(公告)日：1988-02-23

申请号：US59135

申请日：1987-06-04

申请人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Jens Gobrecht

发明人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Jens Gobrecht

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/427 ,  H01L23/24

CPC分类号： H01L23/427 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/3011

摘要： A semiconductor power module includes a substrate formed of metallized ceramic, at least one semiconductor power component with a base surface soldered to the metallized ceramic, and at least one heat conduit integrated into the semiconductor power module. The heat conduit includes a condensation area having a larger surface than the base surface, over which dissipation heat from the semiconductor power component is distributed.

摘要翻译： 半导体功率模块包括由金属化陶瓷形成的衬底，具有焊接到金属化陶瓷的基底表面的至少一个半导体功率部件和集成到半导体功率模块中的至少一个热导管。 热导管包括具有比基部表面更大的表面的冷凝区域，来自半导体功率部件的耗散热分布在该冷凝区域上。

公开(公告)号：US4634495A

公开(公告)日：1987-01-06

申请号：US727429

申请日：1985-04-26

申请人： Jens Gobrecht ,  Marco Rossinelli

发明人： Jens Gobrecht ,  Marco Rossinelli

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/316 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/316 ,  Y10S438/945

摘要： In a dry etching process for patterning a substrate (2), an etching mask (4) consisting of a chemically deposited oxide, for example Al.sub.2 O.sub.3, is used and the etching is carried out in a fluorine-containing plasma. By this means, etching selectivities of more than 100 are achieved for a substrate (2) of silicon.

摘要翻译： 在用于图案化衬底（2）的干蚀刻工艺中，使用由化学沉积氧化物（例如Al 2 O 3）构成的蚀刻掩模（4），并且在含氟等离子体中进行蚀刻。 通过这种方式，对于硅的衬底（2）实现了大于100的蚀刻选择性。

公开(公告)号：US4591401A

公开(公告)日：1986-05-27

申请号：US625722

申请日：1984-06-28

申请人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Karl-Heinz Thiele ,  Georg Wahl ,  Jens Gobrecht

发明人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Karl-Heinz Thiele ,  Georg Wahl ,  Jens Gobrecht

IPC分类号： B23K1/19 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  B32B31/06 ,  B32B31/12 ,  B32B31/22

CPC分类号： H05K3/385 ,  C04B35/653 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/54 ,  H05K1/0306 ,  Y10S228/903 ,  Y10T156/1064

摘要： In directly bonding a metal to ceramics, in accordance with the invention, that surface of a metal component which is to be bonded by heating to a ceramic substrate is provided with parallel-running grooves before the preoxidation. The grooves make it possible to optimize the quantity of oxygen available at the bonding location and provide good flow behavior of the melt. As a result, a bond with good adhesion is obtained. Moreover, there is no formation of a thicker oxide layer on the free smooth surface of the metal component.

摘要翻译： 在将金属直接接合到陶瓷中时，根据本发明，通过加热到陶瓷基板而被接合的金属成分的表面在预氧化之前设置有平行的槽​​。 凹槽使得可以优化在接合位置处可用的氧气量并且提供熔体的良好的流动行为。 结果，获得了具有良好粘附性的粘结。 此外，在金属组分的自由光滑表面上没有形成更厚的氧化物层。