公开(公告)号：US09252251B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13330205

申请日：2011-12-19

申请人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

发明人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is disclosed. One embodiment includes a semiconductor body including a first semiconductor layer having at least one active component zone, a cell array with a plurality of trenches, and at least one cell array edge zone. The cell array edge zone is only arranged in an edge region of the cell array, adjoining at least one trench of the cell array, and being at least partially arranged below the at least one trench in the cell array.

摘要翻译： 公开了半导体部件。 一个实施例包括半导体本体，其包括具有至少一个有源分量区的第一半导体层，具有多个沟槽的单元阵列和至少一个单元阵列边缘区。 单元阵列边缘区域仅布置在单元阵列的边缘区域中，邻接单元阵列的至少一个沟槽，并且至少部分地布置在单元阵列中的至少一个沟槽的下方。

公开(公告)号：US08907408B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13429525

申请日：2012-03-26

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： A field-effect semiconductor device is provided. The field-effect semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface defining a vertical direction. In a vertical cross-section the field-effect semiconductor device further includes a vertical trench extending from the first surface into the semiconductor body. The vertical trench includes a field electrode, a cavity at least partly surrounded by the field electrode, and an insulation structure substantially surrounding at least the field electrode. Further, a method for producing a field-effect semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供场效应半导体器件。 场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体本体。 在垂直截面中，场效应半导体器件还包括从第一表面延伸到半导体本体中的垂直沟槽。 垂直沟槽包括场电极，至少部分地被场电极包围的空腔以及至少基本上围绕场电极的绝缘结构。 此外，提供了一种用于制造场效应半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20130334565A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13517661

申请日：2012-06-14

申请人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

发明人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/221 ,  H01L21/76889 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： Source zones of a first conductivity type and body zones of a second conductivity type are formed in a semiconductor die. The source zones directly adjoin a first surface of the semiconductor die. A dielectric layer adjoins the first surface. Polysilicon plugs extend through the dielectric layer and are electrically connected to the source and the body zones. An impurity source containing at least one metallic recombination element is provided in contact with deposited polycrystalline silicon material forming the polysilicon plugs and distant to the semiconductor die. Atoms of the metallic recombination element, for example platinum atoms, may be diffused out from the impurity source into the semiconductor die to reliably reduce the reverse recovery charge.

摘要翻译： 第一导电类型的源区和第二导电类型的体区形成在半导体管芯中。 源区直接邻接半导体管芯的第一表面。 介电层邻接第一表面。 多晶硅插头延伸穿过电介质层并且电连接到源极和体区。 提供含有至少一种金属复合元件的杂质源，其与形成多晶硅插塞并远离半导体管芯的沉积的多晶硅材料接触。 金属复合元件（例如铂原子）的原子可以从杂质源扩散到半导体管芯中以可靠地减少反向恢复电荷。

公开(公告)号：US08088660B1

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US12968817

申请日：2010-12-15

申请人： Ralf Siemieniec ,  Martin Henning Vielemeyer ,  Oliver Blank

发明人： Ralf Siemieniec ,  Martin Henning Vielemeyer ,  Oliver Blank

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4175 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： A method for producing an electrode in a semiconductor layer includes providing a substrate with a first surface and a second surface, forming a first trench having sidewalls and extending into the substrate from the first surface and forming a plug in the first trench. The method further includes reducing a thickness of the semiconductor substrate by removing semiconductor material beginning at the first surface so as to at least partially uncover sidewalls of the plug and forming a semiconductor layer on the semiconductor substrate, the semiconductor layer at least partially covering the uncovered sidewalls of the plug, and having an upper surface.

摘要翻译： 用于制造半导体层中的电极的方法包括：提供具有第一表面和第二表面的衬底，形成具有侧壁并从第一表面延伸到衬底中并在第一沟槽中形成插头的第一沟槽。 该方法还包括通过从第一表面开始去除半导体材料来减小半导体衬底的厚度，以便至少部分地露出插塞的侧壁并在半导体衬底上形成半导体层，半导体层至少部分地覆盖未覆盖 插头的侧壁，并具有上表面。

公开(公告)号：US08044459B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12268182

申请日：2008-11-10

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US07833862B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US12041391

申请日：2008-03-03

申请人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734

摘要： A semiconductor device and method. One embodiments provides a semiconductor substrate having a trench with a sidewall isolation comprising a first isolating material, a field electrode formed in lower portion of the trench, a cover comprising a second material above the field electrode, the second material being selectively etchable to the first isolating material, a gate dielectric on the sidewall in an upper portion of the trench and a gate electrode in the upper portion of the trench.

摘要翻译： 半导体器件和方法。 一个实施例提供了具有沟槽的半导体衬底，侧壁隔离包括第一隔离材料，形成在沟槽下部的场电极，覆盖在场电极上方的第二材料，第二材料可选择性地蚀刻到第一 隔离材料，在沟槽的上部中的侧壁上的栅极电介质和沟槽上部的栅电极。

公开(公告)号：US20100181641A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12355343

申请日：2009-01-16

申请人： Oliver Blank

发明人： Oliver Blank

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/71

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor and method for manufacturing a semiconductor device. In one embodiment the method includes providing a semiconductor substrate with a first substrate surface and at least one trench having at least one trench surface. The trench extends from the first substrate surface into the semiconductor substrate. The trench has a first trench section and a second trench section. The trench surface is exposed in an upper portion of the first and second trench sections and covered with a first insulating layer in a lower portion. A second insulating layer is formed at least on the exposed trench surface in the upper portion. A conductive layer is formed on the second insulating layer at least in the upper portion, wherein the second insulating layer electrically insulates the conductive layer from the semiconductor substrate. The conductive layer is removed in the first trench section without removing the conductive layer in the second trench section.

摘要翻译： 半导体装置及其制造方法。 在一个实施例中，该方法包括提供具有第一衬底表面的半导体衬底和具有至少一个沟槽表面的至少一个沟槽。 沟槽从第一衬底表面延伸到半导体衬底中。 沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分。 沟槽表面暴露在第一和第二沟槽部分的上部，并且在下部被第一绝缘层覆盖。 至少在上部的暴露的沟槽表面上形成第二绝缘层。 导电层至少在上部形成在第二绝缘层上，其中第二绝缘层使导电层与半导体衬底电绝缘。 在第一沟槽部分中去除导电层，而不去除第二沟槽部分中的导电层。

公开(公告)号：US09443972B2

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US13307465

申请日：2011-11-30

申请人： Oliver Blank

发明人： Oliver Blank

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8725

摘要： A method of producing a semiconductor device includes providing a semiconductor body having a first surface and a dielectric layer arranged on the first surface and forming at least one first trench in the dielectric layer. The at least one first trench extends to the semiconductor body and defines a dielectric mesa region in the dielectric layer. The method further includes forming a second trench in the dielectric mesa region distant to the at least one first trench, forming a semiconductor layer on uncovered regions of the semiconductor body in the at least one first trench and forming a field electrode in the second trench.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供具有布置在第一表面上的第一表面和电介质层的半导体本体，并在电介质层中形成至少一个第一沟槽。 所述至少一个第一沟槽延伸到所述半导体主体并限定所述电介质层中的电介质台面区域。 该方法还包括在远离至少一个第一沟槽的电介质台面区域中形成第二沟槽，在至少一个第一沟槽中的半导体本体的未覆盖区域上形成半导体层，并在第二沟槽中形成场电极。

公开(公告)号：US08884360B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US08796764B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12242195

申请日：2008-09-30

申请人： Oliver Blank ,  Uli Hiller

发明人： Oliver Blank ,  Uli Hiller

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a trench, a buried insulated source electrode arranged in a bottom portion of the trench, a first gate electrode and a second gate electrode arranged in an upper portion of the trench and spaced apart from one another. A surface gate contact extends into the upper portion of the trench and is in physical and electrical contact with the first gate electrode and second gate electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，沟槽，布置在沟槽的底部中的埋入绝缘源电极，布置在沟槽的上部并彼此间隔开的第一栅电极和第二栅电极。 表面栅极接触延伸到沟槽的上部，并与第一栅电极和第二栅电极物理和电接触。