公开(公告)号：US08558308B1

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13517658

申请日：2012-06-14

申请人： Oliver Blank ,  Michael Hutzler ,  David Laforet ,  Ralf Siemieniec

发明人： Oliver Blank ,  Michael Hutzler ,  David Laforet ,  Ralf Siemieniec

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

摘要： In a semiconductor die, source zones of a first conductivity type and body zones of a second conductivity type are formed. Both the source and the body zones adjoin a first surface of the semiconductor die in first sections. An impurity source is provided in contact with the first sections of the first surface. The impurity source is tempered so that atoms of a metallic recombination element diffuse out from the impurity source into the semiconductor die. Then impurities of the second conductivity type are introduced into the semiconductor die to form body contact zones between two neighboring source zones, respectively. The atoms of the metallic recombination element reduce the reverse recovery charge in the semiconductor die. Providing the body contact zones after tempering the platinum source provides uniform and reliable body contacts.

摘要翻译： 在半导体管芯中，形成第一导电类型的源区和第二导电类型的体区。 在第一部分中源极体区域和主体区域都与半导体管芯的第一表面邻接。 提供与第一表面的第一部分接触的杂质源。 杂质源被回火，使得金属复合元件的原子从杂质源扩散到半导体管芯中。 然后将第二导电类型的杂质引入到半导体管芯中，以在两个相邻源极区之间分别形成接触区。 金属复合元件的原子减少半导体晶片中的反向恢复电荷。 在铂源回火后提供身体接触区域提供均匀可靠的身体接触。

公开(公告)号：US08975662B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US13517661

申请日：2012-06-14

申请人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

发明人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/221 ,  H01L21/76889 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： Source zones of a first conductivity type and body zones of a second conductivity type are formed in a semiconductor die. The source zones directly adjoin a first surface of the semiconductor die. A dielectric layer adjoins the first surface. Polysilicon plugs extend through the dielectric layer and are electrically connected to the source and the body zones. An impurity source containing at least one metallic recombination element is provided in contact with deposited polycrystalline silicon material forming the polysilicon plugs and distant to the semiconductor die. Atoms of the metallic recombination element, for example platinum atoms, may be diffused out from the impurity source into the semiconductor die to reliably reduce the reverse recovery charge.

摘要翻译： 第一导电类型的源区和第二导电类型的体区形成在半导体管芯中。 源区直接邻接半导体管芯的第一表面。 介电层邻接第一表面。 多晶硅插头延伸穿过电介质层并且电连接到源极和体区。 提供含有至少一种金属复合元件的杂质源，其与形成多晶硅插塞并远离半导体管芯的沉积的多晶硅材料接触。 金属复合元件（例如铂原子）的原子可以从杂质源扩散到半导体管芯中以可靠地减少反向恢复电荷。

公开(公告)号：US20130248993A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429525

申请日：2012-03-26

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： A field-effect semiconductor device is provided. The field-effect semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface defining a vertical direction. In a vertical cross-section the field-effect semiconductor device further includes a vertical trench extending from the first surface into the semiconductor body. The vertical trench includes a field electrode, a cavity at least partly surrounded by the field electrode, and an insulation structure substantially surrounding at least the field electrode. Further, a method for producing a field-effect semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供场效应半导体器件。 场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体本体。 在垂直截面中，场效应半导体器件还包括从第一表面延伸到半导体本体中的垂直沟槽。 垂直沟槽包括场电极，至少部分地被场电极包围的空腔以及至少基本上围绕场电极的绝缘结构。 此外，提供了一种用于制造场效应半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08907408B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13429525

申请日：2012-03-26

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Johannes Baumgartl ,  Anton Mauder ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Michael Hutzler

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7843

摘要： A field-effect semiconductor device is provided. The field-effect semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface defining a vertical direction. In a vertical cross-section the field-effect semiconductor device further includes a vertical trench extending from the first surface into the semiconductor body. The vertical trench includes a field electrode, a cavity at least partly surrounded by the field electrode, and an insulation structure substantially surrounding at least the field electrode. Further, a method for producing a field-effect semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供场效应半导体器件。 场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体本体。 在垂直截面中，场效应半导体器件还包括从第一表面延伸到半导体本体中的垂直沟槽。 垂直沟槽包括场电极，至少部分地被场电极包围的空腔以及至少基本上围绕场电极的绝缘结构。 此外，提供了一种用于制造场效应半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20130334565A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13517661

申请日：2012-06-14

申请人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

发明人： Michael Hutzler ,  Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/221 ,  H01L21/76889 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： Source zones of a first conductivity type and body zones of a second conductivity type are formed in a semiconductor die. The source zones directly adjoin a first surface of the semiconductor die. A dielectric layer adjoins the first surface. Polysilicon plugs extend through the dielectric layer and are electrically connected to the source and the body zones. An impurity source containing at least one metallic recombination element is provided in contact with deposited polycrystalline silicon material forming the polysilicon plugs and distant to the semiconductor die. Atoms of the metallic recombination element, for example platinum atoms, may be diffused out from the impurity source into the semiconductor die to reliably reduce the reverse recovery charge.

摘要翻译： 第一导电类型的源区和第二导电类型的体区形成在半导体管芯中。 源区直接邻接半导体管芯的第一表面。 介电层邻接第一表面。 多晶硅插头延伸穿过电介质层并且电连接到源极和体区。 提供含有至少一种金属复合元件的杂质源，其与形成多晶硅插塞并远离半导体管芯的沉积的多晶硅材料接触。 金属复合元件（例如铂原子）的原子可以从杂质源扩散到半导体管芯中以可靠地减少反向恢复电荷。

公开(公告)号：US08884360B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13404161

申请日：2012-02-24

申请人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Siemieniec ,  Oliver Blank ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device includes a first contact in low Ohmic contact with a source region of the device and a first portion of a body region of the device formed in an active area of the device, and a second contact in low Ohmic contact with a second portion of the body region formed in a peripheral area of the device. The minimum width of the second contact at a first surface of the device is larger than the minimum width of the first contact at the first surface so that maximum current density during commutating the semiconductor device is reduced and thus the risk of device damage during hard commutating is also reduced.

摘要翻译： 半导体器件包括与器件的源极区域的低欧姆接触的第一接触和形成在器件的有源区域中的器件的体区的第一部分，以及与第二部分的低欧姆接触的第二接触 形成在装置的周边区域中的身体区域。 器件第一表面处的第二触点的最小宽度大于第一表面处的第一接触的最小宽度，使得在半导体器件的整流期间的最大电流密度降低，并且因此在硬整流期间器件损坏的风险 也减少了。

公开(公告)号：US20120153386A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13330205

申请日：2011-12-19

申请人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

发明人： Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Christian Geissler ,  Oliver Blank ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is disclosed. One embodiment includes a semiconductor body including a first semiconductor layer having at least one active component zone, a cell array with a plurality of trenches, and at least one cell array edge zone. The cell array edge zone is only arranged in an edge region of the cell array, adjoining at least one trench of the cell array, and being at least partially arranged below the at least one trench in the cell array.

摘要翻译： 公开了半导体部件。 一个实施例包括半导体本体，其包括具有至少一个有源分量区的第一半导体层，具有多个沟槽的单元阵列和至少一个单元阵列边缘区。 单元阵列边缘区域仅布置在单元阵列的边缘区域中，邻接单元阵列的至少一个沟槽，并且至少部分地布置在单元阵列中的至少一个沟槽的下方。

公开(公告)号：US08487370B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12847537

申请日：2010-07-30

申请人： Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Martin Poelzl ,  Maximilian Roesch

发明人： Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Martin Poelzl ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body including a trench with first and second opposing sidewalls. A first electrode is arranged in a lower portion of the trench and a second electrode in an upper portion of the trench. A dielectric structure is arranged in the trench, including a first portion between the electrodes. The first portion includes, in sequence along a lateral direction from the first sidewall to the second sidewall, a first part including a first dielectric material, a second part including a second dielectric material selectively etchable to the first dielectric material, a third part including the first dielectric material, the first dielectric material of the third part being continuously arranged along a vertical direction from a top side of the first electrode to a bottom side of the second electrode, a fourth part including the second dielectric material and a fifth part including the first dielectric material.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体本体，其包括具有第一和第二相对侧壁的沟槽。 第一电极布置在沟槽的下部，沟槽的上部设有第二电极。 电介质结构布置在沟槽中，包括电极之间的第一部分。 第一部分沿着从第一侧壁到第二侧壁的横向方向依次包括第一部分，包括第一介电材料，第二部分包括可选择性地蚀刻到第一电介质材料的第二介电材料，第三部分包括第 第一电介质材料，第三部分的第一介电材料沿着垂直方向从第一电极的顶侧到第二电极的底侧连续地布置，第四部分包括第二电介质材料，第五部分包括第 第一介电材料。

公开(公告)号：US08362551B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US08114743B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12961996

申请日：2010-12-07

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。