公开(公告)号：US20080106685A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11897769

申请日：2007-08-31

申请人： Seung-Ha Choi ,  Min-Seok Oh ,  Sang-Gab Kim ,  Jae-Ho Choi ,  Yu-Gwang Jeong

发明人： Seung-Ha Choi ,  Min-Seok Oh ,  Sang-Gab Kim ,  Jae-Ho Choi ,  Yu-Gwang Jeong

IPC分类号： G02F1/133

CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A method for forming a liquid crystal display device includes several regions. After forming a gate line layer, a gate insulator, a semiconductor layer, a data layer and a photoresist layer, a mask is used to define a plurality of regions in the photoresist layer. Certain of the regions have different thickness of the photoresist layer after developing. While exposing the gate pad and data pad, etching process is applied over both the gate pad and data pad at the same time. Then, a passivation layer is deposited over the gate pad and the data pad which are exposed via contact hole. While forming the other contact hole in the coating layer, both the data pad and the gate pad can be exposed to etching process within the same time period.

摘要翻译： 一种形成液晶显示装置的方法包括几个区域。 在形成栅极线层，栅极绝缘体，半导体层，数据层和光致抗蚀剂层之后，使用掩模来限定光致抗蚀剂层中的多个区域。 某些区域在显影后具有不同的光致抗蚀剂层的厚度。 在暴露栅极焊盘和数据焊盘的同时，在栅极焊盘和数据焊盘上同时施加蚀刻工艺。 然后，钝化层沉积在通过接触孔暴露的栅极焊盘和数据焊盘上。 同时在涂层中形成另一个接触孔，数据焊盘和栅极焊盘都可以在同一时间段内暴露于蚀刻过程。

公开(公告)号：US20080087633A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11870806

申请日：2007-10-11

申请人： Min-Seok OH ,  Sang-Gab Kim ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Shin-II Choi

发明人： Min-Seok OH ,  Sang-Gab Kim ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Shin-II Choi

IPC分类号： C23F1/12

CPC分类号： C23F1/12 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： A method for forming a metal line includes sequentially depositing a low-resistivity metal layer having aluminum on a base substrate and an upper layer having molybdenum on the low-resistivity metal layer, forming a photoresist pattern having a linear shape on the upper layer, etching the upper layer via a mixed gas using the photoresist pattern as a mask, the mixed gas including a chlorine based gas mixed with an additional gas having at least one of nitrogen gas, argon gas, helium gas and sulfur hexafluoride gas, and etching the low-resistivity metal layer using the photoresist pattern as the mask thereby removing any stringer that may be caused by a residue of the low-resistivity metal layer.

摘要翻译： 一种形成金属线的方法包括在低电阻率金属层上顺次沉积具有铝的低电阻率金属层，在低电阻金属层上形成具有线性形状的光致抗蚀剂图案，蚀刻 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模的混合气体的上层，所述混合气体包括与具有氮气，氩气，氦气和六氟化硫气体中的至少一种的附加气体混合的氯基气体，并且蚀刻低 使用光致抗蚀剂图案作为掩模，从而去除可能由低电阻率金属层的残留物引起的任何桁条。

公开(公告)号：US08836877B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13277114

申请日：2011-10-19

申请人： Seung-Ha Choi ,  Kyoung-Jae Chung ,  Woo-Geun Lee

发明人： Seung-Ha Choi ,  Kyoung-Jae Chung ,  Woo-Geun Lee

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/3086 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： Provided are a display substrate, a display device, and a method of manufacturing the display substrate. The display substrate includes: a substrate in which a pixel region is defined; a gate electrode and a gate pad are formed on the substrate; a gate insulating layer formed on the gate electrode and the gate pad; a buffer layer pattern overlaps the gate electrode and is formed on the gate insulating layer; an insulating film pattern formed on the buffer layer pattern; an oxide semiconductor pattern formed on the insulating film pattern; a source electrode formed on the oxide semiconductor pattern; and a drain electrode formed on the oxide semiconductor pattern and is separated from the source electrode.

摘要翻译： 提供了显示基板，显示装置和制造显示基板的方法。 显示基板包括：限定像素区域的基板; 在基板上形成栅电极和栅极焊盘; 形成在栅极电极和栅极焊盘上的栅极绝缘层; 缓冲层图案与栅电极重叠并形成在栅极绝缘层上; 形成在缓冲层图案上的绝缘膜图案; 形成在所述绝缘膜图案上的氧化物半导体图案; 形成在所述氧化物半导体图案上的源电极; 以及形成在氧化物半导体图案上并与源电极分离的漏电极。

公开(公告)号：US08723179B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US12957743

申请日：2010-12-01

申请人： Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim ,  Hye-Young Ryu ,  Woo-Geun Lee ,  Seung-Ha Choi ,  Jae-Hyoung Youn ,  Kyoung-Jae Chung ,  Young-Wook Lee ,  Je-Hun Lee ,  Kap-Soo Yoon ,  Do-Hyun Kim ,  Dong-Ju Yang ,  Young-Joo Choi

发明人： Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim ,  Hye-Young Ryu ,  Woo-Geun Lee ,  Seung-Ha Choi ,  Jae-Hyoung Youn ,  Kyoung-Jae Chung ,  Young-Wook Lee ,  Je-Hun Lee ,  Kap-Soo Yoon ,  Do-Hyun Kim ,  Dong-Ju Yang ,  Young-Joo Choi

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L29/41733 ,  H01L21/44 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/475 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor panel includes an insulating substrate, a gate insulating layer disposed on the insulating substrate, an oxide semiconductor layer disposed on the gate insulating layer, an etch stopper disposed on the oxide semiconductor layer, and a source electrode and a drain electrode disposed on the etch stopper.

摘要翻译： 薄膜晶体管面板包括绝缘基板，设置在绝缘基板上的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层上的氧化物半导体层，设置在氧化物半导体层上的蚀刻停止器，以及设置在源极电极和漏极上的 在蚀刻停止器上。

公开(公告)号：US08643012B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12952744

申请日：2010-11-23

申请人： Min-Seok Oh ,  Bong-Kyu Shin ,  Sang-Gab Kim ,  Eun-Guk Lee ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

发明人： Min-Seok Oh ,  Bong-Kyu Shin ,  Sang-Gab Kim ,  Eun-Guk Lee ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F1/13439 ,  G02F2201/50

摘要： A method of forming a display substrate includes forming an array layer on a substrate, forming a passivation layer on the array layer, forming a photoresist pattern on the passivation layer corresponding to a gate line, a source line and a thin-film transistor of the array layer, etching the passivation layer using the photoresist pattern as a mask, Non-uniformly surface treating a surface of the photoresist pattern, forming a transparent electrode layer on the substrate having the surface-treated photoresist pattern formed thereon and forming a pixel electrode. The forming a pixel electrode includes removing the photoresist pattern and the transparent electrode layer, such as by infiltrating a strip solution into the surface-treated photoresist pattern.

摘要翻译： 形成显示基板的方法包括在基板上形成阵列层，在阵列层上形成钝化层，在对应于栅极线，源极线和薄膜晶体管的钝化层上形成光致抗蚀剂图案 使用光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻钝化层，对光致抗蚀剂图案的表面进行不均匀的表面处理，在其上形成有表面处理的光致抗蚀剂图案的基板上形成透明电极层并形成像素电极。 形成像素电极包括通过将带状溶液浸入表面处理的光致抗蚀剂图案中去除光致抗蚀剂图案和透明电极层。

公开(公告)号：US20130048994A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13590845

申请日：2012-08-21

申请人： Shin-Il CHOI ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong-Sick PARK ,  Seung-Ha CHOI

发明人： Shin-Il CHOI ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong-Sick PARK ,  Seung-Ha CHOI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L23/48 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： A Thin Film Transistor (TFT) has a capping layer disposed on the surface of at least one of source and drain electrodes on a substrate, a protective film disposed on the capping layer, and a conductive layer electrically connected to the capping layer via a contact hole formed in the protective layer film.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）具有设置在基板上的源电极和漏电极中的至少一个的表面上的覆盖层，设置在覆盖层上的保护膜，以及通过触点电连接到覆盖层的导电层 孔形成在保护层膜中。

公开(公告)号：US08273612B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12981287

申请日：2010-12-29

申请人： Min-Seok Oh ,  Yang-Ho Bae ,  Pil-Sang Yun ,  Byeong-Beom Kim ,  Seung-Ha Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Chang-Ho Jeong ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang

发明人： Min-Seok Oh ,  Yang-Ho Bae ,  Pil-Sang Yun ,  Byeong-Beom Kim ,  Seung-Ha Choi ,  Sang-Gab Kim ,  Chang-Ho Jeong ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： In a display panel and a method of manufacturing the display panel, a gate line, a data line, and source and drain electrodes including a same material as the data line are formed on a substrate constituting the display panel, and the data line includes an aluminum based alloy containing sufficient nickel to inhibit corrosion during dry etching. The corrosion resistance of the AlNi-containing alloy helps prevent corrosion of the data line, the source electrode, and the drain electrode during selective dry etching that shapes these lines and electrodes.

摘要翻译： 在显示面板和制造显示面板的方法中，在构成显示面板的基板上形成包括与数据线相同材料的栅极线，数据线以及源极和漏极，并且数据线包括 铝基合金含有足够的镍以在干蚀刻期间抑制腐蚀。 含有AlNi的合金的耐腐蚀性有助于防止在形成这些线和电极的选择性干蚀刻期间数据线，源电极和漏电极的腐蚀。

公开(公告)号：US20120228604A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13400931

申请日：2012-02-21

申请人： Seung-Ha CHOI ,  Sung Haeng CHO ,  Woo Geun LEE ,  Kap Soo YOON ,  Sho Yeon KIM

发明人： Seung-Ha CHOI ,  Sung Haeng CHO ,  Woo Geun LEE ,  Kap Soo YOON ,  Sho Yeon KIM

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288

摘要： A thin film transistor array panel includes a gate electrode on an insulating substrate, a gate insulating layer on the gate electrode, a semiconductor on the gate insulating layer, a thin film transistor including a source electrode and a drain electrode on the oxide semiconductor, and a pixel electrode which is connected to the drain electrode. The semiconductor includes a first layer having a relatively low fluorine content and a second layer having a relatively high fluorine content. The second layer of the semiconductor is only between the first layer of the semiconductor and the source electrode, and between the first layer of the semiconductor and the drain electrode.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括绝缘基板上的栅极电极，栅电极上的栅极绝缘层，栅极绝缘层上的半导体，氧化物半导体上包括源电极和漏电极的薄膜晶体管，以及 连接到漏电极的像素电极。 半导体包括具有相对低的氟含量的第一层和具有相对高的氟含量的第二层。 半导体的第二层仅在半导体的第一层和源电极之间以及半导体的第一层和漏电极之间。

公开(公告)号：US20120037911A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13205132

申请日：2011-08-08

申请人： Ki-Won Kim ,  Kyoung-Jae Chung ,  Hye-Young Ryu ,  Young-Joo Choi ,  Seung-Ha Choi ,  Kap-Soo Yoon

发明人： Ki-Won Kim ,  Kyoung-Jae Chung ,  Hye-Young Ryu ,  Young-Joo Choi ,  Seung-Ha Choi ,  Kap-Soo Yoon

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A display substrate includes a gate wire formed on an insulating substrate, a semiconductor pattern formed on the gate wire and containing a metal oxynitride compound, and a data wire formed on the semiconductor pattern to cross the gate wire. The semiconductor pattern has a carrier number density ranging from 1016/cm3 to 1019/cm3.

摘要翻译： 显示基板包括形成在绝缘基板上的栅极线，形成在栅极线上并含有金属氮氧化合物的半导体图案，以及形成在半导体图案上以跨过栅极线的数据线。 半导体图案的载体数密度范围为1016 / cm3至1019 / cm3。

公开(公告)号：US20120037906A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13115088

申请日：2011-05-24

申请人： Hye-Young RYU ,  Woo-Geun LEE ,  Young-Joo CHOI ,  Kyoung-Jae CHUNG ,  Jin-Won LEE ,  Seung-Ha CHOI ,  Hee-Jun BYEON ,  Pil-Sang YUN

发明人： Hye-Young RYU ,  Woo-Geun LEE ,  Young-Joo CHOI ,  Kyoung-Jae CHUNG ,  Jin-Won LEE ,  Seung-Ha CHOI ,  Hee-Jun BYEON ,  Pil-Sang YUN

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

摘要： A thin film transistor array substrate capable of reducing degradation of a device due to degradation of an oxide semiconductor pattern and a method of fabricating the same are provided. The thin film transistor array substrate may include an insulating substrate on which a gate electrode is formed, a gate insulating film formed on the insulating substrate, an oxide semiconductor pattern disposed on the gate insulating film, an anti-etching pattern formed on the oxide semiconductor pattern, and a source electrode and a drain electrode formed on the anti-etching pattern. The oxide semiconductor pattern may include an edge portion positioned between the source electrode and the drain electrode, and the edge portion may include at least one conductive region and at least one non-conductive region.

摘要翻译： 提供了能够降低由于氧化物半导体图案的劣化引起的器件劣化的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。 薄膜晶体管阵列基板可以包括其上形成有栅极的绝缘基板，形成在绝缘基板上的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的氧化物半导体图案，形成在氧化物半导体上的抗蚀刻图案 图案，以及形成在防蚀刻图案上的源电极和漏电极。 氧化物半导体图案可以包括位于源电极和漏电极之间的边缘部分，并且边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个非导电区域。