公开(公告)号：US20060131574A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11182572

申请日：2005-07-15

申请人： Han Young Yu ,  Ung Hwan Pi ,  Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi

发明人： Han Young Yu ,  Ung Hwan Pi ,  Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/58

CPC分类号： G01L21/12

摘要： Provided are a nanowire sensor and a method of manufacturing the same. The nanowire sensor includes: a sensing target system comprising a target element to be detected; two electrodes separated from each other contained in the sensing target system; vanadium oxide (V2O5) nanowires incorporated in the sensing target system and attached to the two electrodes; and a measuring unit for measuring a change in resistance of the nanowires as the nanowires detect the target element.

摘要翻译： 提供一种纳米线传感器及其制造方法。 纳米线传感器包括：感测目标系统，包括要检测的目标元件; 包含在感测目标系统中的彼此分开的两个电极; 氧化钒（V 2 O 5 O）纳米线并入感测目标系统并连接到两个电极上; 以及测量单元，用于当纳米线检测到目标元件时测量纳米线的电阻变化。

公开(公告)号：US08890767B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13431142

申请日：2012-03-27

申请人： Choon Gi Choi ,  Muhan Choi ,  Sung-Yool Choi

发明人： Choon Gi Choi ,  Muhan Choi ,  Sung-Yool Choi

IPC分类号： G02B27/00 ,  H01Q15/00

CPC分类号： H01Q15/0086 ,  Y10S977/734

摘要： Provided are an active metamaterial device operating at a high speed and a manufacturing method thereof. The active metamaterial device includes a first dielectric layer, a lower electrode disposed on the first dielectric layer, a second dielectric layer disposed on the lower electrode, metamaterial patterns disposed on the second dielectric layer, a couple layer disposed on the metamaterial patterns and the second dielectric layer, a third dielectric layer disposed on the couple layer, and an upper electrode disposed on the third dielectric layer.

摘要翻译： 提供了以高速运转的活性超材料装置及其制造方法。 活性超材料装置包括第一电介质层，设置在第一电介质层上的下电极，设置在下电极上的第二电介质层，设置在第二电介质层上的超材料图案，设置在超材料图案上的耦合层，第二介电层 电介质层，设置在所述耦合层上的第三电介质层，以及设置在所述第三电介质层上的上电极。

公开(公告)号：US20110133152A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12835265

申请日：2010-07-13

申请人： Sung-Yool CHOI

发明人： Sung-Yool CHOI

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

摘要： A resistive memory device is provided. The resistive memory device includes a bottom electrode, a resistance-variable layer, and a top electrode. The resistance-variable layer is disposed on the bottom electrode. The top electrode is disposed on the resistance-variable layer. The resistance-variable layer includes a conductive polymer layer that reacts with the top electrode to form an oxide layer.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件。 电阻式存储器件包括底部电极，电阻变化层和顶部电极。 电阻变化层设置在底部电极上。 顶部电极设置在电阻变化层上。 电阻变化层包括与顶部电极反应形成氧化物层的导电聚合物层。

公开(公告)号：US20090146136A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12195289

申请日：2008-08-20

申请人： Sung Yool CHOI ,  Sung Soo Bae ,  Hey Jin Myoung

发明人： Sung Yool CHOI ,  Sung Soo Bae ,  Hey Jin Myoung

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0591 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/15 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0047

摘要： Provided are a highly integrated organic memory device and a method of fabricating the same. The device includes an insulating substrate, a lower electrode disposed on the insulating substrate, an electron channel layer disposed on the lower electrode, and an upper electrode disposed on the electron channel layer. A bulk heterojunction formed of an electron-donor/electron-acceptor polymer is used as the electron channel layer having electrical bistability. Thus, a highly integrated organic memory device can be formed by a simple fabrication process.

摘要翻译： 提供了一种高度集成的有机存储器件及其制造方法。 该装置包括绝缘基板，设置在绝缘基板上的下电极，设置在下电极上的电子通道层和设置在电子通道层上的上电极。 使用由电子给体/电子受体聚合物形成的本体异质结作为具有电双稳性的电子通道层。 因此，通过简单的制造工艺可以形成高度集成的有机存储器件。

公开(公告)号：US07413973B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US11510608

申请日：2006-08-28

申请人： Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Sang Ouk Ryu ,  Han Young Yu ,  Ung Hwan Pi ,  Tae Hyoung Zyung

发明人： Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Sang Ouk Ryu ,  Han Young Yu ,  Ung Hwan Pi ,  Tae Hyoung Zyung

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L51/0023 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/781 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/932

摘要： Provided is a method for manufacturing a nano-gap electrode device comprising the steps of: forming a first electrode on a substrate; forming a spacer on a sidewall of the first electrode; forming a second electrode on an exposed substrate at a side of the spacer; and forming a nano-gap between the first electrode and the second electrode by removing the spacer, whereby it is possible to control the nano-gap position, width, shape, and etc., reproducibly, and manufacture a plurality of nano-gap electrode devices at the same time.

摘要翻译： 提供一种纳米间隙电极器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极; 在所述第一电极的侧壁上形成间隔物; 在所述间隔物的一侧的暴露的基板上形成第二电极; 并且通过去除间隔物在第一电极和第二电极之间形成纳米间隙，从而可以可再现地控制纳米间隙位置，宽度，形状等，并且制造多个纳米间隙电极 设备同时进行。

公开(公告)号：US06605894B2

公开(公告)日：2003-08-12

申请号：US09871992

申请日：2001-05-31

申请人： Sung Yool Choi ,  Kyoung Ik Cho

发明人： Sung Yool Choi ,  Kyoung Ik Cho

IPC分类号： H01J162

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/939

摘要： A field emission device using carbon nanotubes grown in a direction parallel to a substrate and a method of manufacturing a high definition field emission display using an edge emitting luminescent thin film. The device includes a process of selectively depositing a metal catalyst on a sidewall of the pattern to grow the carbon nanotube in a direction parallel to the metal catalyst and a process of attaching the grown carbon nanotube on the main board by application process, so that it can be freely applied in a subsequent process. The device employs a carbon nanotube field emission emitter and an edge emitting in a high fine luminescent body deposited in a thin film type. Thus, a close relationship with the substrate can be maintained due to the horizontally grown carbon nanotubes, a subsequent semiconductor process can be freely applied using a thin film type luminescent body, and a high fine field emission display can be thus manufactured.

公开(公告)号：US20120080656A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13200644

申请日：2011-09-28

申请人： Sung Yool Choi ,  Jong Yun Kim ,  Hu Young Jeong

发明人： Sung Yool Choi ,  Jong Yun Kim ,  Hu Young Jeong

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239 ,  B82Y99/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/80 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0591

摘要： A graphene oxide memory device includes a substrate, a lower electrode disposed on the substrate, an electron channel layer disposed on the lower electrode by using a graphene oxide, and an upper electrode disposed on the electron channel layer.

摘要翻译： 石墨烯氧化物存储器件包括衬底，设置在衬底上的下电极，通过使用氧化石墨烯设置在下电极上的电子通道层和设置在电子通道层上的上电极。

公开(公告)号：US20100155684A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12479640

申请日：2009-06-05

申请人： Sung-Yool CHOI ,  Hu-Young Jeong ,  In-Kyu You ,  Kyoung-Ik Cho

发明人： Sung-Yool CHOI ,  Hu-Young Jeong ,  In-Kyu You ,  Kyoung-Ik Cho

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/165

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of forming the non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a substrate, a lower electrode on the substrate, a diffusion barrier preventing the diffusion of a space charge on the lower electrode, a charge storage layer having a space charge limited characteristic on the diffusion barrier, and an upper electrode on the charge storage layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件和形成非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括衬底，衬底上的下电极，阻止下电极上的空间电荷的扩散的扩散阻挡层，在扩散阻挡层上具有空间电荷限制特性的电荷存储层，以及上部 电极在电荷存储层上。

公开(公告)号：US07436033B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11135285

申请日：2005-05-24

申请人： Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Han Young Yu ,  Ung Hwan Pi

发明人： Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Han Young Yu ,  Ung Hwan Pi

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00 ,  H01L27/01

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

摘要： A tri-gated molecular field effect transistor includes a gate electrode formed on a substrate and having grooves in a source region, a drain region and a channel region, and at least one molecule inserted between the source and drain electrodes in the channel region. The effects of the gate voltage on electrons passing through the channel can be maximized, and a variation gain of current supplied between the source and drain electrodes relative to the gate voltage can be greatly increased. Thus, a molecular electronic circuit having high functionality and reliability can be obtained.

摘要翻译： 三门分子场效应晶体管包括形成在衬底上的栅电极，在源极区，漏区和沟道区中具有沟槽，以及至少一个分子插入在沟道区中的源极和漏极之间。 可以使栅极电压对通过沟道的电子的影响最大化，并且可以大大提高源极和漏极之间相对于栅极电压提供的电流的变化增益。 因此，可以获得具有高功能性和可靠性的分子电子电路。

公开(公告)号：US20070126045A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11607500

申请日：2006-12-01

申请人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

发明人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01G7/06 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： A memory device including a dielectric thin film having a plurality of dielectric layers and a method of manufacturing the same are provided. The memory device includes: a bottom electrode; at least one dielectric thin film disposed on the bottom electrode and having a plurality of dielectric layers with different charge trap densities from each other; and an top electrode disposed on the dielectric thin film. Therefore, a memory device, which can be readily manufactured by a simple process and can be highly integrated using its simple structure, can be provided.

摘要翻译： 提供了包括具有多个电介质层的电介质薄膜及其制造方法的存储器件。 存储器件包括：底部电极; 至少一个电介质薄膜，其设置在所述底部电极上并且具有彼此具有不同电荷陷阱密度的多个电介质层; 以及设置在电介质薄膜上的顶部电极。 因此，可以提供可以容易地通过简单的过程制造并且可以使用其简单的结构高度集成的存储器件。