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11.发明授权Heteroleptic cyclopentadienyl transition metal precursors for deposition of transition metal-containing films 有权用于沉积含过渡金属的膜的杂环戊二烯基过渡金属前体公开(公告)号：US08298616B2
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：US12509024
申请日：2009-07-24
IPC分类号： B05D3/02
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45553
摘要： Methods and compositions for depositing a film on one or more substrates include providing a reactor with at least one substrate disposed in the reactor. At least one metal precursor are provided and at least partially deposited onto the substrate to form a metal-containing film.
摘要翻译： 在一个或多个基底上沉积膜的方法和组合物包括提供反应器中设置有至少一个底物的反应器。 提供至少一种金属前体并且至少部分地沉积到基底上以形成含金属的膜。
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12.发明申请METHODS FOR SYNTHESIS OF HETEROLEPTIC CYCLOPENTADIENYL TRANSITION METAL PRECURSORS 失效合成环己基二亚甲基转移金属前体的方法公开(公告)号：US20100022790A1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：US12509052
申请日：2009-07-24
IPC分类号： C07F15/04
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45553
摘要： Methods for forming heteroleptic amidinate or guanidinate cyclopentadienyl containing transition metal precursors through synthesis reactions.
摘要翻译： 通过合成反应形成含有杂芳基脒基或胍基环戊二烯基的过渡金属前体的方法。
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13.发明授权Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films and methods thereof 有权用于沉积含铜膜的双 - 酮亚胺铜前体及其方法公开(公告)号：US09121093B2
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：US13383343
申请日：2010-07-09
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45542 , C23C16/45553
摘要： Disclosed are processes for the use of bis-ketoiminate copper precursors for the deposition of copper-containing films via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
摘要翻译： 公开了通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积含铜膜的双酮亚胺铜前体的使用方法。
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公开(公告)号：US08367531B1
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：US13041154
申请日：2011-03-04
IPC分类号： H01L21/425
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/3171 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/2658
摘要： The present invention provides molecules useful for aluminum implant in semiconductor materials. The molecules can be used in various doping techniques such as ion implant, plasma doping or derivates methods.
摘要翻译： 本发明提供了可用于半导体材料中的铝植入物的分子。 分子可用于各种掺杂技术，例如离子注入，等离子体掺杂或衍生物方法。
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公开(公告)号：US09514959B2
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：US14439831
申请日：2013-10-30
申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , Curtis Anderson , Rahul Gupta , Vincent M. Omarjee , Nathan Stafford , Christian Dussarrat
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , C07C21/18 , C07C23/06
CPC分类号： H01L21/32139 , C07C17/263 , C07C19/08 , C07C21/18 , C07C23/06 , C07C2601/04 , H01L21/02315 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137
摘要： Etching gases are disclosed for plasma etching channel holes, gate trenches, staircase contacts, capacitor holes, contact holes, etc., in Si-containing layers on a substrate and plasma etching methods of using the same. The etching gases are trans-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; cis-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; hexafluoroisobutene; hexafluorocyclobutane (trans-1,1,2,2,3,4); pentafluorocyclobutane (1,1,2,2,3-); tetrafluorocyclobutane (1,1,2,2-); or hexafluorocyclobutane (cis-1,1,2,2,3,4). The etching gases may provide improved selectivity between the Si-containing layers and mask material, less damage to channel region, a straight vertical profile, and reduced bowing in pattern high aspect ratio structures.
摘要翻译： 公开了用于等离子体蚀刻通道孔，栅极沟槽，阶梯接触，电容器孔，接触孔等的衬底上的含Si层中的蚀刻气体，以及使用其的等离子体蚀刻方法。 蚀刻气体是反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 顺式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 六氟异丁烯 六氟环丁烷（反式-1,1,2,2,3,4）; 五氟环丁烷（1,1,2,2,3-）; 四氟环丁烷（1,1,2,2-）; 或六氟环丁烷（顺式-1,1,2,2,3,4）。 蚀刻气体可以在含Si层和掩模材料之间提供改进的选择性，对通道区域的损害更小，直的垂直剖面，以及图案高纵横比结构中的弯曲减小。
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16.发明授权公开(公告)号：US09045509B2
公开(公告)日：2015-06-02
申请号：US13390452
申请日：2010-08-13
摘要： Disclosed are hafnium- and zirconium-containing precursors and methods of providing the same. The disclosed precursors include a ligand and at least one aliphatic group as substituent selected to have greater degrees of freedom than the usual substituents. The disclosed precursors may be used to deposit hafnium- or zirconium-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
摘要翻译： 公开了含铪和锆的前体及其提供方法。 所公开的前体包括配体和至少一个选自具有比通常取代基更大的自由度的取代基的脂族基团。 所公开的前体可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含铪层或含锆层。
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17.发明申请BIS-KETOIMINATE COPPER PRECURSORS FOR DEPOSITION OF COPPER-CONTAINING FILMS 有权用于沉积含铜薄膜的BIS-KETOIMINATE铜前驱体公开(公告)号：US20120321817A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：US13383343
申请日：2010-07-09
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45542 , C23C16/45553
摘要： Disclosed are processes for the use of bis-ketoiminate copper precursors for the deposition of copper-containing films via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
摘要翻译： 公开了通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积含铜膜的双酮亚胺铜前体的使用方法。
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18.发明授权公开(公告)号：US08852460B2
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：US12406682
申请日：2009-03-18
IPC分类号： H01B1/00 , H01B1/12 , B05D5/12 , C23C16/00 , C23C16/40 , B05D3/12 , B05D3/00 , H05H1/24 , H01T14/00 , H05B6/02 , H05B6/24 , C07F5/00 , C08B5/04 , H01L39/24 , C04B35/45 , C21B13/00 , C21B11/10 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/404 , C23C16/409 , C23C16/45553
摘要： Methods and compositions for the deposition of a film on a substrate. In general, the disclosed compositions and methods utilize a precursor containing calcium or strontium.
摘要翻译： 用于在基底上沉积膜的方法和组合物。 通常，所公开的组合物和方法利用含有钙或锶的前体。
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公开(公告)号：US08343860B1
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：US13041127
申请日：2011-03-04
IPC分类号： H01L21/425
CPC分类号： H01L21/2658 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26566
摘要： The present invention provides molecules with high carbon content for Carbon-containing species implant in semiconductor material. The molecules can be used in various doping techniques such as ion implant, plasma doping or derivates methods.
摘要翻译： 本发明为半导体材料中的含碳种类植入物提供具有高碳含量的分子。 分子可用于各种掺杂技术，例如离子注入，等离子体掺杂或衍生物方法。
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公开(公告)号：US20120227762A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：US13502057
申请日：2010-10-14
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： H01L21/31138 , G03F7/427
摘要： Disclosed are compounds for plasma ashing photoresist layers on a substrate and methods of using the same. The plasma ashing compounds induce limited to no damage to the underlying layer, such as the low-k film layer.
摘要翻译： 公开了用于基板上的等离子体灰化光刻胶层的化合物及其使用方法。 等离子体灰化化合物诱导限于对下层（例如低k膜层）没有损伤。
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