公开(公告)号：US20110120505A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13017569

申请日：2011-01-31

申请人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： B08B3/00 ,  B08B13/00 ,  H05H1/24 ,  B05B1/00

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US08092605B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US11564206

申请日：2006-11-28

申请人： Steven C. Shannon ,  Masao Drexel ,  James A. Stinnett ,  Ying Rui ,  Ying Xiao ,  Roger A. Lindley ,  Imad Yousif

发明人： Steven C. Shannon ,  Masao Drexel ,  James A. Stinnett ,  Ying Rui ,  Ying Xiao ,  Roger A. Lindley ,  Imad Yousif

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/306 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01J37/3266 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32623

摘要： A method and apparatus for confining a plasma are provided herein. In one embodiment, an apparatus for confining a plasma includes a substrate support and a magnetic field forming device for forming a magnetic field proximate a boundary between a first region disposed at least above the substrate support, where a plasma is to be formed, and a second region, where the plasma is to be selectively restricted. The magnetic field has b-field components perpendicular to a direction of desired plasma confinement that selectively restrict movement of charged species of the plasma from the first region to the second region dependent upon the process conditions used to form the plasma.

摘要翻译： 本文提供了一种限制等离子体的方法和装置。 在一个实施例中，用于限制等离子体的装置包括基板支撑件和磁场形成装置，用于在至少设置在衬底支架上的第一区域之间形成靠近边界的磁场，其中将形成等离子体，以及 第二区域，其中等离子体将被选择性地限制。 磁场具有垂直于期望等离子体限制的方向的b场分量，其根据用于形成等离子体的工艺条件，选择性地限制等离子体的带电物质从第一区域到第二区域的移动。

公开(公告)号：US07879183B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12038499

申请日：2008-02-27

申请人： Imad Yousif ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： Imad Yousif ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US20090214798A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12038499

申请日：2008-02-27

申请人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

发明人： IMAD YOUSIF ,  Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Ajit Balakrishna ,  Anchel Sheyner ,  Shahid Rauf ,  Walter R. Merry

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67 ,  B05B1/14

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B1/18

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for front side protection while processing side and backside of a substrate. One embodiment of the present invention provides a showerhead configured to provide a purge gas to a front side of a substrate during a backside etch processing. The showerhead comprises a body configured to be disposed over the front side of the substrate. The body has a process surface configured to face the front side of the substrate. The process surface has an outer circular region, a central region, a middle region between the outer central region and the central region. The first plurality of holes are distributed in the outer circular region and configured to direct the purge gas towards an edge area of the front side of the substrate. No gas delivery hole is distributed within a substantial portion of the middle region.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了在处理基板的侧面和背面时用于正面保护的装置和方法。 本发明的一个实施例提供了一种喷淋头，其配置为在背面蚀刻处理期间向基板的前侧提供净化气体。 喷头包括构造成设置在基板的前侧上的主体。 主体具有配置为面向基板的前侧的工艺表面。 处理表面具有外圆周区域，中心区域，外部中心区域和中心区域之间的中间区域。 第一多个孔分布在外部圆形区域中，并被配置成将清洗气体引导到衬底前侧的边缘区域。 没有气体输送孔分布在中间区域的大部分内。

公开(公告)号：US08329593B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12001989

申请日：2007-12-12

申请人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

发明人： Imad Yousif ,  Anchel Sheyner ,  Ajit Balakrishna ,  Nancy Fung ,  Ying Rui ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Walter R. Merry ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Polymer is removed from the backside of a wafer held on a support pedestal in a reactor using an arcuate side gas injection nozzle extending through the reactor side wall with a curvature matched to the wafer edge and supplied with plasma by-products from a remote plasma source.

摘要翻译： 使用延伸穿过反应器侧壁的弧形侧气体注入喷嘴从保持在反应器中的支撑基座上的晶片的背面去除聚合物，其具有与晶片边缘匹配的曲率，并且从远程等离子体源提供等离子体副产物 。

公开(公告)号：US07967996B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US11801409

申请日：2007-05-08

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

摘要： A process is provided for removing polymer from a backside of a workpiece and/or photoresist from a front side of the workpiece. For backside polymer removal, the wafer is positioned near the ceiling to above a localized or remote plasma source having a side outlet through the sidewall of the chamber, and backside polymer is removed by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer backside. For front side photoresist removal, the wafer is positioned away from the ceiling and below the side outlet of the localized plasma source, and front side photoresist is remove by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer front side.

摘要翻译： 提供了用于从工件的前侧从工件和/或光致抗蚀剂的背面去除聚合物的方法。 对于背面聚合物去除，晶片位于天花板附近，位于具有通过室的侧壁的侧出口的局部或远程等离子体源的上方，并且通过在从侧面出口流动等离子体副产物的同时旋转工件来去除背面聚合物 到晶圆背面。 对于前侧光致抗蚀剂去除，晶片远离天花板并位于局部等离子体源的侧出口下方，并且通过在从侧出口流到晶片正面的等离子体副产物流动的同时旋转工件来除去前侧光致抗蚀剂 。

公开(公告)号：US20090277874A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12433465

申请日：2009-04-30

申请人： Ying Rui ,  Imad Yousif ,  Daniel Hoffman

发明人： Ying Rui ,  Imad Yousif ,  Daniel Hoffman

IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01J37/3266 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67207

摘要： A method and an apparatus for removing polymer from a substrate are provided. In one embodiment, an apparatus utilized to remove polymer from a substrate includes a processing chamber having a chamber wall and a chamber lid defining a process volume, a substrate support assembly disposed in the processing chamber, a remote plasma source coupled to the processing chamber through an outlet port formed through the processing chamber, the outlet port having an opening pointing toward an periphery region of a substrate disposed on the substrate support assembly, and a substrate supporting surface of the substrate support assembly that substantially electrically floats the substrate disposed thereon relative to the substrate support assembly.

摘要翻译： 提供了从基板上除去聚合物的方法和装置。 在一个实施方案中，用于从基材中除去聚合物的装置包括处理室，其具有室壁和限定处理体积的室盖，设置在处理室中的基板支撑组件，远程等离子体源，其通过 通过处理室形成的出口，所述出口具有指向设置在所述基板支撑组件上的基板的周边区域的开口，以及所述基板支撑组件的基板支撑表面，所述基板支撑表面基本上电漂浮相对于 基板支撑组件。

公开(公告)号：US20080179291A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11801409

申请日：2007-05-08

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Shahid Rauf ,  Ajit Balakrishna ,  Valentin N. Todorow ,  Kartik Ramaswamy ,  Martin Jeffrey Salinas ,  Imad Yousif ,  Walter R. Merry ,  Ying Rui ,  Michael R. Rice

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

摘要： A process is provided for removing polymer from a backside of a workpiece and/or photoresist from a front side of the workpiece. For backside polymer removal, the wafer is positioned near the ceiling to above a localized or remote plasma source having a side outlet through the sidewall of the chamber, and backside polymer is removed by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer backside. For front side photoresist removal, the wafer is positioned away from the ceiling and below the side outlet of the localized plasma source, and front side photoresist is remove by rotating the workpiece while flowing plasma by-products from the side outlet to the wafer front side.

摘要翻译： 提供了用于从工件的前侧从工件和/或光致抗蚀剂的背面去除聚合物的方法。 对于背面聚合物去除，晶片位于天花板附近，位于具有通过室的侧壁的侧出口的局部或远程等离子体源的上方，并且通过在从侧面出口流动等离子体副产物的同时旋转工件来去除背面聚合物 到晶圆背面。 对于前侧光致抗蚀剂去除，晶片远离天花板并位于局部等离子体源的侧出口下方，并且通过在从侧出口流到晶片正面的等离子体副产物流动的同时旋转工件来除去前侧光致抗蚀剂 。

公开(公告)号：US20090293907A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12246137

申请日：2008-10-06

申请人： Nancy Fung ,  Siyi Li ,  Ying Rui ,  Walter R. Merry ,  Anchel Sheyner ,  Kathryn Keswick ,  Shing-Li Sung ,  Mang-Mang Ling ,  Chia-Ling Kao ,  Wei-Te Wu ,  Kang-Lie Chiang

发明人： Nancy Fung ,  Siyi Li ,  Ying Rui ,  Walter R. Merry ,  Anchel Sheyner ,  Kathryn Keswick ,  Shing-Li Sung ,  Mang-Mang Ling ,  Chia-Ling Kao ,  Wei-Te Wu ,  Kang-Lie Chiang

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Methods for cleaning a substrate are provided. In one embodiment, the method includes depositing a polymer on a substrate. A cleaning gas is provided to clean a frontside, a bevel edge, and a backside of the substrate. The cleaning gas may include various reactive chemicals such as H2 and N2 in one embodiment. In another embodiment, the cleaning gas may include H2 and H2O. Plasma is initiated from the cleaning gas and used to remove polymer that formed on a bevel edge, backside, or frontside of the substrate during semiconductor processing.

摘要翻译： 提供了清洗基板的方法。 在一个实施方案中，该方法包括在基底上沉积聚合物。 提供清洁气体以清洁基板的前侧，斜边和背面。 在一个实施方案中，清洁气体可以包括各种反应性化学品，例如H 2和N 2。 在另一个实施方案中，清洁气体可以包括H 2和H 2 O. 等离子体从清洁气体引发，并用于去除在半导体处理期间在衬底的斜边缘，背面或前面形成的聚合物。

公开(公告)号：US20090191711A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12022496

申请日：2008-01-30

申请人： Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Xiaoye Zhao ,  Kevin Mikio Mukai ,  Yasunobu Iwamoto

发明人： Ying Rui ,  Nancy Fung ,  Xiaoye Zhao ,  Kevin Mikio Mukai ,  Yasunobu Iwamoto

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802

摘要： Methods for forming an ultra thin structure. The method includes a polymer deposition and etching process. In one embodiment, the methods may be utilized to form fabricate submicron structure having a critical dimension less than 30 nm and beyond. The method further includes a multiple etching processes. The processes may be varied to meet different process requirements. In one embodiment, the process gently etches the substrate while shrinking critical dimension of the structures formed within the substrate. The dimension of the structures may be shank by coating a photoresist like polymer to sidewalls of the formed structure, but substantially no polymer accumulation on the bottom surface of the formed structure on the substrate. The embodiments described herein also provide high selectivity in between each layers formed on the substrate during the fabricating process and preserving a good control of profile formed within the structure.

摘要翻译： 形成超薄结构的方法。 该方法包括聚合物沉积和蚀刻工艺。 在一个实施方案中，可以利用这些方法形成临界尺寸小于30nm及以上的制造亚微米结构。 该方法还包括多次蚀刻工艺。 可以改变过程以满足不同的工艺要求。 在一个实施例中，该方法在收缩衬底内形成的结构的临界尺寸的同时轻轻蚀刻衬底。 结构的尺寸可以通过将光致抗蚀剂像聚合物涂覆到所形成的结构的侧壁上而基本上没有聚合物聚集在基底上形成的结构的底表面上。 本文描述的实施例还在制造过程期间在形成在基板上的每个层之间提供高选择性，并且保持对在结构内形成的轮廓的良好控制。