公开(公告)号：US20140306027A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14240927

申请日：2012-08-24

申请人： Xiaoming Xu ,  Yongjun Zhou ,  Jianwei Wu ,  Yunxin Ding

发明人： Xiaoming Xu ,  Yongjun Zhou ,  Jianwei Wu ,  Yunxin Ding

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/45565

摘要： The present invention intends to provide a shower of a large diameter MOCVD reactor, and the difficulty for manufacturing the shower does not obviously increase when its size increases. The shower of a large diameter MOCVD reactor of the present invention comprises III group chamber, V group chamber and a cooling water chamber, and it is characterized in that, III group chamber, V group chamber and cooling water chamber are all separated as N chambers, wherein N is a natural number greater than or equal to 2 and each chamber is an individual unity.

摘要翻译： 本发明旨在提供大直径MOCVD反应器的淋浴，并且当其尺寸增加时，用于制造淋浴器的难度不会明显增加。 本发明的大直径MOCVD反应器的淋浴器包括III组室，V组室和冷却水室，其特征在于，III组室，V组室和冷却水室均分离为N室 其中N是大于或等于2的自然数，并且每个室是个体单位。

公开(公告)号：US08821641B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13606774

申请日：2012-09-07

申请人： Sang Gon Lee ,  Hyeong Soo Park

发明人： Sang Gon Lee ,  Hyeong Soo Park

IPC分类号： B05B1/28 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC分类号： C23C16/45508 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： Provided is a substrate treatment apparatus. The substrate treatment apparatus includes a process chamber, a support unit disposed within the process chamber to support a substrate, and a nozzle unit disposed within the process chamber to spray gas. The nozzle unit includes a first nozzle spraying process gas, and a second nozzle spraying blocking gas onto an inner wall of the process chamber or an area adjacent to the support unit to prevent the process gas from being deposited on the inner wall of the process chamber or the support unit.

摘要翻译： 提供了一种基板处理装置。 基板处理装置包括处理室，设置在处理室内以支撑基板的支撑单元和设置在处理室内以喷射气体的喷嘴单元。 喷嘴单元包括第一喷嘴喷射工艺气体，以及第二喷嘴将阻挡气体喷射到处理室的内壁或与支撑单元相邻的区域，以防止处理气体沉积在处理室的内壁上 或支撑单元。

公开(公告)号：US08764902B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13738278

申请日：2013-01-10

申请人： ULVAC, Inc.

发明人： Yasumasa Suzuki ,  Kenji Kimura ,  Kazuya Tsukagoshi ,  Takashi Kageyama

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/36

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A film-forming apparatus capable of discharging a feedstock gas and a reactive gas to an inner side of the vacuum chamber by more effectively cooling the gases without mixing them in comparison with the conventional art. A discharge plate having a first face exposed inside the vacuum chamber is provided with a plurality of feedstock gas introduction holes and a plurality of reactive gas introduction holes penetrating the discharge plate. A plurality of grooves having the feedstock gas introduction holes located on the bottom face are formed in the second face opposite to the first face of the discharge plate, a top plate that covers the groove is arranged over the second face, and the feedstock gas through-hole formed in the top plate and the feedstock gas introduction hole are connected to each other with the first auxiliary pipe.

摘要翻译： 一种成膜装置，与传统技术相比，能够通过更有效地冷却气体而不混合它们，从而将原料气体和反应气体排出到真空室的内侧。 具有暴露在真空室内的第一面的放电板设置有多个原料气体导入孔和贯穿放电板的多个反应气体导入孔。 在与放电板的第一面相对的第二面上形成有具有位于底面上的原料气体导入孔的多个槽，在第二面上配置有覆盖槽的顶板，原料气体通过 在顶板和原料气体导入孔中形成的孔与第一辅助管相互连接。

公开(公告)号：US20140158792A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US14169325

申请日：2014-01-31

申请人： Novellus Systems, Inc.

发明人： Henner Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

摘要： A temperature controlled showerhead for chemical vapor deposition (CVD) chambers enhances heat dissipation to enable accurate temperature control with an electric heater. Heat dissipates by conduction through a showerhead stem and fluid passageway and radiation from a back plate. A temperature control system includes one or more temperature controlled showerheads in a CVD chamber with fluid passageways serially connected to a heat exchanger.

摘要翻译： 用于化学气相沉积（CVD）室的温度控制喷头增强了散热，从而能够使用电加热器进行精确的温度控制。 散热通过喷头杆和流体通道的传导以及来自背板的辐射而消散。 温度控制系统包括在CVD室中的一个或多个温度控制的喷头，其中流体通道串联连接到热交换器。

公开(公告)号：US20140123704A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14152078

申请日：2014-01-10

申请人： ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED

发明人： Kuniaki HIROMATSU ,  Masanobu SHIRAI ,  Junichi MIYASHITA ,  Tomohiro YONEMICHI ,  Takeo ENDO

IPC分类号： C03C17/245 ,  C03B25/08

CPC分类号： C03C17/2456 ,  C03B25/08 ,  C03C17/002 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/46

摘要： An area S (m2) of a facing surface of each of injectors which faces a glass ribbon is set so as to satisfy: S≦(0.0116×P×Cg×T)/{ε×F×σ(Tgla4−Tinj4)}, wherein P is an output (ton/day) of the glass ribbon; Cg is a specific heat (J/(kg·° C.)) of the glass; T is an acceptable temperature drop (° C.); ε is radiation factor; F is a surface-to-surface view factor; σ is Boltzmann's constant; Tgla is a temperature (K) of the glass ribbon represented by K=(Tin+Tout)/2 where Tin and Tout are measured values of the glass ribbon at the inlet and outlet of the injector, respectively; and Tinj is a temperature (K) of the facing surface of the injector.

摘要翻译： 将每个喷射器的面对玻璃带的面对面的面积S（m2）设定为满足：S＆NlE;（0.0116×P×Cg×T）/ {＆egr;×F×＆sgr（Tgla4-Tinj4 ）}，其中P是玻璃带的输出（吨/天）; Cg是玻璃的比热（J /（kg·℃））; T是可接受的温度降（℃）; ＆egr 是放射因子; F是一个表面到地面的视图因子; ＆sgr 是玻尔兹曼常数; Tgla是由K =（Tin + Tout）/ 2表示的玻璃带的温度（K），其中Tin和Tout分别是在喷射器的入口和出口处的玻璃带的测量值; Tinj是喷射器的面对表面的温度（K）。

公开(公告)号：US20140026816A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13937889

申请日：2013-07-09

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： NYI OO MYO ,  MEHMET TUGRUL SAMIR

IPC分类号： B05B9/03

CPC分类号： B05B9/03 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

摘要： Substrate processing apparatus and gas distribution apparatus are provided herein. In some embodiments, a gas distribution apparatus includes a first quartz layer having a plurality of openings disposed through the first quartz layer; a second quartz layer coupled to the first quartz layer; a first plenum fluidly coupled to a first set of the plurality of openings and disposed between the first quartz layer and the second quartz layer; a second plenum fluidly coupled to a second set of the plurality of openings and disposed between the first quartz layer and the second quartz layer; and one or more outlets disposed on a side of the gas distribution apparatus opposite the plurality of openings disposed through the first quartz layer to provide a gas to the side of the gas distribution apparatus opposite the first quartz layer.

摘要翻译： 本文提供了基板处理装置和气体分配装置。 在一些实施例中，气体分配装置包括具有穿过第一石英层设置的多个开口的第一石英层; 耦合到第一石英层的第二石英层; 第一增压室，其流体耦合到所述多个开口的第一组，并且设置在所述第一石英层和所述第二石英层之间; 第二增压室流体耦合到所述多个开口的第二组，并且设置在所述第一石英层和所述第二石英层之间; 以及一个或多个出口，其布置在气体分配设备的与通过第一石英层设置的多个开口相对的一侧上，以向与第一石英层相对的气体分配设备侧提供气体。

公开(公告)号：US08632634B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US12508012

申请日：2009-07-23

申请人： Yoshikazu Moriyama ,  Kunihiko Suzuki ,  Hironobu Hirata

发明人： Yoshikazu Moriyama ,  Kunihiko Suzuki ,  Hironobu Hirata

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/46 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06

摘要： In a coating apparatus, a distributor plate 104 is disposed upstream of a silicon wafer 101 relative to the direction of flow of reactive gas. The distributor plate 104 has therein first through-holes 104a and second through-holes 104b arranged so as not to meet the first through-holes 104a. The reactive gas passes through the first through-holes 104a and flows down toward the silicon wafer 101. Further, a cooling gas passes through the second through-holes 104b.

摘要翻译： 在涂布装置中，分配器板104相对于反应气体的流动方向设置在硅晶片101的上游。 分配板104在其中具有布置成不与第一通孔104a相交的第一通孔104a和第二通孔104b。 反应气体通过第一通孔104a并朝向硅晶片101向下流动。此外，冷却气体通过第二通孔104b。

公开(公告)号：US08308865B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12248367

申请日：2008-10-09

申请人： Changsung Sean Kim ,  Jong Pa Hong ,  Kyung Ho Lee

发明人： Changsung Sean Kim ,  Jong Pa Hong ,  Kyung Ho Lee

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

摘要： A showerhead for chemical vapor deposition (CVD) includes a head storing reaction gas flowing thereinto and feeding the stored reaction gas to a reaction chamber, and at least one support member passing through and coupled with the head and the reaction chamber so as to support the head.

摘要翻译： 用于化学气相沉积（CVD）的喷头包括头部，其存储反应气体，并将储存的反应气体输送到反应室;以及至少一个支撑构件，其通过并与头部和反应室结合，以支撑 头。

公开(公告)号：US20120279943A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13462939

申请日：2012-05-03

申请人： Helinda Nominanda ,  Tae Kyung Won ,  Seon-Mee Cho ,  Beom Soo Park ,  Soo Young Choi

发明人： Helinda Nominanda ,  Tae Kyung Won ,  Seon-Mee Cho ,  Beom Soo Park ,  Soo Young Choi

IPC分类号： C23C16/50 ,  B05C9/00 ,  B44C1/22 ,  C23C16/511

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/511

摘要： A method and apparatus for processing a substrate is provided. In one embodiment, the apparatus is in the form of a processing chamber that includes a chamber body having a processing volume defined therein. A substrate support, a gas delivery tube assembly and a plasma line source are disposed in the processing volume. The gas delivery tube assembly includes an inner tube is disposed in an outer tube. The inner tube has a passage for flowing a cooling fluid therein. The outer tube has a plurality of gas distribution apertures for providing processing gas into the processing volume.

摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的方法和设备。 在一个实施例中，该装置是处理室的形式，其包括其中限定有处理容积的室主体。 衬底支撑件，气体输送管组件和等离子体线源设置在处理体积中。 气体输送管组件包括内管，其设置在外管中。 内管具有用于在其中流动冷却流体的通道。 外管具有多个气体分配孔，用于将处理气体提供到处理容积中。

公开(公告)号：US20120234945A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13422824

申请日：2012-03-16

申请人： DONALD J.K. OLGADO

发明人： DONALD J.K. OLGADO

IPC分类号： B05B1/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  B05B1/005 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

摘要： Embodiments of the present invention generally provide a showerhead assembly made of multiple plates fastened together. The showerhead assembly includes a gas manifold defined by a top and middle plate and a diverter plate defined by the middle plate and a bottom, heat exchange plate. A first processing gas enters the gas manifold and is diverted by the diverter plate through the bottom plate. A second processing gas enters the gas manifold and is diverted by the diverter plate through the bottom plate such that the second and first processing gases do not mix prior to exiting the showerhead. In one embodiment, the first processing gas can be distributed through central and outer regions of the showerhead at different flow rates and/or pressures. In addition, the second processing gas can be distributed through the central and outer regions of the showerhead at different flow rates and/or pressures.

摘要翻译： 本发明的实施例通常提供由多个板固定在一起的喷头组件。 喷头组件包括由中间板和中间板限定的气体歧管和由中间板和底部热交换板限定的分流板。 第一处理气体进入气体歧管并由分流板通过底板转向。 第二处理气体进入气体歧管，并由分流板通过底板转向，使得第二处理气体和第一处理气体在离开喷头之前不混合。 在一个实施例中，第一处理气体可以以不同的流速和/或压力分布在喷头的中心和外部区域。 此外，第二处理气体可以以不同的流速和/或压力分布在喷头的中心和外部区域。