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公开(公告)号：US20100279514A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：US12833354
申请日：2010-07-09
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L29/4908 , Y10T428/24942
摘要： A method forms a first inorganic dielectric layer having a first concentration of defects and a second inorganic dielectric layer in contact with a first layer and having a second lesser concentration of defects.
摘要翻译： 一种方法形成具有第一缺陷浓度的第一无机介电层和与第一层接触并具有第二较小浓度缺陷的第二无机介电层。
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22.发明授权公开(公告)号：US07632590B2
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：US10620675
申请日：2003-07-15
CPC分类号： C25D13/04 , C25D9/02 , H01M8/04197 , H01M8/1011 , H01M8/1016 , H01M2300/0082 , H01M2300/0088 , Y02E60/523 , Y02P70/56
摘要： A method for manufacturing an electrolyte includes coupling a substrate to a charged electrode and electrodepositing a polymeric electrolyte on the substrate.
摘要翻译： 一种用于制造电解质的方法包括将基底连接到带电电极并在基底上电沉积聚合物电解质。
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公开(公告)号：US07773365B2
公开(公告)日：2010-08-10
申请号：US10837411
申请日：2004-04-30
CPC分类号： H01B3/12 , C01G1/00 , C01G27/00 , C01G27/06 , C01P2006/40 , H01L21/28194 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L29/517
摘要： One embodiment of a dielectric material may include a metal containing cation and a polyatomic anion.
摘要翻译： 介电材料的一个实施例可以包括含金属的阳离子和多原子阴离子。
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公开(公告)号：US20090200541A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：US12426955
申请日：2009-04-20
申请人： Gregory S. Herman , Peter Mardilovich , Chinmay Betrabet , Chih-Chung Chang , Yu-jen Chang , Doo-hyoung Lee , Mark W. Hoskins
发明人： Gregory S. Herman , Peter Mardilovich , Chinmay Betrabet , Chih-Chung Chang , Yu-jen Chang , Doo-hyoung Lee , Mark W. Hoskins
IPC分类号： H01L29/66
CPC分类号： H01L51/0022 , B41J11/002 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/14 , C30B7/005 , H01L21/67011 , Y10S977/938
摘要： A structure includes a surface and a non-equilibrium two-dimensional semiconductor micro structure on the surface.
摘要翻译： 结构包括表面和表面上的非平衡二维半导体微结构。
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公开(公告)号：US07445814B2
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：US10691199
申请日：2003-10-22
IPC分类号： C23C10/00
CPC分类号： C23C14/5806 , C23C14/06 , C23C26/00 , H01M4/8621 , H01M4/8885 , H01M4/9016 , H01M4/9066 , H01M2008/1293
摘要： A method for making a porous film includes the steps of forming a cermet film and/or a ceramic film by depositing or co-depositing suitable materials on a substrate, and causing metal in the material(s) to reduce and/or to diffuse to the cermet film surface and/or the ceramic film surface to render the porous film.
摘要翻译： 制造多孔膜的方法包括以下步骤：通过在衬底上沉积或共沉积合适的材料形成金属陶瓷膜和/或陶瓷膜，并使材料中的金属减少和/或扩散到 金属陶瓷膜表面和/或陶瓷膜表面以形成多孔膜。
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公开(公告)号：US08143706B2
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：US11778201
申请日：2007-07-16
IPC分类号： H01L27/28 , H01L21/312 , H01L21/47
CPC分类号： H01L21/022 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/7869
摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a component having dielectric sub-layers are described.
摘要翻译： 描述了用于形成具有电介质子层的部件的方法，装置，装置和/或系统的实施例。
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公开(公告)号：US08143128B2
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：US12833354
申请日：2010-07-09
IPC分类号： H01L21/471
CPC分类号： H01L29/4908 , Y10T428/24942
摘要： A method forms a first inorganic dielectric layer having a first concentration of defects and a second inorganic dielectric layer in contact with a first layer and having a second lesser concentration of defects.
摘要翻译： 一种方法形成具有第一缺陷浓度的第一无机介电层和与第一层接触并具有第二较小浓度缺陷的第二无机介电层。
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公开(公告)号：US20090032890A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：US11830533
申请日：2007-07-30
CPC分类号： H01L29/4908 , Y10T428/24942
摘要： An apparatus and method relating to a first inorganic dielectric layer having a first concentration of defects and a second inorganic dielectric layer in contact with a first layer and having a second lesser concentration of defects are disclosed.
摘要翻译： 公开了一种涉及具有第一缺陷浓度的第一无机介电层和与第一层接触并具有第二较小浓度缺陷的第二无机介电层的装置和方法。
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公开(公告)号：US08143616B2
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：US12426955
申请日：2009-04-20
申请人： Gregory S. Herman , Peter Mardilovich , Chinmay Betrabet , Chih-hung Chang , Yu-jen Chang , Doo-Hyoung Lee , Mark W. Hoskins
发明人： Gregory S. Herman , Peter Mardilovich , Chinmay Betrabet , Chih-hung Chang , Yu-jen Chang , Doo-Hyoung Lee , Mark W. Hoskins
CPC分类号： H01L51/0022 , B41J11/002 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/14 , C30B7/005 , H01L21/67011 , Y10S977/938
摘要： A structure includes a surface and a non-equilibrium two-dimensional semiconductor micro structure on the surface.
摘要翻译： 结构包括表面和表面上的非平衡二维半导体微结构。
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公开(公告)号：US07768080B2
公开(公告)日：2010-08-03
申请号：US11830533
申请日：2007-07-30
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4908 , Y10T428/24942
摘要： An apparatus and method relating to a first inorganic dielectric layer having a first concentration of defects and a second inorganic dielectric layer in contact with a first layer and having a second lesser concentration of defects are disclosed.
摘要翻译： 公开了一种涉及具有第一缺陷浓度的第一无机介电层和与第一层接触并具有第二较小浓度缺陷的第二无机介电层的装置和方法。
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