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    Method of Making a Multicomponent Film
    21.
    发明申请
    Method of Making a Multicomponent Film 有权
    制作多组分薄膜的方法

    公开(公告)号：US20120034767A1

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：US13023145

    申请日：2011-02-08

    申请人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

    发明人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

    IPC分类号： H01L21/36

    CPC分类号： H01L21/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

    摘要： Described herein is a method and liquid-based precursor composition for depositing a multicomponent film. In one embodiment, the method and compositions described herein are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

    摘要翻译： 本文描述了一种用于沉积多组分膜的方法和基于液体的前体组合物。 在一个实施方案中，本文所述的方法和组合物用于沉积锗碲（GeTe），锑碲（SbTe），锑锗（SbGe），锗锑碲（GST），铟锑碲（IST），银铟锑碲 （AIST），碲化镉（CdTe），硒化镉（CdSe），碲化锌（ZnTe），硒化锌（ZnSe），铜铟镓硒（CIGS）膜或其他用于相变记忆和光伏的碲和硒基金属化合物 设备。

    Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making and using same
    22.
    发明授权
    Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making and using same 有权
    二元和三元金属硫属化物材料及其制造和使用方法

    公开(公告)号：US08507040B2

    公开(公告)日：2013-08-13

    申请号：US13156501

    申请日：2011-06-09

    申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

    发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

    IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

    CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/45553

    摘要： This invention discloses the synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process. Ligand exchange reactions of organosilyltellurium or organosilylselenium with a series of metal compounds having neucleophilic substituents generate metal chalcogenides. This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

    摘要翻译： 本发明公开了使用化学气相沉积（CVD）工艺，原子层沉积（ALD）工艺或湿法工艺的金属硫族化合物的合成。 有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应产生金属硫族化物。 该化学物质用于沉积锗 - 锑碲（GeSbTe）和锗 - 锑 - 硒（GeSbSe）膜或其他碲和硒基金属化合物用于相变记忆和光伏器件。

    Process for Producing Silicon and Oxide Films from Organoaminosilane Precursors
    24.
    发明申请
    Process for Producing Silicon and Oxide Films from Organoaminosilane Precursors 有权
    从有机氨基硅烷前体生产硅和氧化物膜的方法

    公开(公告)号：US20110262642A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US12976041

    申请日：2010-12-22

    申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Heather Regina Bowen ,  Mark Leonard O'Neill

    发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Heather Regina Bowen ,  Mark Leonard O'Neill

    IPC分类号： C23C16/00 ,  C09D7/12

    CPC分类号： H01L21/02211 ,  C07F7/025 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31633

    摘要： A method for depositing a silicon containing film on a substrate using an organoaminosilane is described herein. The organoaminosilanes are represented by the formulas: wherein R is selected from a C1-C10 linear, branched, or cyclic, saturated or unsaturated alkyl group with or without substituents; a C5-C10 aromatic group with or without substituents, a C3-C10 heterocyclic group with or without substituents, or a silyl group in formula C with or without substituents, R1 is selected from a C3-C10 linear, branched, cyclic, saturated or unsaturated alkyl group with or without substituents; a C6-C10 aromatic group with or without substituents, a C3-C10 heterocyclic group with or without substituents, a hydrogen atom, a silyl group with substituents and wherein R and R1 in formula A can be combined into a cyclic group and R2 representing a single bond, (CH2)n chain, a ring, C3-C10 branched alkyl, SiR2, or SiH2.

    摘要翻译： 本文描述了使用有机氨基硅烷在基板上沉积含硅膜的方法。 有机基氨基硅烷由下式表示：其中R选自具有或不具有取代基的C1-C10直链，支链或环状饱和或不饱和的烷基; 具有或不具有取代基的C 5 -C 10芳族基团，具有或不具有取代基的C 3 -C 10杂环基或具有或不具有取代基的式C中的甲硅烷基，其选自C 3 -C 10直链，支链，环状，饱和或 有或没有取代基的不饱和烷基; 具有或不具有取代基的C 6 -C 10芳族基团，具有或不具有取代基的C 3 -C 10杂环基，氢原子，具有取代基的甲硅烷基，并且其中式A中的R和R可以组合成环状基团，并且R 2表示 单键，（CH 2）n链，环，C 3 -C 10支链烷基，SiR 2或SiH 2。

    Precursors for GST Films in ALD/CVD Processes
    26.
    发明申请
    Precursors for GST Films in ALD/CVD Processes 审中-公开
    ALD / CVD过程中GST膜的前体

    公开(公告)号：US20130210217A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：US13572973

    申请日：2012-08-13

    申请人： Manchao Xiao ,  Iain Buchanan ,  Xinjian Lei

    发明人： Manchao Xiao ,  Iain Buchanan ,  Xinjian Lei

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144

    摘要： The present invention is a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy (GST) or germanium-bismuth-tellurium (GBT) film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. The invention is also related to making antimony alloy with other elements using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony or silylbismuth precursor is used as a source of antimony or bismuth.

    摘要翻译： 本发明是使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制造锗 - 锑 - 碲合金（GST）或锗 - 铋 - 碲（GBT）膜的方法，其中甲硅烷基锑前体是 用作合金膜的锑源。 本发明还涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制备其它元素的锑合金，其中使用甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体作为锑或铋的来源。

    Binary and Ternary Metal Chalcogenide Materials and Method of Making and Using Same
    27.
    发明申请
    Binary and Ternary Metal Chalcogenide Materials and Method of Making and Using Same 有权
    二元和三元金属硫族化物材料及其制造和使用方法

    公开(公告)号：US20120171378A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：US13156501

    申请日：2011-06-09

    申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

    发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

    IPC分类号： C23C16/30 ,  B05D3/10

    CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/45553

    摘要： This invention discloses the synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process. Ligand exchange reactions of organosilyltellurium or organosilylselenium with a series of metal compounds having neucleophilic substituents generate metal chalcogenides. This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

    摘要翻译： 本发明公开了使用化学气相沉积（CVD）工艺，原子层沉积（ALD）工艺或湿法工艺的金属硫族化合物的合成。 有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应产生金属硫族化物。 该化学物质用于沉积锗 - 锑碲（GeSbTe）和锗 - 锑 - 硒（GeSbSe）膜或其他碲和硒基金属化合物用于相变记忆和光伏器件。