公开(公告)号：US09291899B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08K5/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。

公开(公告)号：US20100271112A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12742221

申请日：2008-11-04

申请人： Ki-Ha Hong ,  Sung-Hoon Lee ,  Jong-Seob Kim ,  Jai-Kwang Shin

发明人： Ki-Ha Hong ,  Sung-Hoon Lee ,  Jong-Seob Kim ,  Jai-Kwang Shin

IPC分类号： H03K3/01 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F1/404 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L29/82

摘要： Disclosed are a spin transistor and a method of operating the spin transistor. The disclosed spin transistor includes a channel formed of a magnetic material selectively passing a spin-polarized electron having a specific direction, a source formed of a magnetic material, a drain, and a gate electrode. When a predetermined voltage is applied to the gate electrode, the channel selectively passes a spin-polarized electron having a specific direction and thus, the spin transistor is selectively turned on.

摘要翻译： 公开了自旋晶体管和操作自旋晶体管的方法。 所公开的自旋晶体管包括由选择性地通过具有特定方向的自旋极化电子的磁性材料形成的沟道，由磁性材料形成的源极，漏极和栅电极。 当预定电压施加到栅电极时，沟道选择性地通过具有特定方向的自旋极化电子，因此自旋晶体管选择性地导通。

公开(公告)号：US07787302B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US12073681

申请日：2008-03-07

申请人： Sung-Il Park ,  Sung-Hoon Lee ,  Kwang-Soo Seol ,  Young-Gu Jin ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sung-Il Park ,  Sung-Hoon Lee ,  Kwang-Soo Seol ,  Young-Gu Jin ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L21/28282 ,  G11C16/349 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： Provided are a memory device, a method of manufacturing the same, and a method of operating the same. The memory device may include a channel region having an upper end where both sides of the upper end are curved, the curved portions of both sides allowing charges to be injected thereinto in a program or erase voltage such that the curved portions into which the charges are injected are separate from a portion which determines a threshold voltage, and a gate structure on the channel region.

摘要翻译： 提供了一种存储器件及其制造方法及其操作方法。 存储器件可以包括具有上端的上端弯曲的上端的通道区域，两侧的弯曲部分允许以编程或擦除电压将电荷注入其中，使得电荷的弯曲部分 注入与确定阈值电压的部分和沟道区上的栅极结构分开。

公开(公告)号：US20080285353A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US12073681

申请日：2008-03-07

申请人： Sung-II Park ,  Sung-Hoon Lee ,  Kwang-Soo Seol ,  Young-Gu Jin ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sung-II Park ,  Sung-Hoon Lee ,  Kwang-Soo Seol ,  Young-Gu Jin ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G11C16/06 ,  H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282 ,  G11C16/349 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： Provided are a memory device, a method of manufacturing the same, and a method of operating the same. The memory device may include a channel region having an upper end where both sides of the upper end are curved, the curved portions of both sides allowing charges to be injected thereinto in a program or erase voltage such that the curved portions into which the charges are injected are separate from a portion which determines a threshold voltage, and a gate structure on the channel region.

摘要翻译： 提供了一种存储器件及其制造方法及其操作方法。 存储器件可以包括具有上端的上端弯曲的上端的通道区域，两侧的弯曲部分允许以编程或擦除电压将电荷注入其中，使得电荷的弯曲部分 注入与确定阈值电压的部分和沟道区上的栅极结构分开。

公开(公告)号：US07348073B2

公开(公告)日：2008-03-25

申请号：US11033887

申请日：2005-01-13

申请人： Kyu-Sik Kim ,  Woon-Jung Paek ,  Lyong-Sun Pu ,  In-Sung Song ,  Jong-Seob Kim ,  Ouck Han

发明人： Kyu-Sik Kim ,  Woon-Jung Paek ,  Lyong-Sun Pu ,  In-Sung Song ,  Jong-Seob Kim ,  Ouck Han

IPC分类号： H01L51/54 ,  C09K11/06 ,  C08G61/00 ,  C07C13/72 ,  C07F7/08

CPC分类号： C09K11/06 ,  C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/122 ,  C08G61/124 ,  C08G73/0605 ,  C08G73/0611 ,  C08G73/08 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1466 ,  C09K2211/1475 ,  C09K2211/1483 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H01L2251/308 ,  H05B33/14 ,  Y10S428/917

摘要： A spiro-based compound containing cyclopentaphenanthrene and fluorene, which is used for an organoelectroluminescent device and an organoelectroluminescent device having the spiro-based compound. The spiro-based compound containing cyclopentaphenanthrene and fluorene can be easily manufactured to have high solubility, high color purity, and good thermal stability. The spiro-based compound containing cyclopentaphenanthrene and fluorene is suitable as a substance for an organic film, in particular, an emission layer of an organoelectroluminescent device. Further, the spiro-based compound containing cyclopentaphenanthrene and fluorene can be used as an organic dye, or an electron material such as a non-linear optical material.

摘要翻译： 含有环戊二烯和芴的螺基化合物，其用于有机电致发光器件和具有螺基化合物的有机电致发光器件。 含有环戊菲和芴的螺基化合物可以容易地制造成具有高溶解度，高纯度和良好的热稳定性。 含有环戊菲和芴的螺基化合物适合用作有机膜的物质，特别是有机电致发光器件的发射层。 此外，含有环戊菲和芴的螺基化合物可以用作有机染料或诸如非线性光学材料的电子材料。