公开(公告)号：US09140986B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US13539760

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim

发明人： Mi-Young Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： C08G77/08 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  C08L83/04 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/06

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

摘要： A resist underlayer composition includes a solvent and an organosilane condensation polymerization product, the organosilane condensation polymerization product including about 40 to about 80 mol % of a structural unit represented by the following Chemical Formula 1,

摘要翻译： 抗蚀剂底层组合物包括溶剂和有机硅烷缩聚产物，所述有机硅烷缩聚产物包含约40至约80mol％的由以下化学式1表示的结构单元，

公开(公告)号：US20120282776A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13540111

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young KIM ,  Sang-Kyun KIM ,  Hyeon-Mo CHO ,  Chang-Soo WOO ,  Sang-Ran KOH ,  Hui-Chan YUN ,  Woo-Jin LEE ,  Jong-Seob KIM

发明人： Mi-Young KIM ,  Sang-Kyun KIM ,  Hyeon-Mo CHO ,  Chang-Soo WOO ,  Sang-Ran KOH ,  Hui-Chan YUN ,  Woo-Jin LEE ,  Jong-Seob KIM

IPC分类号： C09D183/06 ,  H01L21/311

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

摘要： A photoresist underlayer composition includes a solvent, and a polysiloxane resin represented by Chemical Formula 1: {(SiO1.5—Y—SiO1.5)(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f.   [Chemical Formula 1]

摘要翻译： 光致抗蚀剂底层组合物包括溶剂和由化学式1表示的聚硅氧烷树脂：{（SiO 1.5-Y-SiO 1.5）（SiO 2）y（XSiO 1.5）z}（OH）e（OR 1）f。 [化学式1]

公开(公告)号：US20120267766A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13539760

申请日：2012-07-02

申请人： Mi-Young KIM ,  Sang-Kyun KIM ,  Hyeon-Mo CHO ,  Sang-Ran KOH ,  Hui-Chan YUN ,  Yong-Jin CHUNG ,  Jong-Seob KIM

发明人： Mi-Young KIM ,  Sang-Kyun KIM ,  Hyeon-Mo CHO ,  Sang-Ran KOH ,  Hui-Chan YUN ,  Yong-Jin CHUNG ,  Jong-Seob KIM

IPC分类号： C08K5/101 ,  H01L21/31 ,  H01L29/02 ,  C08K5/3432

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

摘要： A resist underlayer composition includes a solvent and an organosilane condensation polymerization product, the organosilane condensation polymerization product including about 40 to about 80 mol % of a structural unit represented by the following Chemical Formula 1,

摘要翻译： 抗蚀剂底层组合物包括溶剂和有机硅烷缩聚产物，所述有机硅烷缩聚产物包含约40至约80mol％的由以下化学式1表示的结构单元，

公开(公告)号：US20120177829A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13339728

申请日：2011-12-29

申请人： Sang-Hak LIM ,  Bong-Hwan Kim ,  Jung-Kang Oh ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-II Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Sang-Hak LIM ,  Bong-Hwan Kim ,  Jung-Kang Oh ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-II Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： C08L83/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/00

CPC分类号： C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

摘要： A composition for forming silica-based insulation layer includes a hydrogenated polysiloxazane including a moiety represented by the following Chemical Formula 1 and a moiety represented by the following Chemical Formula 2, and having a chlorine concentration of about 1 ppm or less:

摘要翻译： 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物包括氢化聚硅氧氮烷，其包含由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分，并且具有约1ppm或更低的氯浓度：

公开(公告)号：US20120164382A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13330856

申请日：2011-12-20

申请人： Hui-Chan YUN ,  Taek-Soo Kwak ,  Bong-Hwan Kim ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Hak Lim ,  Dong-Il Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Hui-Chan YUN ,  Taek-Soo Kwak ,  Bong-Hwan Kim ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Hak Lim ,  Dong-Il Han ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： C09D183/00 ,  B32B9/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/02282 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B32B9/00 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08L83/14 ,  C08L83/16 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  Y10T428/24355

摘要： A composition for forming a silica layer, a method of manufacturing the composition, a silica layer prepared using the composition, and a method of manufacturing the silica layer, the composition including hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane, or a combination thereof, wherein a concentration of a sum of hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane having a weight average molecular weight, reduced to polystyrene, of greater than or equal to about 50,000 is about 0.1 wt % or less, based on a total amount of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane.

摘要翻译： 用于形成二氧化硅层的组合物，该组合物的制造方法，使用该组合物制备的二氧化硅层，以及二氧化硅层的制造方法，包含氢化聚硅氮烷，氢化聚硅氧氮烷或其组合的组合物，其中， 基于氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的总量，氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的总重量平均分子量（减少为聚苯乙烯）大于或等于约50,000的总量为约0.1重量％以下。

公开(公告)号：US20110241175A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13160544

申请日：2011-06-15

申请人： Sang Ran KOH ,  Sang Kyun KIM ,  Sang Hak LIM ,  Mi Young KIM ,  Hui Chan YUN ,  Do Hyeon KIM ,  Dong Seon UH ,  Jong Seob KIM

发明人： Sang Ran KOH ,  Sang Kyun KIM ,  Sang Hak LIM ,  Mi Young KIM ,  Hui Chan YUN ,  Do Hyeon KIM ,  Dong Seon UH ,  Jong Seob KIM

IPC分类号： H01L29/02 ,  C08G77/38 ,  H01L21/31

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

摘要： A hardmask composition for forming a resist underlayer film, a process for producing a semiconductor integrated circuit device, and a semiconductor integrated circuit device, the hardmask composition including an organosilane polymer, and a stabilizer, the stabilizer including one of acetic anhydride, methyl acetoacetate, propionic anhydride, ethyl-2-ethylacetoacetate, butyric anhydride, ethyl-2-ethylacetoacetate, valeric anhydride, 2-methylbutyric anhydride, nonanol, decanol, undecanol, dodecanol, propylene glycol propyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol methyl ether, propylene glycol, phenyltrimethoxysilane, diphenylhexamethoxydisiloxane, diphenylhexaethoxydisiloxane, dioctyltetramethyldisiloxane, hexamethyltrisiloxane, tetramethyldisiloxane, decamethyltetrasiloxane, dodecamethylpentasiloxane, hexamethyldisiloxane, and mixtures thereof.

摘要翻译： 用于形成抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，半导体集成电路器件的制造方法和半导体集成电路器件，所述硬掩模组合物包含有机硅烷聚合物和稳定剂，所述稳定剂包括乙酸酐，乙酰乙酸甲酯， 丙酸酐，2-乙基乙酰乙酸乙酯，丁酸酐，2-乙基乙酰乙酸乙酯，戊酸酐，2-甲基丁酸酐，壬醇，癸醇，十一烷醇，十二烷醇，丙二醇丙醚，丙二醇乙醚，丙二醇甲醚，丙烯 乙二醇，苯基三甲氧基硅烷，二苯基六甲氧基二硅氧烷，二苯基六乙氧基二硅氧烷，二辛基四甲基二硅氧烷，六甲基三硅氧烷，四甲基二硅氧烷，十甲基四硅氧烷，十二甲基五硅氧烷，六甲基二硅氧烷及其混合物。

公开(公告)号：US20100279509A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12805081

申请日：2010-07-12

申请人： Sang Kyun Kim ,  Hyeon Mo Cho ,  Sang Ran Koh ,  Mi Young Kim ,  Hui Chan Yun ,  Yong Jin Chung ,  Jong Seob Kim

发明人： Sang Kyun Kim ,  Hyeon Mo Cho ,  Sang Ran Koh ,  Mi Young Kim ,  Hui Chan Yun ,  Yong Jin Chung ,  Jong Seob Kim

IPC分类号： H01L21/306 ,  C08L83/06

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C08G77/16 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32139

摘要： A silicon-based hardmask composition, including an organosilane polymer represented by Formula 1: {(SiO1.5—Y—SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f  (1).

摘要翻译： 一种硅基硬掩模组合物，包括由式1表示的有机硅烷聚合物：{（SiO 1.5-Y-SiO 1.5）x（R 3 SiO 1.5）y（XSiO 1.5）z}（OH）e（OR 6）f （1）。

公开(公告)号：US09291899B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08K5/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。

公开(公告)号：US08766411B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13548519

申请日：2012-07-13

申请人： Eun-Su Park ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Eun-Su Park ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

摘要： A filler for filling a gap includes a compound represented by the following Chemical Formula 1. SiaNbOcHd.  [Chemical Formula 1] In Chemical Formula 1, a, b, c, and d represent relative amounts of Si, N, 0, and H, respectively, in the compound, 1.96

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括由以下化学式1表示的化合物。SiaNbOcHd。 [化学式1]在化学式1中，a，b，c和d分别表示化合物中的Si，N，O和H的相对量，1.96

公开(公告)号：US08524851B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12805081

申请日：2010-07-12

申请人： Sang Kyun Kim ,  Hyeon Mo Cho ,  Sang Ran Koh ,  Mi Young Kim ,  Hui Chan Yun ,  Yong Jin Chung ,  Jong Seob Kim

发明人： Sang Kyun Kim ,  Hyeon Mo Cho ,  Sang Ran Koh ,  Mi Young Kim ,  Hui Chan Yun ,  Yong Jin Chung ,  Jong Seob Kim

IPC分类号： C08G77/60

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C08G77/16 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32139

摘要： A silicon-based hardmask composition, including an organosilane polymer represented by Formula 1: {(SiO1.5—Y—SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f  (1).

摘要翻译： 一种硅基硬掩模组合物，包括由式1表示的有机硅烷聚合物：{（SiO 1.5-Y-SiO 1.5）x（R 3 SiO 1.5）y（XSiO 1.5）z}（OH）e（OR 6）f （1）。