公开(公告)号：US09630169B2

公开(公告)日：2017-04-25

申请号：US14342489

申请日：2012-08-31

申请人： Kazuhito Hato ,  Kenichi Tokuhiro ,  Takahiro Suzuki ,  Takaiki Nomura ,  Kenichiro Ota ,  Akimitsu Ishihara

发明人： Kazuhito Hato ,  Kenichi Tokuhiro ,  Takahiro Suzuki ,  Takaiki Nomura ,  Kenichiro Ota ,  Akimitsu Ishihara

IPC分类号： B01J27/24 ,  B01J19/12 ,  B01J37/34 ,  B01J35/00 ,  C01B3/04 ,  C25B1/00 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B9/06

CPC分类号： B01J27/24 ,  B01J19/127 ,  B01J35/004 ,  B01J37/347 ,  C01B3/042 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B9/06 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366

摘要： A semiconductor material of the present invention is a semiconductor material including an oxynitride containing at least one element selected from the Group 4 elements and Group 5 elements. In the oxynitride, part of at least one selected from oxygen and nitrogen is substituted with carbon. Nb is preferable as the Group 5 element.

公开(公告)号：US08758578B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13260825

申请日：2010-08-05

申请人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

发明人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

IPC分类号： C25B9/00 ,  C25B9/06 ,  C25B11/00 ,  C25B11/04 ,  C25B9/16 ,  C25B9/12

CPC分类号： H01M14/005 ,  C25B1/003 ,  H01G9/205 ,  Y02E10/542 ,  Y02E60/364 ,  Y02P20/135

摘要： A photoelectrochemical cell (100) includes: a semiconductor electrode (120) including a substrate (121), a first n-type semiconductor layer (122) disposed on the substrate (121), and a second n-type semiconductor layer (123) and a conductor (124) disposed apart from each other on the first n-type semiconductor layer (122); a counter electrode (130) connected electrically to the conductor (124); an electrolyte (140) in contact with surfaces of the second n-type semiconductor layer (123) and the counter electrode (130); and a container (110) accommodating the semiconductor electrode (120), the counter electrode (130) and the electrolyte (140). In the semiconductor electrode (120), relative to a vacuum level, (I) band edge levels of a conduction band and a valence band in the second n-type semiconductor layer (123), respectively, are higher than band edge levels of a conduction band and a valence band in the first n-type semiconductor layer (122), (II) a Fermi level of the first n-type semiconductor layer (122) is higher than a Fermi level of the second n-type semiconductor layer (123), and (III) a Fermi level of the conductor (124) is higher than the Fermi level of the first n-type semiconductor layer (122). The photoelectrochemical cell (100) generates hydrogen by irradiation of the second n-type semiconductor layer (123) with light.

摘要翻译： 光电化学电池（100）包括：包括基板（121），设置在基板（121）上的第一n型半导体层（122）和第二n型半导体层（123））的半导体电极（120） 以及在所述第一n型半导体层（122）上彼此分离设置的导体（124）。 与所述导体（124）电连接的对电极（130）。 与第二n型半导体层（123）和对电极（130）的表面接触的电解液（140）; 以及容纳半导体电极（120），对电极（130）和电解质（140）的容器（110）。 在半导体电极（120）中，相对于真空度，第二n型半导体层（123）中的导带和价带的（I）带边缘电平分别高于 导电带和第一n型半导体层（122）中的价带，（II）第一n型半导体层（122）的费米能级高于第二n型半导体层（6）的费米能级 123），（III）导体（124）的费米能级高于第一n型半导体层（122）的费米能级。 光电化学电池（100）通过用光照射第二n型半导体层（123）产生氢。

公开(公告)号：US20130192984A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13876684

申请日：2012-08-01

申请人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

发明人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

IPC分类号： C25B11/04 ,  H01M8/06 ,  C25B9/00 ,  C25B1/04 ,  C25B1/00

CPC分类号： C25B11/0447 ,  B01J35/004 ,  C01B13/0207 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  H01M8/0656 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/368 ,  Y02E60/50

摘要： The NbON film of the present invention is a NbON film in which a photocurrent is generated by light irradiation. The NbON film of the present invention is desirably a single-phase film. The hydrogen generation device (600) of the present invention includes: an optical semiconductor electrode (620) including a conductor (621) and the NbON film (622) of the present invention disposed on the conductor (621); a counter electrode (630) connected electrically to the conductor (621); a water-containing electrolyte (640) disposed in contact with a surface of the NbON film (622) and a surface of the counter electrode (630); and a container (610) containing the optical semiconductor electrode (620), the counter electrode (630), and the electrolyte (640). In this device, hydrogen is generated by irradiating the NbON film (622) with light.

摘要翻译： 本发明的NbON膜是通过光照射产生光电流的NbON膜。 本发明的NbON膜优选为单相膜。 本发明的氢生成装置（600）包括：配置在导体（621）上的本发明的导体（621）和NbON膜（622）的光学半导体电极（620） 与所述导体（621）电连接的对电极（630）。 与所述NbON膜（622）的表面和所述对置电极（630）的表面接触地配置的含水电解质（640）。 和包含光学半导体电极（620），对电极（630）和电解质（640）的容器（610）。 在该装置中，通过用光照射NbON膜（622）来产生氢。

公开(公告)号：US09353449B2

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：US13876684

申请日：2012-08-01

申请人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

发明人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C16/00 ,  C25B11/04 ,  C01B13/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C25B1/00 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  H01M8/06 ,  B01J35/00

CPC分类号： C25B11/0447 ,  B01J35/004 ,  C01B13/0207 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  H01M8/0656 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/368 ,  Y02E60/50

摘要： The NbON film of the present invention is a NbON film in which a photocurrent is generated by light irradiation. The NbON film of the present invention is desirably a single-phase film. The hydrogen generation device (600) of the present invention includes: an optical semiconductor electrode (620) including a conductor (621) and the NbON film (622) of the present invention disposed on the conductor (621); a counter electrode (630) connected electrically to the conductor (621); a water-containing electrolyte (640) disposed in contact with a surface of the NbON film (622) and a surface of the counter electrode (630); and a container (610) containing the optical semiconductor electrode (620), the counter electrode (630), and the electrolyte (640). In this device, hydrogen is generated by irradiating the NbON film (622) with light.

摘要翻译： 本发明的NbON膜是通过光照射产生光电流的NbON膜。 本发明的NbON膜优选为单相膜。 本发明的氢生成装置（600）包括：配置在导体（621）上的本发明的导体（621）和NbON膜（622）的光学半导体电极（620） 与所述导体（621）电连接的对电极（630）。 与所述NbON膜（622）的表面和所述对置电极（630）的表面接触地配置的含水电解质（640）。 和包含光学半导体电极（620），对电极（630）和电解质（640）的容器（610）。 在该装置中，通过用光照射NbON膜（622）来产生氢。

公开(公告)号：US08853685B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13575770

申请日：2011-03-03

申请人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

发明人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

IPC分类号： H01L29/12 ,  C01B21/082 ,  C25B1/00 ,  H01M8/06

CPC分类号： H01M8/0656 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02E60/50

摘要： The optical semiconductor of the present invention is an optical semiconductor containing In, Ga, Zn, O and N, and has a composition in which a part of oxygen (O) is substituted by nitrogen (N) in a general formula: In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y, where x and y satisfy 0.2

摘要翻译： 本发明的光学半导体是含有In，Ga，Zn，O和N的光学半导体，其通式为：In 2 x Ga 2（1）中的一部分氧（O）被氮（N）取代的组成 -x）O 3（ZnO）y，其中x和y满足0.2

公开(公告)号：US20120292618A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13575770

申请日：2011-03-03

申请人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

发明人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

IPC分类号： H01L31/0248

CPC分类号： H01M8/0656 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02E60/50

摘要： The optical semiconductor of the present invention is an optical semiconductor containing In, Ga, Zn, O and N, and has a composition in which a part of oxygen (O) is substituted by nitrogen (N) in a general formula: In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y, where x and y satisfy 0.2

摘要翻译： 本发明的光学半导体是含有In，Ga，Zn，O和N的光学半导体，其通式为：In 2 x Ga 2（1）中的一部分氧（O）被氮（N）取代的组成 -x）O 3（ZnO）y，其中x和y满足0.2

公开(公告)号：US20120028141A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13260825

申请日：2010-08-05

申请人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

发明人： Takaiki Nomura ,  Takahiro Suzuki ,  Nobuhiro Miyata ,  Kazuhito Hato

IPC分类号： H01M8/06 ,  C25B9/00

CPC分类号： H01M14/005 ,  C25B1/003 ,  H01G9/205 ,  Y02E10/542 ,  Y02E60/364 ,  Y02P20/135

摘要： A photoelectrochemical cell (100) includes: a semiconductor electrode (120) including a substrate (121), a first n-type semiconductor layer (122) disposed on the substrate (121), and a second n-type semiconductor layer (123) and a conductor (124) disposed apart from each other on the first n-type semiconductor layer (122); a counter electrode (130) connected electrically to the conductor (124); an electrolyte (140) in contact with surfaces of the second n-type semiconductor layer (123) and the counter electrode (130); and a container (110) accommodating the semiconductor electrode (120), the counter electrode (130) and the electrolyte (140). In the semiconductor electrode (120), relative to a vacuum level, (I) band edge levels of a conduction band and a valence band in the second n-type semiconductor layer (123), respectively, are higher than band edge levels of a conduction band and a valence band in the first n-type semiconductor layer (122), (II) a Fermi level of the first n-type semiconductor layer (122) is higher than a Fermi level of the second n-type semiconductor layer (123), and (III) a Fermi level of the conductor (124) is higher than the Fermi level of the first n-type semiconductor layer (122). The photoelectrochemical cell (100) generates hydrogen by irradiation of the second n-type semiconductor layer (123) with light.

摘要翻译： 光电化学电池（100）包括：包括基板（121），设置在基板（121）上的第一n型半导体层（122）和第二n型半导体层（123））的半导体电极（120） 以及在所述第一n型半导体层（122）上彼此分离设置的导体（124）。 与所述导体（124）电连接的对电极（130）。 与第二n型半导体层（123）和对电极（130）的表面接触的电解液（140）; 以及容纳半导体电极（120），对电极（130）和电解质（140）的容器（110）。 在半导体电极（120）中，相对于真空度，第二n型半导体层（123）中的导带和价带的（I）带边缘电平分别高于 导电带和第一n型半导体层（122）中的价带，（II）第一n型半导体层（122）的费米能级高于第二n型半导体层（6）的费米能级 123），（III）导体（124）的费米能级高于第一n型半导体层（122）的费米能级。 光电化学电池（100）通过用光照射第二n型半导体层（123）产生氢。

公开(公告)号：US11082617B2

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：US16353765

申请日：2019-03-14

申请人： Naoto Asakura ,  Yoshitaka Kimura ,  Teruyuki Takei ,  Takahiro Suzuki

发明人： Naoto Asakura ,  Yoshitaka Kimura ,  Teruyuki Takei ,  Takahiro Suzuki

IPC分类号： H04N5/232 ,  H04N5/369

摘要： An electronic device includes a power supply and a power supply circuit. The power supply circuit is configured to alternately switch a state of the electronic device between a first state to supply power to another device and a second state to receive power from said another device, and stop a switching operation of the state of the electronic device when the electronic device is off, to fix the state of the electronic device to one of the first state and the second state.

公开(公告)号：US10058846B2

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：US15663952

申请日：2017-07-31

申请人： Yoshinori Saito ,  Masahide Miura ,  Seiji Nakahigashi ,  Hiromasa Suzuki ,  Takahiro Suzuki ,  Kosuke Iizuka ,  Minoru Ito ,  Ryota Nakashima

发明人： Yoshinori Saito ,  Masahide Miura ,  Seiji Nakahigashi ,  Hiromasa Suzuki ,  Takahiro Suzuki ,  Kosuke Iizuka ,  Minoru Ito ,  Ryota Nakashima

IPC分类号： B01J23/10 ,  B01J23/63 ,  B01J21/06 ,  B01J35/00 ,  B01J35/02 ,  B01J35/04 ,  B01J20/02 ,  B01J20/28 ,  B01J37/02 ,  B01J20/32 ,  B01D53/94

CPC分类号： B01J23/10 ,  B01D53/9445 ,  B01D53/945 ,  B01D2255/1023 ,  B01D2255/1025 ,  B01D2255/2061 ,  B01D2255/2063 ,  B01D2255/2066 ,  B01D2255/2092 ,  B01D2255/407 ,  B01D2255/9022 ,  B01D2255/908 ,  B01D2255/9202 ,  B01J20/0211 ,  B01J20/0225 ,  B01J20/28004 ,  B01J20/3236 ,  B01J23/63 ,  B01J35/0006 ,  B01J35/002 ,  B01J35/023 ,  B01J37/0244 ,  C01G25/00 ,  Y02T10/22

摘要： An catalyst for purifying exhaust gas comprising an OCS material that has sufficient heat resistance and achieves a favorable balance between the oxygen storage volume and the oxygen absorption/release rate includes an catalyst for purifying exhaust, which has a substrate and a catalyst coating layer formed on the substrate, wherein the catalyst coating layer comprises a ceria-zirconia-based composite oxide having a pyrochlore structure in an amount of 5 to 100 g/L based on the volume of the substrate, the ceria-zirconia-based composite oxide has a secondary particle size (D50) of 3 μm to 7 μm, and the ceria-zirconia-based composite oxide optionally contains praseodymium.

公开(公告)号：US20160370738A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：US15173364

申请日：2016-06-03

申请人： Takahiro Suzuki

发明人： Takahiro Suzuki

IPC分类号： G03G15/16

CPC分类号： G03G15/1605 ,  G03G15/6558 ,  G03G2215/0129

摘要： A recording medium conveyance guide device includes a conveyance guide disposed upstream from a transfer nip to transfer an image to a recording medium in a recording-medium conveyance direction, to at least partially contact the recording medium. The recording medium conveyance guide device further includes a drive device to move a leading edge of the conveyance guide from a first position to a second position closer to the transfer nip than the first position when the trailing edge of the recording medium approaches the leading edge of the conveyance guide.

摘要翻译： 记录介质传送引导装置包括设置在转印夹持部的上游的输送引导件，以将记录介质输送方向的图像转印到记录介质上，至少部分地与记录介质接触。 记录介质传送引导装置还包括驱动装置，当记录介质的后缘接近记录介质的前缘时，驱动装置将输送引导件的前边缘从第一位置移动到比第一位置更靠近转印夹持口的第二位置 运输指南。