公开(公告)号：US20050051823A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10833096

申请日：2004-04-28

申请人： Keisuke Nakazawa ,  Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Hiroshi Itokawa ,  Hiroyuki Kanaya

发明人： Keisuke Nakazawa ,  Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Hiroshi Itokawa ,  Hiroyuki Kanaya

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, and a capacitor provided above the semiconductor substrate and including a film which contains Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O and a dielectric film which contains Pb, Zr, Ti and O and which is provided on the film containing Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，包括半导体衬底和设置在半导体衬底之上的电容器，并且包括含有Pb，Sr，Zr，Ti，Ru和O的膜和包含Pb，Zr，Ti和O的电介质膜， 提供在含有Pb，Sr，Zr，Ti，Ru和O的膜上

公开(公告)号：US07573120B2

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US11170316

申请日：2005-06-30

申请人： Katsuaki Natori ,  Hiroyuki Kanaya ,  Koji Yamakawa

发明人： Katsuaki Natori ,  Hiroyuki Kanaya ,  Koji Yamakawa

IPC分类号： H01L29/93

CPC分类号： H01L27/11507 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, a capacitor which is disposed above the semiconductor substrate and in which a dielectric film is held between lower and upper electrodes, an oxide film formed in such a manner as to coat the capacitor and having a thickness of 5 nm or more and 50 nm or less, and a protective film formed on the oxide film by an ALD process.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括半导体衬底，电容器，其设置在半导体衬底上方，并且电介质膜保持在下电极和上电极之间，形成在这种 作为涂敷电容器的厚度为5nm以上且50nm以下的方式，以及通过ALD工艺在氧化物膜上形成的保护膜。

公开(公告)号：US07564089B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US10911501

申请日：2004-08-05

申请人： Soichi Yamazaki ,  Katsuaki Natori ,  Koji Yamakawa

发明人： Soichi Yamazaki ,  Katsuaki Natori ,  Koji Yamakawa

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

摘要： There is disclosed a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, and a capacitor provided above the semiconductor substrate, and including a bottom electrode, a dielectric film formed on the bottom electrode, and a top electrode formed on the dielectric film and having a plurality of hole patterns.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，包括半导体衬底和设置在半导体衬底之上的电容器，并且包括底部电极，形成在底部电极上的电介质膜和形成在电介质膜上并具有多个孔的顶部电极 模式。

公开(公告)号：US07233040B2

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：US10833096

申请日：2004-04-28

申请人： Keisuke Nakazawa ,  Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Hiroshi Itokawa ,  Hiroyuki Kanaya

发明人： Keisuke Nakazawa ,  Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Hiroshi Itokawa ,  Hiroyuki Kanaya

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, and a capacitor provided above the semiconductor substrate and including a film which contains Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O and a dielectric film which contains Pb, Zr, Ti and O and which is provided on the film containing Pb, Sr, Zr, Ti, Ru and O.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，包括半导体衬底和设置在半导体衬底之上的电容器，并且包括含有Pb，Sr，Zr，Ti，Ru和O的膜和包含Pb，Zr，Ti和O的电介质膜， 提供在含有Pb，Sr，Zr，Ti，Ru和O的膜上

公开(公告)号：US20050070043A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10673247

申请日：2003-09-30

申请人： Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Osamu Arisumi ,  Hiroshi Itokawa ,  Hiroyuki Kanaya ,  Kazuhiro Tomioka ,  Keisuke Nakazawa ,  Yasuyuki Taniguchi ,  Uli Egger

发明人： Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Osamu Arisumi ,  Hiroshi Itokawa ,  Hiroyuki Kanaya ,  Kazuhiro Tomioka ,  Keisuke Nakazawa ,  Yasuyuki Taniguchi ,  Uli Egger

IPC分类号： B23Q3/157 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L28/65

摘要： The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device equipped with a capacitor in which a dielectric film is used, wherein a complex oxide is used as a mask material when the dielectric film is etched.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件配备有使用电介质膜的电容器，其中当蚀刻所述电介质膜时，使用复合氧化物作为掩模材料。

公开(公告)号：US20050001251A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10834928

申请日：2004-04-30

申请人： Hiroshi Itokawa ,  Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori

发明人： Hiroshi Itokawa ,  Koji Yamakawa ,  Katsuaki Natori

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： A semiconductor device comprising a semiconductor substrate, and a capacitor provided above the semiconductor substrate, and including a bottom electrode, a top electrode and a dielectric film between the bottom and top electrodes, the bottom electrode including a conductive film selected from a noble metal film and a noble metal oxide film, a metal oxide film having a perovskite structure, provided between the dielectric film and the conductive film, expressed by ABO3, and containing first metal element as B-site element, and a metal film provided between the conductive film and the metal oxide film, and containing second metal element which is B-site element of a metal oxide having a perovskite structure, a decrease of Gibbs free energy when the second metal element forms oxide being larger than that when the first metal element forms oxide, a thickness of the metal oxide film being 5 nm or less.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括半导体衬底和设置在半导体衬底之上的电容器，并且在底电极和顶电极之间包括底电极，顶电极和电介质膜，底电极包括选自贵金属膜 和由ABO3表示的电介质膜和导电膜之间具有钙钛矿结构的金属氧化物膜，并且含有作为B位元素的第一金属元素的金属氧化物膜和设置在导电膜之间的金属膜 和金属氧化物膜，并且含有作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时，吉布斯自由能的降低大于第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能的降低 ，金属氧化物膜的厚度为5nm以下。

公开(公告)号：US20050230728A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11107890

申请日：2005-04-18

申请人： Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

发明人： Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L23/522 ,  H01L27/115 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device according to an aspect of the present invention comprises a semiconductor substrate, a ferroelectric capacitor, a protective film and an auxiliary capacitor. The ferroelectric capacitor is provided above the semiconductor substrate and comprises an upper electrode, a lower electrode and a ferroelectric film interposed between the upper and lower electrodes. The protective film is formed, covering the ferroelectric capacitor. The auxiliary capacitor is provided in a circuit section peripheral to the ferroelectric capacitor and uses the protective film as capacitor insulating film.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面的半导体器件包括半导体衬底，铁电电容器，保护膜和辅助电容器。 铁电电容器设置在半导体衬底上方，并且包括插入在上电极和下电极之间的上电极，下电极和铁电体膜。 形成保护膜，覆盖铁电电容器。 辅助电容器设置在铁电电容器外围的电路部分中，并且使用保护膜作为电容器绝缘膜。

公开(公告)号：US20050181559A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US10878051

申请日：2004-06-29

申请人： Katsuaki Natori ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

发明人： Katsuaki Natori ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/326 ,  H01L21/336 ,  H01L21/479 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

摘要： Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device, comprising forming a bottom electrode film of a capacitor above a semiconductor substrate, forming a dielectric film of the capacitor on the bottom electrode film, forming a top electrode film of the capacitor on the dielectric film, and forming a hydrogen barrier film after forming the top electrode film, the hydrogen barrier film preventing hydrogen from diffusing into the dielectric film, wherein forming the hydrogen barrier film includes forming an oxide film containing silicon and nitriding the oxide film.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上形成电容器的底部电极膜，在底部电极膜上形成电容器的电介质膜，在电介质膜上形成电容器的顶部电极膜， 在形成顶电极膜之后形成氢阻挡膜，防止氢扩散到电介质膜中的氢阻挡膜，其中形成氢阻挡膜包括形成含硅氧化膜并氮化氧化膜。

公开(公告)号：US20050110062A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10954183

申请日：2004-10-01

申请人： Katsuaki Natori ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

发明人： Katsuaki Natori ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L21/7687 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/55

摘要： A semiconductor device comprises a semiconductor substrate including a diffusion area, a capacitor provided above the semiconductor substrate and including a lower electrode, a dielectric film, and an upper electrode, a plug provided between the semiconductor substrate and the capacitor and having a lower end connected to the diffusion area and an upper end connected to the lower electrode, and a dummy plug provided between the semiconductor substrate and the capacitor and having a lower end not connected to the diffusion area and an upper end connected to the lower electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件包括：包括扩散区域的半导体衬底，设置在半导体衬底上方并包括下电极，电介质膜和上电极的电容器，设置在半导体衬底和电容器之间并具有下端连接的插头 扩散区域和连接到下电极的上端，以及设置在半导体衬底和电容器之间并具有未连接到扩散区域的下端和连接到下电极的上端的虚拟插头。

公开(公告)号：US07501675B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11107890

申请日：2005-04-18

申请人： Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

发明人： Katsuaki Natori ,  Soichi Yamazaki ,  Koji Yamakawa ,  Hiroyuki Kanaya

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device according to an aspect of the present invention comprises a semiconductor substrate, a ferroelectric capacitor, a protective film and an auxiliary capacitor. The ferroelectric capacitor is provided above the semiconductor substrate and comprises an upper electrode, a lower electrode and a ferroelectric film interposed between the upper and lower electrodes. The protective film is formed, covering the ferroelectric capacitor. The auxiliary capacitor is provided in a circuit section peripheral to the ferroelectric capacitor and uses the protective film as capacitor insulating film.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面的半导体器件包括半导体衬底，铁电电容器，保护膜和辅助电容器。 铁电电容器设置在半导体衬底上方，并且包括插入在上电极和下电极之间的上电极，下电极和铁电体膜。 形成保护膜，覆盖铁电电容器。 辅助电容器设置在铁电电容器外围的电路部分中，并且使用保护膜作为电容器绝缘膜。