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    Method Of Identifying Airborne Molecular Contamination Source
    23.
    发明申请
    Method Of Identifying Airborne Molecular Contamination Source 有权
    识别机载分子污染源的方法

    公开(公告)号：US20140095083A1

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：US13632530

    申请日：2012-10-01

    申请人： Tzu-Sou Chuang ,  Jeng-Jyi Hwang ,  Cheng-Lung Chou ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Tzu-Sou Chuang ,  Jeng-Jyi Hwang ,  Cheng-Lung Chou ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G01N33/00 ,  G06F15/00

    CPC分类号： G01N33/0004 ,  G06F15/00

    摘要： The present disclosure provides a method of identifying an airborne molecular contamination (AMC) leaking source in a fab. The method includes distributing a sensor in the fab, executing a forward computational fluid dynamics (CFD) simulation of an air flow in the fab, setting an inversed modeling of the forward CFD simulation of the air flow in the fab, building up a database of a spatial response probability distribution matrix of the sensor using an AMC measurement data in the fab, and identifying the AMC leaking source using the database of the spatial response probability distribution matrix of the sensor.

    摘要翻译： 本公开提供了一种在晶圆厂中识别空气传播分子污染（AMC）泄漏源的方法。 该方法包括在晶圆厂中分布传感器，对晶圆厂中的空气流进行前向计算流体动力学（CFD）仿真，设置晶圆厂中空气流的前向CFD模拟的反向建模，建立数据库 使用工厂中的AMC测量数据的传感器的空间响应概率分布矩阵，以及使用传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库来识别AMC泄漏源。

    Methods of fabricating metal hard masks
    24.
    发明授权
    Methods of fabricating metal hard masks 有权
    制造金属硬掩模的方法

    公开(公告)号：US08623468B2

    公开(公告)日：2014-01-07

    申请号：US13343857

    申请日：2012-01-05

    申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H05H1/24

    CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

    摘要： Methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods are described. The method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

    摘要翻译： 描述了通过这种方法制造金属硬掩模和金属硬掩模的方法。 该方法包括将至少一种金属反应物气体流入配置成执行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

    METAL HARD MASK FABRICATION
    26.
    发明申请
    METAL HARD MASK FABRICATION 有权
    金属硬掩模制造

    公开(公告)号：US20130174982A1

    公开(公告)日：2013-07-11

    申请号：US13343857

    申请日：2012-01-05

    申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

    CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

    摘要： The present disclosure provides for methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods. A method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

    摘要翻译： 本公开提供了通过这种方法制造的金属硬掩模和金属硬掩模的制造方法。 一种方法包括将至少一种金属反应物气体流入被配置为进行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中所述至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

    MULTI-FACTOR ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD AND SYSTEM FOR INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION
    27.
    发明申请
    MULTI-FACTOR ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD AND SYSTEM FOR INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION 有权
    用于集成电路制造的多因素高级过程控制方法和系统

    公开(公告)号：US20130110276A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13286337

    申请日：2011-11-01

    申请人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

    发明人： Nai-Han Cheng ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chun-Lin Chang ,  Chih-Hong Hwang

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5063 ,  G06F2217/10

    摘要： A method and system for integrated circuit fabrication is disclosed. In an example, the method includes determining a first process parameter of a wafer and a second process parameter of the wafer, the first process parameter and the second process parameter corresponding to different wafer characteristics; determining a variation of a device parameter of the wafer based on the first process parameter and the second process parameter; constructing a model for the device parameter as a function of the first process parameter and the second process parameter based on the determined variation of the device parameter of the wafer; and performing a fabrication process based on the model.

    摘要翻译： 公开了一种用于集成电路制造的方法和系统。 在一个示例中，该方法包括确定晶片的第一工艺参数和晶片的第二工艺参数，对应于不同晶片特性的第一工艺参数和第二工艺参数; 基于所述第一处理参数和所述第二处理参数确定所述晶片的设备参数的变化; 基于确定的晶片的器件参数的变化，构造作为第一工艺参数和第二工艺参数的函数的器件参数的模型; 并基于该模型执行制造过程。

    Beam Monitoring Device, Method, And System
    28.
    发明申请
    Beam Monitoring Device, Method, And System 有权
    光束监测装置，方法和系统

    公开(公告)号：US20130075624A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：US13241392

    申请日：2011-09-23

    申请人： Chih-Hong Hwang ,  Chun-Lin Chang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Chih-Hong Hwang ,  Chun-Lin Chang ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01J3/26

    CPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

    摘要： A beam monitoring device, method, and system is disclosed. An exemplary beam monitoring device includes a one dimensional (1D) profiler. The 1D profiler includes a Faraday having an insulation material and a conductive material. The beam monitoring device further includes a two dimensional (2D) profiler. The 2D profiler includes a plurality of Faraday having an insulation material and a conductive material. The beam monitoring device further includes a control arm. The control arm is operable to facilitate movement of the beam monitoring device in a longitudinal direction and to facilitate rotation of the beam monitoring device about an axis.

    摘要翻译： 公开了一种光束监测装置，方法和系统。 示例性束监测装置包括一维（1D）轮廓仪。 1D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的法拉第。 光束监测装置还包括二维（2D）轮廓仪。 2D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的多个法拉第。 光束监视装置还包括控制臂。 控制臂可操作以便于在纵向方向上使光束监视装置的移动，并且便于光束监视装置围绕轴的旋转。

    FRAME CELL FOR SHOT LAYOUT FLEXIBILITY
    29.
    发明申请
    FRAME CELL FOR SHOT LAYOUT FLEXIBILITY 有权
    用于拍摄布局灵活性的框架单元

    公开(公告)号：US20120181669A1

    公开(公告)日：2012-07-19

    申请号：US13409517

    申请日：2012-03-01

    申请人： Chin-Ming LIN ,  Chia-hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Cheng Chen ,  Chih-Wei Lin

    发明人： Chin-Ming LIN ,  Chia-hung Huang ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Cheng Chen ,  Chih-Wei Lin

    IPC分类号： H01L23/544 ,  G06F17/50

    CPC分类号： G03F7/70433

    摘要： A method includes establishing an initial shot layout in which a number of shots are arranged in vertically aligned columns and horizontally aligned rows to cover a semiconductor wafer. At least one of a row of shots or a column of shots is shifted relative to an adjacent row or column of shots to establish at least one additional shot layout that differs from the initial shot layout in that shots in the at least one shifted row or column of shots are not aligned with the shots in the adjacent row or column of shots with which they were aligned in the initial shot layout. One of the initial shot layout and the at least one additional shot layout is selected as a final shot layout. The wafer is exposed to light using the final shot layout.

    摘要翻译： 一种方法包括建立初始照片布局，其中多个照片布置在垂直排列的列和水平排列的行中以覆盖半导体晶片。 一排照片或一列照片中的至少一列相对于相邻的行或列发射位移，以建立与至少一个移位行中的拍摄中的初始镜头布局不同的至少一个附加镜头布局，或 一列照片不与在初始镜头布局中对齐的相邻行或照片列中的镜头对齐。 选择初始镜头布局和至少一个附加镜头布局之一作为最终镜头布局。 使用最终镜头布局将晶片曝光。

    Integration of bottom-up metal film deposition
    30.
    发明授权
    Integration of bottom-up metal film deposition 有权
    整合自下而上的金属膜沉积

    公开(公告)号：US08088685B2

    公开(公告)日：2012-01-03

    申请号：US12702525

    申请日：2010-02-09

    申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L29/78 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/48 ,  C23C16/484 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

    摘要： The described embodiments of methods of bottom-up metal deposition to fill interconnect and replacement gate structures enable gap-filling of fine features with high aspect ratios without voids and provide metal films with good film quality. In-situ pretreatment of metal film(s) deposited by gas cluster ion beam (GCIB) allows removal of surface impurities and surface oxide to improve adhesion between an underlying layer with the deposited metal film(s). Metal films deposited by photo-induced chemical vapor deposition (PI-CVD) using high energy of low-frequency light source(s) at relatively low temperature exhibit liquid-like nature, which allows the metal films to fill fine feature from bottom up. The post deposition annealing of metal film(s) deposited by PI-CVD densifies the metal film(s) and removes residual gaseous species from the metal film(s). For advanced manufacturing, such bottom-up metal deposition methods address the challenges of gap-filling of fine features with high aspect ratios.

    摘要翻译： 自下而上金属沉积以填充互连和替代栅极结构的方法的所述实施例使得能够在没有空隙的情况下间隙填充具有高纵横比的精细特征，并提供具有良好膜质量的金属膜。 通过气体簇离子束（GCIB）沉积的金属膜的原位预处理允许去除表面杂质和表面氧化物以改善下层与沉积的金属膜之间的粘附。 通过使用高能量的低频光源在较低温度下通过光致化学气相沉积（PI-CVD）沉积的金属膜表现出液体性质，这允许金属膜从下向上填充精细特征。 通过PI-CVD沉积的金属膜的后沉积退火致密化金属膜并从金属膜去除残留的气态物质。 对于先进的制造，这种自下而上的金属沉积方法解决了具有高纵横比的精细特征的间隙填充的挑战。