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    Radiation-emitting semiconductor body
    21.
    发明授权
    Radiation-emitting semiconductor body 有权
    辐射发射半导体体

    公开(公告)号：US08426843B2

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US12680620

    申请日：2008-08-28

    申请人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

    发明人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

    IPC分类号： H01L33/30

    CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Described is a radiation-emitting semiconductor body (1) with an active layer (2) for generation of radiation of a first wavelength (λ1) and a reemission layer (3) which comprises a quantum well structure (4) comprising a quantum layer structure (5) and a barrier layer structure (6). The reemission layer is intended for generation of incoherent radiation of a second wavelength (λ2) by absorption of the radiation of the first wavelength in the barrier layer structure.

    摘要翻译： 描述了具有用于产生第一波长（λ1）和再发射层（3）的辐射的有源层（2）的辐射发射半导体本体（1），其包括量子阱结构（4），其包括量子层结构 （5）和阻挡层结构（6）。 再发射层旨在通过吸收势垒层结构中的第一波长的辐射来产生第二波长（λ2）的非相干辐射。

    Optically pumped semiconductor device and method for producing it
    23.
    发明授权
    Optically pumped semiconductor device and method for producing it 有权
    光泵浦半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07209506B2

    公开(公告)日：2007-04-24

    申请号：US10903411

    申请日：2004-07-30

    申请人： Tony Albrecht

    发明人： Tony Albrecht

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/14 ,  H01S3/091 ,  H01S3/082

    CPC分类号： H01S5/141 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/4056

    摘要： An optically pumped radiation-emitting semiconductor device with a surface-emitting quantum well structure (10), which has at least one quantum layer (11), and an active layer (8) for generating pump radiation (9) for optically pumping the quantum well structure (10), which is arranged parallel to the quantum layer (11). The semiconductor device has at least one emission region (12), in which the quantum well structure (10) is optically pumped, and at least one pump region (13). The quantum well structure (10) and the active pump layer (8) extend over the pump region (13) and over the emission region (12) of the semiconductor device, and the pump radiation (9) is coupled into the emission region (12) in the lateral direction.

    摘要翻译： 具有表面发射量子阱结构（10）的光泵浦辐射发射半导体器件（10）具有至少一个量子层（11）和用于产生泵浦辐射的有源层（8），用于光学泵浦量子 阱结构（10），其平行于量子层（11）排列。 半导体器件具有至少一个发光区域（12），其中量子阱结构（10）被光学泵浦，以及至少一个泵浦区域（13）。 量子阱结构（10）和有源泵层（8）在泵浦区域（13）上延伸超过半导体器件的发射区域（12），泵浦辐射（9）耦合到发射区域 12）在横向上。

    Opto-electronic component with radiation-transmissive electrical contact layer
    24.
    发明授权
    Opto-electronic component with radiation-transmissive electrical contact layer 有权
    具有辐射透射电接触层的光电子元件

    公开(公告)号：US06979842B2

    公开(公告)日：2005-12-27

    申请号：US10749433

    申请日：2003-12-31

    申请人： Wilhelm Stein ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht

    发明人： Wilhelm Stein ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht

    IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/44

    摘要： An optoelectronic component with an epitaxial semiconductor layer sequence having an active zone that emits electromagnetic radiation, and at least one electrical contact region having at least one radiation-transmissive electrical contact layer, which contains ZnO and is electrically conductively connected to an outer semiconductor layer. The contact layer is provided with watertight material in such a way that it is substantially protected against moisture.

    摘要翻译： 具有外延半导体层序列的光电子部件具有发射电磁辐射的有源区，以及至少一个具有至少一个辐射透射电接触层的电接触区，该电接触区含有ZnO并与外部半导体层导电连接。 接触层以防水材料的方式设置有防水材料。

    Method of Producing a Plurality of Optoelectronic Semiconductor Chips
    25.
    发明申请
    Method of Producing a Plurality of Optoelectronic Semiconductor Chips 审中-公开
    制造多种光电半导体芯片的方法

    公开(公告)号：US20140138730A1

    公开(公告)日：2014-05-22

    申请号：US14126033

    申请日：2012-06-01

    申请人： Martin Reufer ,  Markus Maute ,  Tony Albrecht

    发明人： Martin Reufer ,  Markus Maute ,  Tony Albrecht

    IPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

    摘要： A method of producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips is provided. At least one trench is incorporated into the semiconductor body by means of at least one structuring process. The trench breaks through the active zone in a vertical direction. At least one cleaning process is performed at least on exposed locations of the semiconductor body in the region of the trench. The cleaning process includes at least one plasma cleaning process, and the plasma cleaning process at least reduces a number and/or a spatial expansion of structuring residues at exposed locations of the semiconductor body at least in the region of the trench. At least one passivation layer is applied at least to exposed locations of the semiconductor body in the region of the trench.

    摘要翻译： 提供了一种制造多个光电子半导体芯片的方法。 通过至少一个结构化工艺将至少一个沟槽结合到半导体本体中。 沟槽在垂直方向穿过活动区域。 至少在沟槽区域中至少在半导体本体的暴露位置上进行至少一次清洁处理。 清洁过程包括至少一个等离子体清洁过程，并且等离子体清洁过程至少在沟槽的区域中减少半导体本体的暴露位置处的构造残余物的数量和/或空间扩展。 至少一个钝化层至少施加到沟槽区域中的半导体本体的暴露位置。

    Optoelectronic semiconductor chip comprising a reflective layer
    26.
    发明授权
    Optoelectronic semiconductor chip comprising a reflective layer 有权
    包括反射层的光电半导体芯片

    公开(公告)号：US08710512B2

    公开(公告)日：2014-04-29

    申请号：US12922577

    申请日：2009-04-24

    申请人： Tony Albrecht ,  Andreas Weimar ,  Anna Kasprzak-Zablocka ,  Christian Eichinger ,  Kerstin Neveling

    发明人： Tony Albrecht ,  Andreas Weimar ,  Anna Kasprzak-Zablocka ,  Christian Eichinger ,  Kerstin Neveling

    IPC分类号： H01L33/42

    CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L33/08 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An optoelectronic semiconductor chip, comprising a first contact location (1) and a second contact location (2), and a reflective layer (3), which is directly electrically conductively connected to the second contact location. The reflective layer contains a metal that tends toward migration, and the reflective layer is arranged in such a way that a migration path (4) for the metal can form between the second and the first contact location. A means (6) which, during operation of the semiconductor chip, forms an electric field that counteracts the migration of the metal is provided at the semiconductor chip.

    摘要翻译： 包括第一接触位置（1）和第二接触位置（2）的光电子半导体芯片以及直接导电地连接到第二接触位置的反射层（3）。 反射层含有倾向于迁移的金属，并且反射层以这样的方式布置，使得金属的迁移路径（4）可以形成在第二和第一接触位置之间。 在半导体芯片的半导体芯片工作期间形成抵消金属迁移的电场的装置（6）。

    Radiation-emitting semiconductor chip
    28.
    发明授权
    Radiation-emitting semiconductor chip 有权
    辐射发射半导体芯片

    公开(公告)号：US08319250B2

    公开(公告)日：2012-11-27

    申请号：US12991864

    申请日：2009-04-17

    申请人： Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Karl Engl ,  Tony Albrecht

    发明人： Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Karl Engl ,  Tony Albrecht

    IPC分类号： H01L33/38

    CPC分类号： H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A radiation-emitting semiconductor chip (1) is provided, which comprises a carrier (5), a semiconductor body (2) with a semiconductor layer sequence, a first contact (35) and a second contact (36). The semiconductor layer sequence comprises an active region (20) provided for generating radiation, which is arranged between a first semiconductor layer (21) and a second semiconductor layer (22). The carrier (5) comprises a major surface (51) facing the semiconductor body (2). The first semiconductor layer (21) is arranged on the side of the active region (20) facing the major surface (51) of the carrier (5) and is electrically contactable by means of the first contact (35). The second semiconductor layer (22) is electrically contactable by means of the second contact (36). A protection diode (4) is formed in a current path extending between the first contact (35) and the second contact (36) through the carrier (5).

    摘要翻译： 提供了一种辐射发射半导体芯片（1），其包括载体（5），具有半导体层序列的半导体本体（2），第一触点（35）和第二触点（36）。 半导体层序列包括设置在第一半导体层（21）和第二半导体层（22）之间的用于产生辐射的有源区（20）。 载体（5）包括面向半导体本体（2）的主表面（51）。 第一半导体层（21）布置在与载体（5）的主表面（51）相对的有源区域（20）的侧面上，并且可通过第一触点（35）电接触。 第二半导体层（22）可通过第二接触件（36）电接触。 保护二极管（4）形成在通过载体（5）在第一接触件（35）和第二接触件（36）之间延伸的电流通路中。

    Radiation-emitting semiconductor component
    29.
    发明授权
    Radiation-emitting semiconductor component 有权
    辐射发射半导体元件

    公开(公告)号：US07620087B2

    公开(公告)日：2009-11-17

    申请号：US11047833

    申请日：2005-01-31

    申请人： Marc Philippens ,  Tony Albrecht

    发明人： Marc Philippens ,  Tony Albrecht

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S2301/18

    摘要： A radiation-emitting semiconductor component comprising a semiconductor body (3) with a first active zone (1) and a second active zone (2) arranged above the first active zone, the first active zone being provided for generating a radiation having a first wavelength λ1 (11) and the second active zone being provided for generating a radiation having a second wavelength λ2 (22), the radiation having the first wavelength λ1 being coherent and the radiation having the second wavelength λ2 being incoherent.

    摘要翻译： 一种辐射发射半导体部件，包括具有第一有源区（1）的半导体本体（3）和布置在所述第一有源区上方的第二有源区（2），所述第一有源区被设置用于产生具有第一波长 λ1（11）并且第二有源区被提供用于产生具有第二波长λ2（22）的辐射，所述具有第一波长λ1的辐射是相干的，并且具有第二波长λ2的辐射是不相干的。