公开(公告)号：US08710512B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US12922577

申请日：2009-04-24

申请人： Tony Albrecht ,  Andreas Weimar ,  Anna Kasprzak-Zablocka ,  Christian Eichinger ,  Kerstin Neveling

发明人： Tony Albrecht ,  Andreas Weimar ,  Anna Kasprzak-Zablocka ,  Christian Eichinger ,  Kerstin Neveling

IPC分类号： H01L33/42

CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L33/08 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip, comprising a first contact location (1) and a second contact location (2), and a reflective layer (3), which is directly electrically conductively connected to the second contact location. The reflective layer contains a metal that tends toward migration, and the reflective layer is arranged in such a way that a migration path (4) for the metal can form between the second and the first contact location. A means (6) which, during operation of the semiconductor chip, forms an electric field that counteracts the migration of the metal is provided at the semiconductor chip.

摘要翻译： 包括第一接触位置（1）和第二接触位置（2）的光电子半导体芯片以及直接导电地连接到第二接触位置的反射层（3）。 反射层含有倾向于迁移的金属，并且反射层以这样的方式布置，使得金属的迁移路径（4）可以形成在第二和第一接触位置之间。 在半导体芯片的半导体芯片工作期间形成抵消金属迁移的电场的装置（6）。

公开(公告)号：US08592236B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US11986909

申请日：2007-11-27

申请人： Tony Albrecht ,  Norbert Linder ,  Johann Luft

发明人： Tony Albrecht ,  Norbert Linder ,  Johann Luft

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/18305 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/1062 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/183 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S2301/166

摘要： A method for manufacturing an optically pumped surface-emitting semiconductor laser device, wherein a surface-emitting semiconductor laser layer sequence having a quantum confinement structure is applied onto a common substrate. The surface-emitting semiconductor laser layer sequence outside an intended laser region is removed and a region is exposed. An edge-emitting semiconductor layer sequence is applied onto the exposed region over the common substrate, wherein the exposed region is exposed via the removing step, and the exposed region is suitable for transmitting pump radiation into the quantum confinement structure. A current injection path is then formed in the edge-emitting semiconductor layer sequence.

摘要翻译： 一种用于制造光泵浦表面发射半导体激光器件的方法，其中将具有量子限制结构的表面发射半导体激光器层序列施加到公共衬底上。 除去期望的激光区域外的表面发射半导体激光层序列并暴露区域。 将边缘发射半导体层序列施加在公共衬底上的暴露区域上，其中通过去除步骤暴露暴露区域，并且暴露区域适于将泵浦辐射传输到量子限制结构中。 然后在边缘发射半导体层序列中形成电流注入路径。

公开(公告)号：US08319250B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12991864

申请日：2009-04-17

申请人： Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Karl Engl ,  Tony Albrecht

发明人： Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Karl Engl ,  Tony Albrecht

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor chip (1) is provided, which comprises a carrier (5), a semiconductor body (2) with a semiconductor layer sequence, a first contact (35) and a second contact (36). The semiconductor layer sequence comprises an active region (20) provided for generating radiation, which is arranged between a first semiconductor layer (21) and a second semiconductor layer (22). The carrier (5) comprises a major surface (51) facing the semiconductor body (2). The first semiconductor layer (21) is arranged on the side of the active region (20) facing the major surface (51) of the carrier (5) and is electrically contactable by means of the first contact (35). The second semiconductor layer (22) is electrically contactable by means of the second contact (36). A protection diode (4) is formed in a current path extending between the first contact (35) and the second contact (36) through the carrier (5).

摘要翻译： 提供了一种辐射发射半导体芯片（1），其包括载体（5），具有半导体层序列的半导体本体（2），第一触点（35）和第二触点（36）。 半导体层序列包括设置在第一半导体层（21）和第二半导体层（22）之间的用于产生辐射的有源区（20）。 载体（5）包括面向半导体本体（2）的主表面（51）。 第一半导体层（21）布置在与载体（5）的主表面（51）相对的有源区域（20）的侧面上，并且可通过第一触点（35）电接触。 第二半导体层（22）可通过第二接触件（36）电接触。 保护二极管（4）形成在通过载体（5）在第一接触件（35）和第二接触件（36）之间延伸的电流通路中。

公开(公告)号：US07620087B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US11047833

申请日：2005-01-31

申请人： Marc Philippens ,  Tony Albrecht

发明人： Marc Philippens ,  Tony Albrecht

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S2301/18

摘要： A radiation-emitting semiconductor component comprising a semiconductor body (3) with a first active zone (1) and a second active zone (2) arranged above the first active zone, the first active zone being provided for generating a radiation having a first wavelength λ1 (11) and the second active zone being provided for generating a radiation having a second wavelength λ2 (22), the radiation having the first wavelength λ1 being coherent and the radiation having the second wavelength λ2 being incoherent.

摘要翻译： 一种辐射发射半导体部件，包括具有第一有源区（1）的半导体本体（3）和布置在所述第一有源区上方的第二有源区（2），所述第一有源区被设置用于产生具有第一波长 λ1（11）并且第二有源区被提供用于产生具有第二波长λ2（22）的辐射，所述具有第一波长λ1的辐射是相干的，并且具有第二波长λ2的辐射是不相干的。

公开(公告)号：US07521723B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US10631384

申请日：2003-07-31

申请人： Werner Plass ,  Christian Jung ,  Tony Albrecht ,  Udo Streller

发明人： Werner Plass ,  Christian Jung ,  Tony Albrecht ,  Udo Streller

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/18311 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/3202

摘要： A surface emitting semiconductor laser chip contains a semiconductor body, which has, at least partly, a crystal structure with principal crystal directions, a radiation exit face, and side faces laterally delimiting the semiconductor body. At least one of the side faces is disposed obliquely with respect to the principal crystal directions.

摘要翻译： 表面发射半导体激光器芯片包含半导体本体，至少部分地具有主晶体的晶体结构，辐射出射面和横向限定半导体本体的侧面。 至少一个侧面相对于主晶体方向倾斜地设置。

公开(公告)号：US20080165811A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11597951

申请日：2005-04-29

申请人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

发明人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

摘要： A surface-emitting semiconductor laser component, in particular an electrically pumped semiconductor laser component, featuring emission in a vertical direction. The component is provided for the generation of laser radiation by means of an external optical resonator (4, 5). The component comprises a semiconductor body with a semiconductor layer sequence (2) having a lateral main direction of extension and an active zone (3) provided for generation of radiation. A radiation-transmissive contact layer (6) is arranged within the resonator and is electrically conductively connected to the semiconductor body.

摘要翻译： 表面发射半导体激光器部件，特别是具有在垂直方向上发射的电泵浦半导体激光器部件。 该组件被提供用于通过外部光学谐振器（4,5）产生激光辐射。 该部件包括具有半导体层序列（2）的半导体本体，该半导体层序列（2）具有横向主要延伸方向，以及提供用于产生辐射的活动区域（3）。 辐射透射接触层（6）布置在谐振器内并与半导体本体导电连接。

公开(公告)号：US20060039437A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US11249094

申请日：2005-10-12

申请人： Tony Albrecht ,  Norbert Linder ,  Johann Luft

发明人： Tony Albrecht ,  Norbert Linder ,  Johann Luft

IPC分类号： H01S3/091 ,  H01S3/092

CPC分类号： H01S5/18305 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/1062 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/183 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S2301/166

摘要： The invention is directed to an optically pumped surface-emitting semiconductor laser device having at least one radiation-generating quantum well structure and at least one pump radiation source for optically pumping the quantum well structure, whereby the pump radiation source comprises an edge-emitting semiconductor structure. The radiation-generating quantum well structure and the edge-emitting semiconductor structure are epitaxially grown on a common substrate. A very efficient and uniform optical pumping of the radiation-generating quantum well structure is advantageously possible with this monolithically produced semiconductor laser device. Methods for manufacturing inventive semiconductor laser devices are also specified.

公开(公告)号：US06954479B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US09824086

申请日：2001-04-02

申请人： Tony Albrecht ,  Norbert Linder ,  Johann Luft

发明人： Tony Albrecht ,  Norbert Linder ,  Johann Luft

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40 ,  H01S5/00 ,  H01S3/091

CPC分类号： H01S5/18305 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/1062 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/183 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S2301/166

摘要： The invention is directed to an optically pumped surface-emitting semiconductor laser device having at least one radiation-generating quantum well structure and at least one pump radiation source for optically pumping the quantum well structure, whereby the pump radiation source comprises an edge-emitting semiconductor structure. The radiation-generating quantum well structure and the edge-emitting semiconductor structure are epitaxially grown on a common substrate. A very efficient and uniform optical pumping of the radiation-generating quantum well structure is advantageously possible with this monolithically produced semiconductor laser device. Methods for manufacturing inventive semiconductor laser devices are also specified.

摘要翻译： 本发明涉及一种光泵浦表面发射半导体激光器件，其具有至少一个辐射产生量子阱结构和用于光学泵浦量子阱结构的至少一个泵浦辐射源，由此泵浦辐射源包括边缘发射半导体 结构体。 辐射产生量子阱结构和边缘发射半导体结构在公共衬底上外延生长。 利用这种单片制造的半导体激光装置，可以有利地实现发射量子阱结构的非常有效和均匀的光泵浦。 还规定了制造本发明的半导体激光器件的方法。

公开(公告)号：US20120319299A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13580646

申请日：2011-02-10

申请人： Tony Albrecht ,  Markus Maute ,  Martin Reufer ,  Heribert Zull

发明人： Tony Albrecht ,  Markus Maute ,  Martin Reufer ,  Heribert Zull

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor diode has a first semiconductor layer (102) of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type having a doping. The second semiconductor layer has a vertical electrical via region (106) which is connected to the first semiconductor layer and in which the doping is modified in such a way that the electrical via region (106) has the first conductivity type. A method for producing such a semiconductor diode is described.

摘要翻译： 半导体二极管具有第一导电类型的第一半导体层（102）和具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层。 第二半导体层具有连接到第一半导体层的垂直电通孔区域（106），并且其中掺杂被修改为使得电通孔区域（106）具有第一导电类型。 描述了制造这种半导体二极管的方法。

公开(公告)号：US20120267662A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13388265

申请日：2010-07-13

申请人： Markus Maute ,  Tony Albrecht ,  Anna Kasprzak-Zablocka

发明人： Markus Maute ,  Tony Albrecht ,  Anna Kasprzak-Zablocka

IPC分类号： H01L33/60

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

摘要： A light-emitting diode chip comprises a semiconductor body (1) having a first (1A) and a second region (1B); an active zone (2) within the semiconductor body (1), which active zone, during the operation of the light-emitting diode chip (100), emits electromagnetic radiation through a radiation coupling-out area (11) formed at least in places by a first main area (111) of the semiconductor body (1); at least one trench (3) in the semiconductor body (1) wherein parts of the semiconductor body (1) are removed in the region of the trench, wherein the at least one trench (3) extends at least as far as the active zone (2), the at least one trench (3) completely surrounds the first region (1A) in a lateral direction, and the second region (1B) completely surrounds the at least one trench (3) and the first region (1A) in a lateral direction.

摘要翻译： 发光二极管芯片包括具有第一（1A）和第二区域（1B）的半导体本体（1）; 在所述半导体本体（1）内的有源区（2）中，所述有源区在所述发光二极管芯片（100）的操作期间通过至少形成在所述发光二极管芯片（100）上的辐射耦合区域（11）发射电磁辐射， 通过半导体本体（1）的第一主区域（111）; 在所述半导体主体（1）中的至少一个沟槽（3），其中所述半导体主体（1）的部分在所述沟槽的区域中被去除，其中所述至少一个沟槽（3）至少延伸到所述有源区 （2）中，所述至少一个沟槽（3）在横向方向上完全围绕所述第一区域（1A），并且所述第二区域（1B）完全围绕所述至少一个沟槽（3）和所述第一区域（1A） 横向。