公开(公告)号：US08563377B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13443986

申请日：2012-04-11

申请人： Joseph A. Yedinak ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

公开(公告)号：US20120193748A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13443986

申请日：2012-04-11

申请人： Joseph A. Yedinak ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

摘要翻译： 公开了具有提供增加的击穿电压和其它益处的特征的功率半导体器件。

公开(公告)号：US08043913B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US13075091

申请日：2011-03-29

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A method of forming a field effect transistor includes: forming a trench in a semiconductor region; forming a shield electrode in the trench; performing an angled sidewall implant of impurities of the first conductivity type to form a channel enhancement region adjacent the trench; forming a body region of a second conductivity type in the semiconductor region; and forming a source region of the first conductivity type in the body region, the source region and an interface between the body region and the semiconductor region defining a channel region therebetween, the channel region extending along the trench sidewall. The channel enhancement region partially extends into a lower portion of the channel region to thereby reduce a resistance of the channel region.

摘要翻译： 形成场效应晶体管的方法包括：在半导体区域中形成沟槽; 在沟槽中形成屏蔽电极; 执行第一导电类型的杂质的成角度的侧壁注入，以形成与沟槽相邻的沟道增强区域; 在半导体区域中形成第二导电类型的体区; 并且在所述体区域中形成所述第一导电类型的源极区域，所述源极区域和所述体区域与所述半导体区域之间的界面在所述体区域中形成沟道区域，所述沟道区域沿着所述沟槽侧壁延伸。 沟道增强区域部分地延伸到沟道区的下部，从而减小沟道区的电阻。

公开(公告)号：US20100207205A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12389335

申请日：2009-02-19

申请人： Thomas E. Grebs ,  Mark Rinehimer ,  Joseph Yedinak ,  Dean E. Probst ,  Gary Dolny ,  John Benjamin

发明人： Thomas E. Grebs ,  Mark Rinehimer ,  Joseph Yedinak ,  Dean E. Probst ,  Gary Dolny ,  John Benjamin

IPC分类号： H01L27/088 ,  G03F1/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8725 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Various structures and methods for improving the performance of trench-shielded power semiconductor devices and the like are described.

摘要翻译： 描述了用于改善沟槽屏蔽功率半导体器件等的性能的各种结构和方法。

公开(公告)号：US20100140696A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12417586

申请日：2009-04-02

申请人： Joseph A. Yedinak ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

摘要翻译： 公开了具有提供增加的击穿电压和其它益处的特征的功率半导体器件。

公开(公告)号：US20090230465A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12404909

申请日：2009-03-16

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A field effect transistor includes a body region of a first conductivity type over a semiconductor region of a second conductivity type. A gate trench extends through the body region and terminates within the semiconductor region. At least one conductive shield electrode is disposed in the gate trench. A gate electrode is disposed in the gate trench over but insulated from the at least one conductive shield electrode. A shield dielectric layer insulates the at lease one conductive shield electrode from the semiconductor region. A gate dielectric layer insulates the gate electrode from the body region. The shield dielectric layer is formed such that it flares out and extends directly under the body region.

摘要翻译： 场效应晶体管包括在第二导电类型的半导体区域上的第一导电类型的体区。 栅极沟槽延伸穿过身体区域并终止在半导体区域内。 至少一个导电屏蔽电极设置在栅极沟槽中。 栅极电极设置在栅极沟槽中，但与至少一个导电屏蔽电极绝缘。 屏蔽介电层绝缘至少一个导电屏蔽电极与半导体区域。 栅极电介质层使栅电极与体区绝缘。 屏蔽电介质层形成为使其伸出并直接延伸到身体区域下方。

公开(公告)号：US20080135931A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US12032123

申请日：2008-02-15

申请人： Ashok Challa ,  Alan Elbanhawy ,  Thomas E. Grebs ,  Nathan L. Kraft ,  Dean E. Probst ,  Rodney S. Ridlay ,  Steven P. Sapp ,  Qi Wang ,  Chongman Yun ,  J.G. Lee ,  Peter H. Wilson ,  Joseph A. Yedinak ,  J.Y. Jung ,  H.C. Jang ,  Babak S. Sanl ,  Richard Stokes ,  Gary M. Dolny ,  John Mytych ,  Becky Losee ,  Adam Selsley ,  Robert Herrick ,  James J. Murphy ,  Gordon K. Madson ,  Bruce D. Marchant ,  Christopher L. Rexer ,  Christopher B. Kocon ,  Debra S. Woolsey

发明人： Ashok Challa ,  Alan Elbanhawy ,  Thomas E. Grebs ,  Nathan L. Kraft ,  Dean E. Probst ,  Rodney S. Ridlay ,  Steven P. Sapp ,  Qi Wang ,  Chongman Yun ,  J.G. Lee ,  Peter H. Wilson ,  Joseph A. Yedinak ,  J.Y. Jung ,  H.C. Jang ,  Babak S. Sanl ,  Richard Stokes ,  Gary M. Dolny ,  John Mytych ,  Becky Losee ,  Adam Selsley ,  Robert Herrick ,  James J. Murphy ,  Gordon K. Madson ,  Bruce D. Marchant ,  Christopher L. Rexer ,  Christopher B. Kocon ,  Debra S. Woolsey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49816 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7831 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H02M3/00 ,  H02M3/33592 ,  H02M7/48 ,  Y02B70/1475 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor power device includes a drift region of a first conductivity type, a well region extending above the drift region and having a second conductivity type opposite the first conductivity type, an active trench extending through the well region and into the drift region, source regions having the first conductivity type formed in the well region adjacent the active trench, and a first termination trench extending below the well region and disposed at an outer edge of an active region of the device. The sidewalls and bottom of the active trench are lined with dielectric material, and substantially filled with a first conductive layer forming an upper electrode and a second conductive layer forming a lower electrode, the upper electrode being disposed above the lower electrode and separated therefrom by inter-electrode dielectric material. The first termination trench can be lined with a layer of dielectric material that is thicker than the dielectric material lining the sidewalls of the active trench, and is substantially filled with conductive material.

摘要翻译： 半导体功率器件包括第一导电类型的漂移区域，在漂移区域上方延伸并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区域，延伸穿过阱区域并进入漂移区域的有源沟槽，源极区域 具有形成在邻近有源沟槽的阱区中的第一导电类型，以及在阱区下延伸并设置在器件的有源区的外边缘处的第一端接沟槽。 有源沟槽的侧壁和底部衬有介电材料，并且基本上填充有形成上电极的第一导电层和形成下电极的第二导电层，上电极设置在下电极之上， 电介质材料。 第一端接沟槽可以衬有一层电介质材料，其比在有源沟槽侧壁上的电介质材料更厚，并且基本上填充有导电材料。