公开(公告)号：US20110230580A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12994544

申请日：2009-09-08

申请人： Scott D. Allen ,  Geoffrey W. Coates ,  Anna E. Cherian ,  Chris A. Simoneau ,  Alexei A. Gridnev ,  Jay J. Farmer

发明人： Scott D. Allen ,  Geoffrey W. Coates ,  Anna E. Cherian ,  Chris A. Simoneau ,  Alexei A. Gridnev ,  Jay J. Farmer

IPC分类号： C07C69/96 ,  C07D493/04 ,  C08G65/26 ,  C08G18/00 ,  C09D175/04 ,  B01J31/02

CPC分类号： C08G64/34 ,  C08G18/44 ,  C08G64/0208

摘要： In one aspect, the present disclosure encompasses polymerization systems for the copolymerization of CO2 and epoxides comprising 1) a catalyst including a metal coordination compound having a permanent ligand set and at least one ligand that is a polymerization initiator, and 2) a chain transfer agent having two or more sites that can initiate polymerization. In a second aspect, the present disclosure encompasses methods for the synthesis of polycarbonate polyols using the inventive polymerization systems. In a third aspect, the present disclosure encompasses polycarbonate polyol compositions characterized in that the polymer chains have a high percentage of —OH end groups and a high percentage of carbonate linkages. The compositions are further characterized in that they contain polymer chains having an embedded polyfunctional moiety linked to a plurality of individual polycarbonate chains.

摘要翻译： 一方面，本公开内容涵盖用于CO 2和环氧化物共聚的聚合体系，其包括1）包含具有永久性配体组的金属配位化合物和至少一种作为聚合引发剂的配体的催化剂，和2）链转移剂 具有两个或更多个可引发聚合的位点。 在第二方面，本发明包括使用本发明聚合体系合成聚碳酸酯多元醇的方法。 在第三方面，本公开内容包括聚碳酸酯多元醇组合物，其特征在于聚合物链具有高百分比的-OH端基和高百分比的碳酸酯键。 组合物的特征还在于它们含有聚合物链，其具有与多个单独的聚碳酸酯链连接的嵌入的多官能部分。

公开(公告)号：US20110218127A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13126607

申请日：2009-10-30

申请人： Scott D. Allen ,  Chris A. Simoneau ,  John M. Salladay ,  David M. Hatfield ,  John W. Stevens

发明人： Scott D. Allen ,  Chris A. Simoneau ,  John M. Salladay ,  David M. Hatfield ,  John W. Stevens

IPC分类号： C08L69/00 ,  C08G64/18 ,  C08K3/20 ,  C08G64/34 ,  C09K8/60

CPC分类号： C09K8/588 ,  C08G64/0208 ,  C08G64/18 ,  C08G64/183 ,  C08G65/48 ,  C08G81/00 ,  C08L69/00 ,  C09K8/594 ,  E21B43/16 ,  Y02P20/544

摘要： The disclosure pertains to amphiphilic block copolymers comprising an aliphatic polycarbonate chain coupled to a hydrophilic polymer. Such amphiphilic polymers may have the formula A-L-B, where A- is a polycarbonate or polyethercarbonate chain having from about 3 to about 500 repeating units, L is a linker moiety and —B is a hydrophilic oligomer having from about 4 to about 200 repeating units. Provided copolymers are useful as surfactants capable of emulsifying aqueous solutions and supercritical carbon dioxide. Provided copolymers also have utility as additives for use in enhanced oil recovery methods.

摘要翻译： 本公开涉及包含与亲水性聚合物偶合的脂族聚碳酸酯链的两亲性嵌段共聚物。 这种两亲聚合物可以具有式A-L-B，其中A-是具有约3至约500个重复单元的聚碳酸酯或聚醚碳酸酯链，L是连接部分，-B是具有约4至约200个重复单元的亲水性低聚物。 提供的共聚物可用作能够乳化水溶液和超临界二氧化碳的表面活性剂。 提供的共聚物也可用作用于增强采油方法的添加剂。

公开(公告)号：US20090014807A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11777290

申请日：2007-07-13

申请人： Teck Jung TANG ,  Dae Kwon Kang ,  Sunfei Fang ,  Tae Hoon Lee ,  Scott D. Allen ,  Fang Chen ,  Frank Huebinger ,  Jun Jung Kim ,  Jae Eun Park

发明人： Teck Jung TANG ,  Dae Kwon Kang ,  Sunfei Fang ,  Tae Hoon Lee ,  Scott D. Allen ,  Fang Chen ,  Frank Huebinger ,  Jun Jung Kim ,  Jae Eun Park

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7843

摘要： Dual stress liners for CMOS applications are provided. The dual stress liners can be formed from silicon nitride having a first portion for inducing a first stress and a second portion for inducing a second stress. An interface between the first and second stress portions is self-aligned and co-planar. To produce a co-planar self-aligned interface, polishing, for example, mechanical chemical polishing is used.

摘要翻译： 提供用于CMOS应用的双重应力衬垫。 双重应力衬垫可以由具有用于诱发第一应力的第一部分的氮化硅和用于引起第二应力的第二部分形成。 第一和第二应力部分之间的界面是自对准的并且是共面的。 为了产生共面自对准界面，使用例如机械化学抛光进行抛光。

公开(公告)号：US20080262164A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12155962

申请日：2008-06-12

申请人： Geoffrey W. Coates ,  Scott D. Allen ,  Claire Cohen ,  Kathryn Peretti ,  Hiroharu Ajiro

发明人： Geoffrey W. Coates ,  Scott D. Allen ,  Claire Cohen ,  Kathryn Peretti ,  Hiroharu Ajiro

IPC分类号： C07F15/06 ,  C08G65/08

CPC分类号： C08G65/10 ,  C08G65/08

摘要： (Salph or methoxy salph) Co (initiating ligand) catalyze homopolymerizing rac-PO to produce pure highly isotactic PPO and rac-1-butylene oxide to produce pure isotactic poly(butylene oxide). A product is unfractionated isotactic PPO of m-dyad content >81%, normally at least 99%.

公开(公告)号：US20080220581A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12120286

申请日：2008-05-14

申请人： Scott D. Allen ,  Cyril Cabral ,  Kevin K. Dezfulian ,  Sunfei Fang ,  Brian J. Greene ,  Rajarao Jammy ,  Christian Lavoie ,  Zhijiong Luo ,  Hung Ng ,  Chun-Yung Sung ,  Clement H. Wann ,  Huilong Zhu

发明人： Scott D. Allen ,  Cyril Cabral ,  Kevin K. Dezfulian ,  Sunfei Fang ,  Brian J. Greene ,  Rajarao Jammy ,  Christian Lavoie ,  Zhijiong Luo ,  Hung Ng ,  Chun-Yung Sung ,  Clement H. Wann ,  Huilong Zhu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

摘要： An opto-thermal annealing method for forming a field effect transistor uses a reflective metal gate so that electrical properties of the metal gate and also interface between the metal gate and a gate dielectric are not compromised when opto-thermal annealing a source/drain region adjacent the metal gate. Another opto-thermal annealing method may be used for simultaneously opto-thermally annealing: (1) a silicon layer and a silicide forming metal layer to form a fully silicided gate; and (2) a source/drain region to form an annealed source/drain region. An additional opto-thermal annealing method may use a thermal insulator layer in conjunction with a thermal absorber layer to selectively opto-thermally anneal a silicon layer and a silicide forming metal layer to form a fully silicide gate.

摘要翻译： 用于形成场效应晶体管的光热退火方法使用反射金属栅极，使得当相邻的源极/漏极区域进行光热退火时，金属栅极的电特性以及金属栅极和栅极电介质之间的界面不受损害 金属门。 另一种光热退火方法可以用于同时光热退火：（1）硅层和形成硅化物的金属层以形成完全硅化的栅极; 和（2）源/漏区以形成退火的源/漏区。 附加的光热退火方法可以使用与热吸收层结合的热绝缘层来选择性地使硅层和形成硅化物的金属层光退火以形成完全硅化物栅极。

公开(公告)号：US07410852B2

公开(公告)日：2008-08-12

申请号：US11408522

申请日：2006-04-21

申请人： Scott D. Allen ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin K. Dezfulian ,  Sunfei Fang ,  Brian J. Greene ,  Rajarao Jammy ,  Christian Lavoie ,  Zhijiong Luo ,  Hung Ng ,  Chun-Yung Sung ,  Clement H. Wann ,  Huilong Zhu

发明人： Scott D. Allen ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin K. Dezfulian ,  Sunfei Fang ,  Brian J. Greene ,  Rajarao Jammy ,  Christian Lavoie ,  Zhijiong Luo ,  Hung Ng ,  Chun-Yung Sung ,  Clement H. Wann ,  Huilong Zhu

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/42

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

摘要： An opto-thermal annealing method for forming a field effect transistor uses a reflective metal gate so that electrical properties of the metal gate and also interface between the metal gate and a gate dielectric are not compromised when opto-thermal annealing a source/drain region adjacent the metal gate. Another opto-thermal annealing method may be used for simultaneously opto-thermally annealing: (1) a silicon layer and a silicide forming metal layer to form a fully silicided gate; and (2) a source/drain region to form an annealed source/drain region. An additional opto-thermal annealing method may use a thermal insulator layer in conjunction with a thermal absorber layer to selectively opto-thermally anneal a silicon layer and a silicide forming metal layer to form a fully silicide gate.

摘要翻译： 用于形成场效应晶体管的光热退火方法使用反射金属栅极，使得当相邻的源极/漏极区域进行光热退火时，金属栅极的电特性以及金属栅极和栅极电介质之间的界面不受损害 金属门。 另一种光热退火方法可以用于同时光热退火：（1）硅层和形成硅化物的金属层以形成完全硅化的栅极; 和（2）源/漏区以形成退火的源/漏区。 附加的光热退火方法可以使用与热吸收层结合的热绝缘体层来选择性地使硅层和形成硅化物的金属层光退火以形成完全硅化物栅极。

公开(公告)号：US07399822B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11454945

申请日：2006-06-19

申请人： Geoffrey W. Coates ,  Scott D. Allen ,  Claire Cohen ,  Kathryn Peretti ,  Hiroharu Ajiro

发明人： Geoffrey W. Coates ,  Scott D. Allen ,  Claire Cohen ,  Kathryn Peretti ,  Hiroharu Ajiro

IPC分类号： C08G65/12 ,  C08G65/10

CPC分类号： C08G65/10 ,  C08G65/08

摘要： (Salph or methoxy salph) Co (initiating ligand) catalyze homopolymerizing rac-PO to produce pure highly isotactic PPO and rac-1-butylene oxide to produce pure isotactic poly(butylene oxide). A product is unfractionated isotactic PPO of m-dyad content >81%, normally at least 99%.

摘要翻译： （Salph或甲氧基salph）Co（引发配体）催化均聚rac-PO以产生纯的高度全同立构的PPO和外消旋-1-环氧丁烷以产生纯的全同立构聚（环氧丁烷）。 产品是m-二元含量> 81％，通常至少99％的未分级全同立构PPO。

公开(公告)号：US07354867B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US10906112

申请日：2005-02-03

申请人： Scott D. Allen ,  Kenneth A. Bandy ,  Sadanand V. Deshpande ,  Richard Wise

发明人： Scott D. Allen ,  Kenneth A. Bandy ,  Sadanand V. Deshpande ,  Richard Wise

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/31116

摘要： The embodiments of the invention generally relate to an etching process, and more particularly to an etch processing for improving the yield of dielectric contacts on nickel silicides. An oxygen-free feedgas is used in an etching process to reduce or eliminate residuals, including oxidation and consumption of the silicide layer, at the contact surface. The contact resistance at contact surface is reduced, thereby improving the performance of the device.

摘要翻译： 本发明的实施例通常涉及蚀刻工艺，更具体地涉及用于提高硅化镍上的电介质触点的产量的蚀刻处理。 在蚀刻过程中使用无氧原料气，以减少或消除在接触表面处的残余物，包括硅化物层的氧化和消耗。 接触表面的接触电阻降低，从而提高器件的性能。

公开(公告)号：US09593203B2

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：US14233571

申请日：2012-07-18

申请人： Scott D. Allen ,  Jay J. Farmer ,  Gabriel E. Job ,  Anna E. Cherian

发明人： Scott D. Allen ,  Jay J. Farmer ,  Gabriel E. Job ,  Anna E. Cherian

IPC分类号： C08G65/00 ,  C08G64/34 ,  C07F15/06

CPC分类号： C08G64/34 ,  C07F15/065

摘要： The present invention provides novel metal complexes, methods of making, and methods of using the same.

摘要翻译： 本发明提供新颖的金属络合物，制备方法及其使用方法。

公开(公告)号：US09327280B2

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：US14117393

申请日：2012-05-12

申请人： Han Lee ,  Scott D. Allen ,  Jay Farmer ,  Geoff Coates

发明人： Han Lee ,  Scott D. Allen ,  Jay Farmer ,  Geoff Coates

IPC分类号： B01J31/14 ,  C07F5/06 ,  B01J31/22 ,  C07F15/06 ,  C07C51/54 ,  C07D487/22 ,  C07D305/08 ,  C07D307/20 ,  B01J31/18

CPC分类号： C08G63/823 ,  B01J31/183 ,  B01J31/2217 ,  B01J31/2243 ,  B01J2231/34 ,  B01J2531/0216 ,  B01J2531/025 ,  B01J2531/0252 ,  B01J2531/16 ,  B01J2531/22 ,  B01J2531/26 ,  B01J2531/31 ,  B01J2531/32 ,  B01J2531/33 ,  B01J2531/46 ,  B01J2531/62 ,  B01J2531/72 ,  B01J2531/821 ,  B01J2531/822 ,  B01J2531/824 ,  B01J2531/842 ,  B01J2531/845 ,  B01J2531/847 ,  B01J2540/42 ,  B01J2540/54 ,  C07C51/54 ,  C07D305/08 ,  C07D307/20 ,  C07D487/22 ,  C07F5/069 ,  C07F15/065 ,  C07C55/10

摘要： In one aspect, the present invention provides catalysts for the carbonylation of heterocycles. The inventive catalysts feature metal-ligand complexes having cationic functional groups tethered to the ligand, wherein the tethered cationic groups are associated with anionic metal carbonyl species. The invention also provides methods of using the inventive catalysts to affect the ring opening carbonylation of epoxides.

摘要翻译： 一方面，本发明提供了用于羰基化杂环的催化剂。 本发明的催化剂具有金属配体配合物，其具有与配体结合的阳离子官能团，其中所述连接的阳离子基团与阴离子金属羰基物质相关联。 本发明还提供使用本发明的催化剂来影响环氧化物的开环羰基化的方法。