利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

88 条记录 (耗时 0.046 秒)

    Low metals perfluorooctanoic acid and top anti-reflective coatings for photoresists
    32.
    发明授权
    Low metals perfluorooctanoic acid and top anti-reflective coatings for photoresists 失效
    低金属全氟辛酸和光抗蚀剂的顶部防反射涂层

    公开(公告)号：US5830990A

    公开(公告)日：1998-11-03

    申请号：US537199

    申请日：1995-09-29

    申请人： M. Dalil Rahman

    发明人： M. Dalil Rahman

    IPC分类号： G03F7/09 ,  C08F6/06 ,  C08J3/07

    CPC分类号： G03F7/091

    摘要： The present invention provides methods for producing top anti-reflective coating compositions having a very low level of metal ions, utilizing a specially washed and modified ion exchange resin. A method is also provided for producing semiconductor devices using such ion exchange treated top anti-reflective coating compositions.

    摘要翻译： 本发明提供了使用特别洗涤和改性的离子交换树脂制备具有非常低水平的金属离子的顶部抗反射涂料组合物的方法。 还提供了使用这种离子交换处理的顶部抗反射涂层组合物来制造半导体器件的方法。

    Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists
    33.
    发明授权
    Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists 失效
    用于光致抗蚀剂的顶部抗反射涂层中的金属离子还原

    公开(公告)号：US5516886A

    公开(公告)日：1996-05-14

    申请号：US258898

    申请日：1994-06-10

    申请人： M. Dalil Rahman ,  Dana L. Durham

    发明人： M. Dalil Rahman ,  Dana L. Durham

    IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08F6/06 ,  C08J7/00 ,  G03C1/00

    CPC分类号： G03F7/091

    摘要： The present invention provides methods for producing top anti-reflective coating compositions having a very low level of metal ions, utilizing specially treated ion exchange resins. A method is also provided for producing semiconductor devices using such top anti-reflective coating compositions.

    摘要翻译： 本发明提供了利用特殊处理的离子交换树脂生产具有非常低水平金属离子的顶部抗反射涂料组合物的方法。 还提供了一种用于制造使用这种顶部抗反射涂层组合物的半导体器件的方法。

    Antireflective Coating Composition
    35.
    发明申请
    Antireflective Coating Composition 有权
    防反射涂料组合物

    公开(公告)号：US20090246691A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：US12060307

    申请日：2008-04-01

    申请人： M. Dalil Rahman ,  David Abdallah ,  Rhuzi Zhang ,  Douglas McKenzie

    发明人： M. Dalil Rahman ,  David Abdallah ,  Rhuzi Zhang ,  Douglas McKenzie

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/091

    摘要： The present invention relates to an antireflective composition comprising a thermal acid generator and an epoxy polymer comprising at least one unit of structure 1, at least one unit of structure 2. where, R1 to R12 are independently selected from hydrogen and C1-C4 alkyl, structure. 1 has a configuration selected from cis, trans or mixture thereof, and x and y are the mole % of the monomeric units in the polymer. The invention also relates to a process for manufacturing a microelectronic device.

    摘要翻译： 本发明涉及一种抗反射组合物，其包含热酸产生剂和环氧聚合物，其包含至少一个结构单元1，至少一个结构单元，其中R1至R12独立地选自氢和C1-C4烷基， 结构体。 1具有选自顺式，反式或其混合物的构型，x和y是聚合物中单体单元的摩尔％。 本发明还涉及一种用于制造微电子器件的方法。

    Photoactive Compounds
    37.
    发明申请
    Photoactive Compounds 失效
    光活性化合物

    公开(公告)号：US20080153032A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：US11613403

    申请日：2006-12-20

    申请人： M. Dalil Rahman ,  Takanori Kudo

    发明人： M. Dalil Rahman ,  Takanori Kudo

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C07C309/63 ,  C07C313/04

    CPC分类号： C07C311/48 ,  C07C43/225 ,  C07C309/04 ,  C07C309/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12

    摘要： The present application relates to a compound of formula where X is selected from the group CF3SO3, C4F9SO3, N(SO2C2F5)2, N(SO2CF3SO2C4F9), N(SO2C3F7)2, N(SO2C4F9)2, CF3CHFO(CF2)2SO3, and CH3CH2CH2O(CF2)4SO3. A photoresist composition comprising a polymer containing an acid labile group, the above compounds, and one or more additional photoacid generators is also provided for.

    摘要翻译： 本申请涉及下式的化合物，其中X选自CF 3，SO 3，C 4 H 9， N（SO 2 CO 2）3 N 2 SO 2， >，N（SO 2，CF 3）3，SO 3，S 3，N 3， N（SO 2）2，N（SO 2 H 2 SO 3） CF 3（CH 2）2 CF 3，CF 3 CH 2（CF 2） 2 3 3和CH 3 3 CH 2 CH 2 O（CF 3） 4 3 3。 还提供了包含含有酸不稳定基团的聚合物，上述化合物和一种或多种另外的光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物。

    Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
    39.
    发明授权
    Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds 有权
    用于深紫外光刻的光致抗蚀剂组合物，其包含光活性化合物的混合物

    公开(公告)号：US06991888B2

    公开(公告)日：2006-01-31

    申请号：US10439472

    申请日：2003-05-16

    申请人： Munirathna Padmanaban ,  Takanori Kudo ,  Sangho Lee ,  Ralph R. Dammel ,  M. Dalil Rahman

    发明人： Munirathna Padmanaban ,  Takanori Kudo ,  Sangho Lee ,  Ralph R. Dammel ,  M. Dalil Rahman

    IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F2/46 ,  C07C53/00 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/115

    摘要： The present invention relates to a novel photoresist composition that can be developed with an aqueous alkaline solution, and is capable of being imaged at exposure wavelengths in the deep ultraviolet. The invention also relates to a process for imaging the novel photoresist as well as novel photoacid generators.The novel photoresist comprises a) a polymer containing an acid labile group, and b) a novel mixture of photoactive compounds, where the mixture comprises a lower absorbing compound selected from structure 1 and 2, and a higher absorbing compound selected from structure 4 and 5, where, R1 and R2 R5, R6, R7, R8, and R9 are defined herein; m=1–5; X− is an anion, and Ar is selected from naphthyl, anthracyl, and structure 3, where R30, R31, R32, R33, and R34 are defined herein.

    摘要翻译： 本发明涉及一种可用碱性水溶液显影的新型光刻胶组合物，能够在深紫外线的曝光波长下成像。 本发明还涉及用于对新型光致抗蚀剂以及新型光酸产生剂进行成像的方法。 新型光致抗蚀剂包含a）含有酸不稳定基团的聚合物，和b）光活性化合物的新混合物，其中该混合物包含选自结构1和2的较低吸收化合物和选自结构4和5的较高吸收化合物 ，其中R 1和R 2 R 5，R 6，R 7，或N R 8，R 9和R 9在本文中定义; m = 1-5; X - 是阴离子，Ar选自萘基，蒽基和结构3，其中R 30，R 31，R SUB > 32，R 33和R 34在本文中定义。

    Process for producing film forming resins for photoresist compositions
    40.
    发明授权
    Process for producing film forming resins for photoresist compositions 失效
    用于制造光致抗蚀剂组合物的成膜树脂的方法

    公开(公告)号：US06610465B2

    公开(公告)日：2003-08-26

    申请号：US09833226

    申请日：2001-04-11

    申请人： M. Dalil Rahman ,  Douglas McKenzie ,  Takanori Kudo ,  Munirathna Padmanaban

    发明人： M. Dalil Rahman ,  Douglas McKenzie ,  Takanori Kudo ,  Munirathna Padmanaban

    IPC分类号： G03F732

    CPC分类号： B01J20/28033 ,  B01J20/28004 ,  B01J20/28028 ,  B01J20/2803 ,  B01J20/28085 ,  B01J47/018 ,  B01J47/133 ,  C08F6/02 ,  C08F6/16 ,  G03F7/0395

    摘要： The present invention provides a method for producing a film forming resin suitable for use in a photoresist composition, involving the following steps: (a) providing a solution of a film forming resin in a solvent; (b) providing the following two filter sheets: (i) a filter sheet containing a self-supporting fibrous matrix having immobilized therein a particulate filter aid and particulate ion exchange resin particles, where the particulate filter aid and ion exchange resin particles are distributed substantially uniformly throughout a cross-section of said matrix; and (ii) a filter sheet containing a self-supporting matrix of fibers having immobilized therein particulate filter aid and binder resin; (c) rinsing the filter sheets of step (b) with the solvent of step (a); and (d) passing the solution of the film forming resin through the rinsed filter sheets of step (c).

    摘要翻译： 本发明提供一种适用于光致抗蚀剂组合物的成膜树脂的制造方法，包括以下步骤：（a）在成膜剂中提供成膜树脂的溶液; （b）提供以下两个过滤片：（i）含有固定有微粒过滤助剂和粒状离子交换树脂颗粒的自支撑纤维基质的过滤片，其中颗粒助滤剂和离子交换树脂颗粒基本上分布 均匀地遍布所述基质的横截面; 和（ii）含有固定有颗粒助滤剂和粘合剂树脂的纤维自支撑基质的过滤片; （c）用步骤（a）的溶剂冲洗步骤（b）的过滤片; 和（d）使成膜树脂的溶液通过步骤（c）的冲洗过的滤纸。