公开(公告)号：US20090286389A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12122840

申请日：2008-05-19

申请人： David G. Farber ,  Fred Hause ,  Markus Lenski ,  Anthony C. Mowry

发明人： David G. Farber ,  Fred Hause ,  Markus Lenski ,  Anthony C. Mowry

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/78

摘要： A method that includes forming a gate of a semiconductor device on a substrate, and etching sidewall spacers on sides of the gate to provide a proximity value, where the proximity value is defined as a distance between the gate and an edge of a performance-enhancing region. The sidewall spacers are used to define the edge of the region during formation of the region in the substrate. The method also includes pre-cleaning the gate and the substrate in preparation for formation of the region, where the etching and the pre-cleaning are performed in a continuous vacuum.

摘要翻译： 一种方法，包括在衬底上形成半导体器件的栅极，并且蚀刻栅极侧面上的侧壁间隔物以提供接近值，其中接近值被定义为栅极与性能增强的边缘之间的距离 地区。 侧壁间隔件用于在衬底中形成区域期间限定区域的边缘。 该方法还包括预先清洁栅极和基板以准备形成区域，其中在连续真空中进行蚀刻和预清洁。

公开(公告)号：US07344984B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US11468450

申请日：2006-08-30

申请人： Jan Hoentschel ,  Andy Wei ,  Markus Lenski ,  Peter Javorka

发明人： Jan Hoentschel ,  Andy Wei ,  Markus Lenski ,  Peter Javorka

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843

摘要： A method and a semiconductor device are provided in which respective contact layers having a specific intrinsic stress may be directly formed on respective metal silicide regions without undue metal silicide degradation during an etch process for removing an unwanted portion of an initially deposited contact layer. Moreover, due to the inventive concept, the strain-inducing contact layers may be formed directly on the respective substantially L-shaped spacer elements, thereby enhancing even more the stress transfer mechanism.

摘要翻译： 提供了一种方法和半导体器件，其中具有特定固有应力的各个接触层可以直接形成在各自的金属硅化物区域上，而在用于去除最初沉积的接触层的不希望的部分的蚀刻工艺期间不会有不适当的金属硅化物降解。 此外，由于本发明构思，应变感应接触层可以直接形成在相应的大致L形间隔元件上，从而进一步增强应力传递机构。

公开(公告)号：US20130157450A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13331842

申请日：2011-12-20

申请人： Clemens Fitz ,  Peter Baars ,  Markus Lenski

发明人： Clemens Fitz ,  Peter Baars ,  Markus Lenski

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545

摘要： Disclosed herein are various methods of forming metal silicide regions on semiconductor devices. In one example, the method includes forming a sacrificial gate structure above a semiconducting substrate, performing a selective metal silicide formation process to form metal silicide regions in source/drain regions formed in or above the substrate, after forming the metal silicide regions, removing the sacrificial gate structure to define a gate opening and forming a replacement gate structure in the gate opening, the replacement gate structure comprised of at least one metal layer.

摘要翻译： 本文公开了在半导体器件上形成金属硅化物区域的各种方法。 在一个示例中，该方法包括在半导体衬底之上形成牺牲栅极结构，在形成金属硅化物区域之后，执行选择性金属硅化物形成工艺以形成在衬底中或上方形成的源极/漏极区域中的金属硅化物区域， 牺牲栅极结构以限定栅极开口并在栅极开口中形成替代栅极结构，所述替换栅极结构由至少一个金属层组成。

公开(公告)号：US08324091B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12711481

申请日：2010-02-24

申请人： Joachim Metzger ,  Robert Binder ,  Markus Lenski ,  Klaus Hempel

发明人： Joachim Metzger ,  Robert Binder ,  Markus Lenski ,  Klaus Hempel

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66772

摘要： During a manufacturing sequence for forming a sophisticated high-k metal gate structure, a cover layer, such as a silicon layer, may be deposited on a metal cap layer in an in situ process in order to enhance integrity of the metal cap layer. The cover layer may provide superior integrity during the further processing, for instance in view of performing wet chemical cleaning processes and the subsequent deposition of a silicon gate material.

摘要翻译： 在用于形成复杂的高k金属栅极结构的制造顺序期间，覆盖层（例如硅层）可以在原位工艺中沉积在金属覆盖层上，以便提高金属覆盖层的完整性。 覆盖层可以在进一步加工期间提供优异的完整性，例如考虑到执行湿化学清洗工艺和随后沉积硅栅材料。

公开(公告)号：US08227266B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12716472

申请日：2010-03-03

申请人： Anthony Mowry ,  Casey Scott ,  Vassilios Papageorgiou ,  Andy Wei ,  Markus Lenski ,  Andreas Gehring

发明人： Anthony Mowry ,  Casey Scott ,  Vassilios Papageorgiou ,  Andy Wei ,  Markus Lenski ,  Andreas Gehring

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L22/34 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： By providing a test structure for evaluating the patterning process and/or the epitaxial growth process for forming embedded semiconductor alloys in sophisticated semiconductor devices, enhanced statistical relevance in combination with reduced test time may be accomplished.

摘要翻译： 通过提供用于评估用于在复杂半导体器件中形成嵌入式半导体合金的图案化工艺和/或外延生长工艺的测试结构，可以实现与减少的测试时间相结合的增强的统计相关性。

公开(公告)号：US20110101470A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12894746

申请日：2010-09-30

申请人： Klaus Hempel ,  Sven Beyer ,  Markus Lenski ,  Stephan Kruegel

发明人： Klaus Hempel ,  Sven Beyer ,  Markus Lenski ,  Stephan Kruegel

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： In a replacement gate approach, a superior cross-sectional shape of the gate opening may be achieved by performing a material erosion process in an intermediate state of removing the placeholder material. Consequently, the remaining portion of the placeholder material may efficiently protect the underlying sensitive materials, such as a high-k dielectric material, when performing the corner rounding process sequence.

摘要翻译： 在替代浇口方法中，可以通过在去除占位材料的中间状态下进行材料侵蚀过程来实现闸门开口的优越的横截面形状。 因此，当执行拐角舍入处理顺序时，占位符材料的剩余部分可以有效地保护诸如高k电介质材料的底层敏感材料。

公开(公告)号：US20100301427A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12785185

申请日：2010-05-21

申请人： Markus Lenski ,  Klaus Hempel ,  Vivien Schroeder ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

发明人： Markus Lenski ,  Klaus Hempel ,  Vivien Schroeder ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： In a replacement gate approach in sophisticated semiconductor devices, a tantalum nitride etch stop material may be efficiently removed on the basis of a wet chemical etch recipe using ammonium hydroxide. Consequently, a further work function adjusting material may be formed with superior uniformity, while the efficiency of the subsequent adjusting of the work function may also be increased. Thus, superior uniformity, i.e., less pronounced transistor variability, may be accomplished on the basis of a replacement gate approach in which the work function of the gate electrodes of P-channel transistors and N-channel transistors is adjusted after completing the basic transistor configuration.

摘要翻译： 在复杂半导体器件中的替代栅极方法中，可以基于使用氢氧化铵的湿化学蚀刻配方有效地去除氮化钽蚀刻停止材料。 因此，可以形成具有优异均匀性的另外的功能调节材料，同时可以提高随后的功函数调整的效率。 因此，可以在替代栅极方法的基础上实现优异的均匀性，即较不明显的晶体管可变性，其中在完成基本晶体管配置之后调节P沟道晶体管和N沟道晶体管的栅电极的功函数 。

公开(公告)号：US20090166618A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12132014

申请日：2008-06-03

申请人： Anthony Mowry ,  Casey Scott ,  Vassilios Papageorgiou ,  Andy Wei ,  Markus Lenski ,  Andreas Gehring

发明人： Anthony Mowry ,  Casey Scott ,  Vassilios Papageorgiou ,  Andy Wei ,  Markus Lenski ,  Andreas Gehring

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L22/34 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： By providing a test structure for evaluating the patterning process and/or the epitaxial growth process for forming embedded semiconductor alloys in sophisticated semiconductor devices, enhanced statistical relevance in combination with reduced test time may be accomplished.

摘要翻译： 通过提供用于评估用于在复杂半导体器件中形成嵌入式半导体合金的图案化工艺和/或外延生长工艺的测试结构，可以实现与减少的测试时间相结合的增强的统计相关性。

公开(公告)号：US07316975B2

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US11177216

申请日：2005-07-08

申请人： Markus Lenski ,  Wolfgang Buchholtz ,  Andy Wei ,  Michael Raab

发明人： Markus Lenski ,  Wolfgang Buchholtz ,  Andy Wei ,  Michael Raab

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/823468

摘要： A substrate comprising a first transistor element and a second transistor element is provided. A layer of a material is deposited over the first transistor element and the second transistor element. A portion of the layer of material is modified, which may be done, e.g., by irradiating the portion with ions or performing an isotropic etching process to reduce its thickness. An etching process adapted to remove the modified portion of the layer of material more quickly than an unmodified portion of the layer located over the second transistor element is performed.

摘要翻译： 提供了包括第一晶体管元件和第二晶体管元件的衬底。 一层材料沉积在第一晶体管元件和第二晶体管元件上。 材料层的一部分被修饰，其可以例如通过用离子照射部分或执行各向同性蚀刻工艺来实现，以减小其厚度。 执行适于比位于第二晶体管元件上方的层的未修改部分更快地去除材料层的修饰部分的蚀刻工艺。

公开(公告)号：US08564120B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12642989

申请日：2009-12-21

申请人： Anthony Mowry ,  David Farber ,  Fred Hause ,  Markus Lenski

发明人： Anthony Mowry ,  David Farber ,  Fred Hause ,  Markus Lenski

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/427 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L27/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： By providing heat dissipation elements or heat pipes in temperature critical areas of a semiconductor device, enhanced performance, reliability and packing density may be achieved. The heat dissipation elements may be formed on the basis of standard manufacturing techniques and may be positioned in close proximity to individual transistor elements and/or may be used for shielding particular circuit portions.

摘要翻译： 通过在半导体器件的温度关键区域中提供散热元件或热管，可以实现增强的性能，可靠性和封装密度。 散热元件可以基于标准制造技术形成，并且可以定位成紧靠各个晶体管元件和/或可用于屏蔽特定的电路部分。