公开(公告)号：US08706953B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13096036

申请日：2011-04-28

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Kwang Ho Kim ,  Jun Jin Kong ,  Jaehong Kim ,  Hong Rak Son

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Kwang Ho Kim ,  Jun Jin Kong ,  Jaehong Kim ,  Hong Rak Son

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： H03M7/30

摘要： A method of storing data in a storage medium of a data storage device comprises storing input data in the storage medium, and reading the input data from the storage medium and compressing the read data during a background operation of the data storage device.

摘要翻译： 一种在数据存储装置的存储介质中存储数据的方法包括将输入数据存储在存储介质中，并从存储介质读取输入数据，并在数据存储装置的后台操作期间压缩读取的数据。

公开(公告)号：US20110249496A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13080809

申请日：2011-04-06

申请人： Hong Rak Son ,  Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Jun Jin Kong

发明人： Hong Rak Son ,  Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Jun Jin Kong

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/3436

摘要： Provided is a program method of a multi-bit memory device with memory cells arranged in rows and columns. The program method includes a programming each memory cell of the first group of memory cells to a state within a first group of states according to a verify voltage level of a first group of verify voltage levels within a first range of levels, and programming each memory cell of the second group of memory cells to a state within a second group of states according to a verify voltage level of a second group of verify voltage levels within a second range of levels. The lowest verify voltage level in the second range of levels is higher than the highest verify voltage level in the first range of levels. A first voltage difference between adjacent verify voltage levels within the first range of levels is different from a second voltage difference between the highest verify voltage level of the second group of verify voltage levels and the lowest verify voltage level of the third group of verify voltage levels.

摘要翻译： 提供了具有排列成行和列的存储单元的多位存储器件的编程方法。 程序方法包括根据第一级别的第一组验证电压电平的验证电压电平将第一组存储器单元的每个存储器单元编程到第一组状态内的状态，以及编程每个存储器 第二组存储器单元的单元根据在第二级别范围内的第二组验证电压电平的验证电压电平而处于第二组状态内的状态。 第二级别的最低验证电压电平高于第一级别范围内的最高验证电压电平。 在第一级别范围内的相邻验证电压电平之间的第一电压差不同于第二组验证电压电平的最高验证电压电平与第三组验证电压电平的最低验证电压电平之间的第二电压差 。

公开(公告)号：US09280287B2

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：US14135628

申请日：2013-12-20

申请人： Man Keun Seo ,  Dae Wook Kim ,  Hong Rak Son ,  Jun Jin Kong

发明人： Man Keun Seo ,  Dae Wook Kim ,  Hong Rak Son ,  Jun Jin Kong

IPC分类号： G06F13/00 ,  G06F13/38 ,  G06F3/06 ,  H03M7/30

CPC分类号： G06F3/0608 ,  G06F3/0641 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0673 ,  G06F3/0679 ,  H03M7/3086 ,  H03M7/6082

摘要： A data compression method includes receiving an input data stream including a previous data block and a current data block, and executing a first comparison of a part of the previous data block with part of a previous reference data block, and a second comparison of the current data block with a current reference data block, where the first and second comparisons are executed in parallel. The method further includes selectively, based on results of the first and second comparisons, outputting the current data block or compressing an extended data block, where the extended data block includes the part of the previous data block and the current data block.

摘要翻译： 数据压缩方法包括接收包括先前数据块和当前数据块的输入数据流，并且执行先前数据块的一部分与先前参考数据块的一部分的第一比较，以及当前 具有当前参考数据块的数据块，其中第一和第二比较并行执行。 该方法还包括基于第一和第二比较的结果选择性地输出当前数据块或压缩扩展数据块，其中扩展数据块包括先前数据块的一部分和当前数据块。

公开(公告)号：US08635509B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13612074

申请日：2012-09-12

申请人： Seong Hyeog Choi ,  Jun Jin Kong ,  Hong Rak Son

发明人： Seong Hyeog Choi ,  Jun Jin Kong ,  Hong Rak Son

IPC分类号： G11C29/00 ,  H03M13/00

CPC分类号： G06F11/1072 ,  G06F11/108 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： According to example embodiments, a method of controlling a memory controller includes executing an error correction code (ECC) on first page data that has been read from a non-volatile memory device using a first read voltage level, estimating a second read voltage level for reading the first page data using metadata of second page data when an uncorrectable error is detected in the first page data according to a result of executing the ECC.

摘要翻译： 根据示例实施例，一种控制存储器控制器的方法包括：对使用第一读取电压电平从非易失性存储器件读取的第一页数据执行纠错码（ECC），估计第二读取电压电平 根据执行ECC的结果在第一页数据中检测到不可校正的错误时，使用第二页数据的元数据读取第一页数据。

公开(公告)号：US08448048B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12769692

申请日：2010-04-29

申请人： Ki jun Lee ,  Hong Rak Son ,  Jun jin Kong

发明人： Ki jun Lee ,  Hong Rak Son ,  Jun jin Kong

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F11/1072 ,  G11C16/06

摘要： A nonvolatile memory device comprises a memory cell array configured to store one or more bits per memory cell, a read and write circuit configured to access the memory cell array, a control logic component configured to control the read and write circuit to sequentially execute read operations of a selected memory cell at least twice to output a read data symbol, and an error correcting unit configured to correct an error in the read data symbol based on a pattern of the read data symbol to output an error-corrected symbol.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括被配置为存储每个存储器单元的一个或多个位的存储器单元阵列，被配置为访问存储单元阵列的读取和写入电路，被配置为控制读取和写入电路以顺序执行读取操作的控制逻辑组件 选择的存储单元至少两次以输出读取数据符号;以及纠错单元，被配置为基于所读取的数据符号的图案校正所读取的数据符号中的错误，以输出纠错符号。

公开(公告)号：US20110208897A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12985397

申请日：2011-01-06

申请人： Ki jun Lee ,  Hong Rak Son ,  Jun jin Kong

发明人： Ki jun Lee ,  Hong Rak Son ,  Jun jin Kong

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/349

摘要： A memory system comprises a non-volatile memory device that stores user data and state information regarding the user data. In a read operation of the non-volatile memory device, a memory controller calculates a priori probabilities for the user data based on the state information, calculates a posteriori probabilities based on the a priori probabilities, and performs a soft-decision operation to determine values of the user data based on the a posteriori probabilities.

摘要翻译： 存储器系统包括存储用户数据和关于用户数据的状态信息的非易失性存储器件。 在非易失性存储器件的读取操作中，存储器控制器基于状态信息计算用户数据的先验概率，基于先验概率计算后验概率，并执行软判决操作以确定值 基于后验概率的用户数据。

公开(公告)号：US09875044B2

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：US14800783

申请日：2015-07-16

申请人： Dong Hwan Lee ,  Jun Jin Kong ,  Chang Kyu Seol ,  Hong Rak Son

发明人： Dong Hwan Lee ,  Jun Jin Kong ,  Chang Kyu Seol ,  Hong Rak Son

IPC分类号： G06F3/00 ,  G06F3/06 ,  G06F17/30 ,  G06F12/02 ,  G06F21/79 ,  G11C16/04

CPC分类号： G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/068 ,  G06F12/0246 ,  G06F17/3033 ,  G06F17/30867 ,  G06F21/79 ,  G11C16/0466

摘要： A method is provided for operating a data storage device capable of compensating for an initial threshold voltage shift of multiple memory cells. The method includes generating a first compression value for a first write address corresponding to a first write request input during a first time interval among different time intervals, and storing the first compression value in a first table among multiple tables.

公开(公告)号：US09009390B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13238749

申请日：2011-09-21

申请人： Seong Hyeog Choi ,  Hong Rak Son ,  Kyoung Lae Cho ,  Jun Jin Kong ,  Sang Hoon Lee

发明人： Seong Hyeog Choi ,  Hong Rak Son ,  Kyoung Lae Cho ,  Jun Jin Kong ,  Sang Hoon Lee

IPC分类号： G06F13/00 ,  G06F13/28 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C29/42 ,  G11C16/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C16/02 ,  G06F13/00 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/349 ,  G11C29/42

摘要： A memory system including a non-volatile memory device and a memory controller is provided. When a read operation on a first data initially output from the non-volatile memory device during a first read operation is successful, the memory controller may change a read voltage for reading a second data stored in the non-volatile memory device during a second read operation.

摘要翻译： 提供了包括非易失性存储器件和存储器控制器的存储器系统。 当在第一次读取操作期间最初从非易失性存储器件输出的第一数据的读取操作成功时，存储器控制器可以在第二次读取期间改变用于读取存储在非易失性存储器件中的第二数据的读取电压 操作。

公开(公告)号：US08631306B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US12985397

申请日：2011-01-06

申请人： Ki jun Lee ,  Hong Rak Son ,  Jun jin Kong

发明人： Ki jun Lee ,  Hong Rak Son ,  Jun jin Kong

IPC分类号： H03M13/00 ,  H03M13/03 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/349

摘要： A memory system comprises a non-volatile memory device that stores user data and state information regarding the user data. In a read operation of the non-volatile memory device, a memory controller calculates a priori probabilities for the user data based on the state information, calculates a posteriori probabilities based on the a priori probabilities, and performs a soft-decision operation to determine values of the user data based on the a posteriori probabilities.

摘要翻译： 存储器系统包括存储用户数据和关于用户数据的状态信息的非易失性存储器件。 在非易失性存储器件的读取操作中，存储器控制器基于状态信息计算用户数据的先验概率，基于先验概率计算后验概率，并执行软判决操作以确定值 基于后验概率的用户数据。

公开(公告)号：US08441862B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13080809

申请日：2011-04-06

申请人： Hong Rak Son ,  Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Jun Jin Kong

发明人： Hong Rak Son ,  Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Jun Jin Kong

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/3436

摘要： Provided is a program method of a multi-bit memory device with memory cells arranged in rows and columns. The program method includes a programming each memory cell of the first group of memory cells to a state within a first group of states according to a verify voltage level of a first group of verify voltage levels within a first range of levels, and programming each memory cell of the second group of memory cells to a state within a second group of states according to a verify voltage level of a second group of verify voltage levels within a second range of levels. The lowest verify voltage level in the second range of levels is higher than the highest verify voltage level in the first range of levels. A first voltage difference between adjacent verify voltage levels within the first range of levels is different from a second voltage difference between the highest verify voltage level of the second group of verify voltage levels and the lowest verify voltage level of the third group of verify voltage levels.

摘要翻译： 提供了具有排列成行和列的存储单元的多位存储器件的编程方法。 程序方法包括根据第一级别的第一组验证电压电平的验证电压电平将第一组存储器单元的每个存储器单元编程到第一组状态内的状态，以及编程每个存储器 第二组存储器单元的单元根据在第二级别范围内的第二组验证电压电平的验证电压电平而处于第二组状态内的状态。 第二级别的最低验证电压电平高于第一级别范围内的最高验证电压电平。 在第一级别范围内的相邻验证电压电平之间的第一电压差不同于第二组验证电压电平的最高验证电压电平与第三组验证电压电平的最低验证电压电平之间的第二电压差 。