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209 条记录 (耗时 0.028 秒)

    Field emission device
    41.
    发明授权
    Field emission device 失效
    场发射装置

    公开(公告)号：US6064148A

    公开(公告)日：2000-05-16

    申请号：US859692

    申请日：1997-05-21

    申请人： Zhidam Li Tolt ,  Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink

    发明人： Zhidam Li Tolt ,  Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink

    IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J19/24

    CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

    摘要： A film (carbon and/or diamond) for a field emitter device, which may be utilized within a computer display, is produced by a process utilizing etching of a substrate and then depositing the film. The etching step creates nucleation sites on the substrate for the film deposition process. With this process patterning of the emitting film is avoided. A field emitter device can be manufactured with such a film. A field emission device results where the cathode has a continuous film that has not been subjected to etching, and thus has superior emission properties. A pixel in the cathode includes the emitting film deposited directly on the substrate with the conductor deposited on one or more sides of the emitter film. In one embodiment the emitter is in a window formed in the conductor layer.

    摘要翻译： 可以在计算机显示器内使用的用于场致发射器件的膜（碳和/或金刚石）通过利用蚀刻基底然后沉积膜的方法产生。 蚀刻步骤在用于薄膜沉积工艺的基底上产生成核位点。 通过该过程避免了发光膜的图案化。 可以制造具有这种膜的场发射器装置。 导致场致发射器件，其中阴极具有未经受蚀刻的连续膜，因此具有优异的发射性能。 阴极中的像素包括直接沉积在衬底上的发射膜，其中导体沉积在发射极膜的一个或多个侧面上。 在一个实施例中，发射器在形成在导体层中的窗口中。

    Process for growing a carbon film
    44.
    发明授权
    Process for growing a carbon film 失效
    生长碳膜的工艺

    公开(公告)号：US07070651B1

    公开(公告)日：2006-07-04

    申请号：US08859960

    申请日：1997-05-21

    申请人： Zhidan Li Tolt ,  Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink

    发明人： Zhidan Li Tolt ,  Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink

    IPC分类号： C30B29/04

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J9/025

    摘要： A film (carbon and/or diamond) for a field emitter device, which may be utilized within a computer display, is produced by a process utilizing etching of a substrate and then depositing the film. The etching step creates nucleation sites on the substrate for the film deposition process. With this process patterning of the emitting film is avoided. A field emitter device can be manufactured with such a film.

    摘要翻译： 可以在计算机显示器内使用的用于场致发射器件的膜（碳和/或金刚石）通过利用蚀刻基底然后沉积膜的方法产生。 蚀刻步骤在用于薄膜沉积工艺的基底上产生成核位点。 通过该过程避免了发光膜的图案化。 可以制造具有这种膜的场发射器装置。

    Cold cathode
    45.
    发明授权
    Cold cathode 失效
    冷阴极

    公开(公告)号：US06819035B2

    公开(公告)日：2004-11-16

    申请号：US10733714

    申请日：2003-12-11

    申请人： Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink ,  Zhidan Li Tolt

    发明人： Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink ,  Zhidan Li Tolt

    IPC分类号： H01J1304

    CPC分类号： H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01J2201/30457

    摘要： A carbon film having an area of insulating material surrounded by an area of conducing material, and an area of material between the area of insulating material and the area of conducting material having a graded dielectric constant which varies from high to low from the area of insulating material to the area of conducting material.

    摘要翻译： 具有由导电材料区域包围的绝缘材料区域的碳膜，以及绝缘材料区域和导电材料区域之间的材料区域，其具有从绝缘区域的高低变化的梯度介电常数 材料到导电材料区域。

    Carbon nanotubes with nitrogen content
    46.
    发明授权
    Carbon nanotubes with nitrogen content 失效
    含氮量的碳纳米管

    公开(公告)号：US06664728B2

    公开(公告)日：2003-12-16

    申请号：US09957627

    申请日：2001-09-20

    申请人： Igor Pavlovsky ,  Richard Lee Fink ,  Zvi Yaniv

    发明人： Igor Pavlovsky ,  Richard Lee Fink ,  Zvi Yaniv

    IPC分类号： H01J162

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10S977/939

    摘要： Field emission characteristics of carbon films are improved by changing the conditions of the growth of the films, by adding nitrogen, or substitutes to the nitrogen for hydrogen, in the carbon film growth process. Resulting field emission cathodes exhibit better field emission characteristics because of the increased concentration of nitrogen within the film.

    摘要翻译： 通过在碳膜生长过程中通过添加氮或氮替代氢来改变膜的生长条件来改善碳膜的场发射特性。 由于膜中氮的浓度增加，所得场发射阴极表现出更好的场发射特性。

    Field emission material
    47.
    发明授权
    Field emission material 失效
    场发射材料

    公开(公告)号：US06664722B1

    公开(公告)日：2003-12-16

    申请号：US09594874

    申请日：2000-06-15

    申请人： Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink ,  Zhidan Li Tolt ,  Leif Thuesen

    发明人： Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink ,  Zhidan Li Tolt ,  Leif Thuesen

    IPC分类号： H01J113

    CPC分类号： B82Y15/00 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304

    摘要： A carbon film having an area of insulating material surrounded by an area of conducing material, and an area of material between the area of insulating material and the area of conducting material having a graded dielectric constant which varies from high to low from the area of insulating material to the area of conducting material. An emission site on the carbon film will emit electrons as a function of time, and as a function of distance across an emission site area.

    摘要翻译： 具有由导电材料区域包围的绝缘材料区域的碳膜，以及绝缘材料区域和导电材料区域之间的材料区域，其具有从绝缘区域的高低变化的梯度介电常数 材料到导电材料区域。 碳膜上的发射部位将作为时间的函数发射电子，并且作为发射场地区域的距离的函数。

    Cold cathode carbon film
    48.
    发明授权
    Cold cathode carbon film 有权
    冷阴极碳膜

    公开(公告)号：US06181056B2

    公开(公告)日：2001-01-30

    申请号：US09174500

    申请日：1998-10-16

    申请人： Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink ,  Zhidan Li Tolt

    发明人： Zvi Yaniv ,  Richard Lee Fink ,  Zhidan Li Tolt

    IPC分类号： H01J102

    CPC分类号： H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/3165

    摘要： A carbon film having an area of insulating material surrounded by an area of conducting material, and an area of material between the area of insulating material and the area of conducting material having a graded dielectric constant which varies from high to low from the area of insulating material to the area of conducting material.

    摘要翻译： 具有被导电材料区域包围的绝缘材料区域的碳膜以及绝缘材料区域与导电材料区域之间的材料区域具有梯度介电常数，从绝缘区域的高到低变化 材料到导电材料区域。

    Carbon nanotube-reinforced nanocomposites
    50.
    发明授权
    Carbon nanotube-reinforced nanocomposites 失效
    碳纳米管增强纳米复合材料

    公开(公告)号：US08129463B2

    公开(公告)日：2012-03-06

    申请号：US11693454

    申请日：2007-03-29

    申请人： Dongsheng Mao ,  Zvi Yaniv

    发明人： Dongsheng Mao ,  Zvi Yaniv

    IPC分类号： C08K3/04 ,  B32B38/03 ,  C01B31/04

    CPC分类号： C08K7/22 ,  Y10S977/752 ,  Y10T428/31511

    摘要： A combination of MWNTs (herein, MWNTs have more than 2 walls) and DWNTs significantly improves the mechanical properties of polymer nanocomposites. A small amount of DWNTs reinforcement (

    摘要翻译： MWNT（本文中，MWNT具有多于2个壁）和DWNTs的组合显着地改善了聚合物纳米复合材料的机械性能。 少量DWNTs增强（<1重量％）显着提高了环氧基体纳米复合材料的弯曲强度。 相同或相似量的MWNTs增强显着提高环氧基体纳米复合材料的弯曲模量（刚度）。 与相同量的DWNT或MWNT-增强的环氧纳米复合材料相比，MWNT和DWNT-增强的环氧纳米复合材料的弯曲强度和弯曲模量进一步提高。 在这种环氧/ DWNTs / MWNTs纳米复合材料体系中，SWNT也可以代替DWNT而工作。 除了环氧树脂，其他热固性聚合物也可以工作。