公开(公告)号：US08217489B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US13246483

申请日：2011-09-27

申请人： Koichi Osano ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka

发明人： Koichi Osano ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  Y10S257/904 ,  Y10S257/924

摘要： A nonvolatile memory apparatus includes a first electrode, a second electrode, a variable resistance layer, a resistance value of the variable resistance layer reversibly varying between a plurality of resistance states based on an electric signal applied between the electrodes. The variable resistance layer includes at least a tantalum oxide, and is configured to satisfy 0

摘要翻译： 非易失性存储装置包括第一电极，第二电极，可变电阻层，基于施加在电极之间的电信号在多个电阻状态之间可逆地变化的可变电阻层的电阻值。 可变电阻层至少包括氧化钽，并且当氧化钽由TaOx表示时，其被构造为满足0

公开(公告)号：US08154909B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US13165551

申请日：2011-06-21

申请人： Ryotaro Azuma ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii

发明人： Ryotaro Azuma ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A resistance variable memory apparatus (100) of the present invention includes a current suppressing element (116) which is connected in series with each resistance variable layer (114) and whose threshold voltage is VF, and is configured to apply a first voltage V1 to a first wire (WL) associated with a selected nonvolatile memory element, apply a second voltage V2 to a second wire (BL) associated with the selected nonvolatile memory element, apply a third voltage V3 to a first wire (WL) which is not associated with the selected nonvolatile memory element and apply a fourth voltage V4 to a second wire (BL) which is not associated with the selected memory element when writing data or reading data, wherein V2≦V3

摘要翻译： 本发明的电阻可变存储装置（100）具有与各个电阻变化层（114）串联连接且阈值电压为VF的电流抑制元件（116），并且将第一电压V1 与所选择的非易失性存储器元件相关联的第一线（WL）将第二电压V2施加到与所选择的非易失性存储器元件相关联的第二线（BL），将第三电压V3施加到不相关联的第一线（WL） 使用所选择的非易失性存储元件，并且在写入数据或读取数据时将第四电压V4施加到与选择的存储器元件不相关联的第二电线（BL），其中V2＆nlE; V3

公开(公告)号：US20120074369A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13246483

申请日：2011-09-27

申请人： Koichi OSANO ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka

发明人： Koichi OSANO ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  Y10S257/904 ,  Y10S257/924

摘要： A nonvolatile memory apparatus includes a first electrode, a second electrode, a variable resistance layer, a resistance value of the variable resistance layer reversibly varying between a plurality of resistance states based on an electric signal applied between the electrodes. The variable resistance layer includes at least a tantalum oxide, and is configured to satisfy 0

摘要翻译： 非易失性存储装置包括第一电极，第二电极，可变电阻层，基于施加在电极之间的电信号在多个电阻状态之间可逆地变化的可变电阻层的电阻值。 可变电阻层至少包括氧化钽，并且当氧化钽由TaOx表示时，其被构造为满足0

公开(公告)号：US08022502B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12307211

申请日：2008-03-26

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： A nonvolatile memory element comprises a first electrode layer (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer (106) which is disposed between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (107), a resistance value of the resistance variable layer varying reversibly according to electric signals having different polarities which are applied between the electrodes (103), (107), wherein the resistance variable layer (106) has a first region comprising a first oxygen-deficient tantalum oxide having a composition represented by TaOx (0

摘要翻译： 非易失性存储元件包括设置在第一电极层（103）和第二电极层（107）之间的第一电极层（103），第二电极（107）和电阻变化层（106），电阻 电阻变化层的值根据施加在电极（103），（107）之间的具有不同极性的电信号而可逆地变化，其中电阻变化层（106）具有第一区域，该第一区域包括第一氧缺陷型氧化钽， 由TaOx（0

公开(公告)号：US08018760B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12518400

申请日：2007-12-20

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Fujii

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Fujii

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： A resistance variable element of the present invention and a resistance variable memory apparatus using the resistance variable element are a resistance variable element (10) including a first electrode, a second electrode, and a resistance variable layer (3) provided between the first electrode (2) and the second electrode (4) to be electrically connected to the first electrode (2) and the second electrode (4), wherein the resistance variable layer (3) contains a material having a spinel structure represented by a chemical formula of (ZnxFe1-x)Fe2O4, and the resistance variable element (10) has a feature that an electrical resistance between the first electrode (2) and the second electrode (4) increases by applying a first voltage pulse to between the first electrode (2) and the second electrode (4), and the electrical resistance between the first electrode (2) and the second electrode (4) decreases by applying a second voltage pulse whose polarity is the same as the first voltage pulse to between the first electrode (2) and the second electrode (4), and a resistance variable memory apparatus using the resistance variable element (10).

摘要翻译： 本发明的电阻可变元件和使用该电阻可变元件的电阻变化存储装置是包括第一电极，第二电极和电阻变化层（3）的电阻变化元件（10） 2）和与第一电极（2）和第二电极（4）电连接的第二电极（4），其中电阻变化层（3）包含具有由以下化学式表示的尖晶石结构的材料：（ Zn x Fe 1-x）Fe 2 O 4，并且电阻可变元件（10）具有通过在第一电极（2）和第二电极（2）之间施加第一电压脉冲来增加第一电极（2）和第二电极 和第二电极（4），并且第一电极（2）和第二电极（4）之间的电阻通过施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲而减小 （2）和第二电极（4）之间，以及使用该电阻变化元件（10）的电阻变化存储装置。

公开(公告)号：US20100308298A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12745599

申请日：2009-09-29

申请人： Takeki Ninomiya ,  Koji Arita ,  Takumi Mikawa ,  Satoru Fujii

发明人： Takeki Ninomiya ,  Koji Arita ,  Takumi Mikawa ,  Satoru Fujii

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L45/1675 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile memory element includes a first electrode (103) formed on a substrate (101), a resistance variable layer (108) and a second electrode (107), wherein the resistance variable layer has a multi-layer structure including at least three layers which are a first transition metal oxide layer (104), a second transition metal oxide layer (106) which is higher in oxygen concentration than the first transition metal oxide layer (104), and a transition metal oxynitride layer (105). The second transition metal oxide layer (106) is in contact with either one of the first electrode (103) and the second electrode (107). The transition metal oxynitride layer (105) is provided between the first transition metal oxide layer (104) and the second transition metal oxide layer (106).

摘要翻译： 非易失性存储元件包括形成在基板（101）上的第一电极（103），电阻变化层（108）和第二电极（107），其中电阻变化层具有至少三层的多层结构 其是第一过渡金属氧化物层（104），氧浓度高于第一过渡金属氧化物层（104）的第二过渡金属氧化物层（106）和过渡金属氮氧化物层（105）。 第二过渡金属氧化物层（106）与第一电极（103）和第二电极（107）中的任一个接触。 过渡金属氧氮化物层（105）设置在第一过渡金属氧化物层（104）和第二过渡金属氧化物层（106）之间。

公开(公告)号：US07081317B2

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：US10297850

申请日：2002-03-26

申请人： Satoru Fujii ,  Kazuhito Hatoh ,  Masato Hosaka ,  Kohji Yuasa ,  Yasutaka Noguchi ,  Satoshi Shibutani ,  Aoi Tanaka ,  Nobuhiko Hojo ,  Yukihiro Okada

发明人： Satoru Fujii ,  Kazuhito Hatoh ,  Masato Hosaka ,  Kohji Yuasa ,  Yasutaka Noguchi ,  Satoshi Shibutani ,  Aoi Tanaka ,  Nobuhiko Hojo ,  Yukihiro Okada

IPC分类号： H01M4/90 ,  H01M4/86 ,  H01M8/10

CPC分类号： H01M8/1011 ,  H01M4/8807 ,  H01M4/881 ,  H01M4/8871 ,  H01M4/8892 ,  H01M4/921 ,  H01M8/04171 ,  H01M8/04197 ,  H01M8/04223 ,  H01M8/04225 ,  H01M8/04291 ,  H01M8/04552 ,  H01M8/0488 ,  H01M8/0687 ,  H01M8/1097 ,  H01M8/241 ,  H01M8/2457 ,  H01M8/249 ,  H01M2250/20 ,  Y02E60/523 ,  Y02T90/32

摘要： It is difficult to realize a small fuel cell capable of being installed in mobile device by merely downsizing a conventional fuel cell without changing the configuration. The present invention provides a small fuel cell employing a polymer electrolyte thin film, by using a semiconductor process. A polymer electrolyte thin film fuel cell in accordance with the present invention comprises: a substrate having a plurality of openings; an electrolyte membrane-electrode assembly formed on the substrate so as to cover each of the openings, the assembly comprising a first catalyst electrode layer, a hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane and a second catalyst electrode layer which are formed successively; and fuel and oxidant supply means for supplying a fuel or an oxidant gas to the first catalyst electrode layer through the openings, and an oxidant gas or a fuel to the second catalyst electrode layer.

摘要翻译： 通过仅改变常规燃料电池而不改变构造，难以实现能够安装在移动装置中的小型燃料电池。 本发明提供使用半导体工艺的采用聚合物电解质薄膜的小型燃料电池。 根据本发明的聚合物电解质薄膜燃料电池包括：具有多个开口的基板; 电解质膜 - 电极组件，形成在所述基板上以覆盖每个所述开口，所述组件包括依次形成的第一催化剂电极层，氢离子导电聚合物电解质膜和第二催化剂电极层; 以及燃料和氧化剂供给装置，用于通过开口将燃料或氧化剂气体供应到第一催化剂电极层，以及将氧化剂气体或燃料供应到第二催化剂电极层。

公开(公告)号：US06893765B1

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US10088110

申请日：2000-09-06

申请人： Kazufumi Nishida ,  Junji Niikura ,  Hisaaki Gyoten ,  Kazuhito Hatoh ,  Hideo Ohara ,  Teruhisa Kanbara ,  Satoru Fujii

发明人： Kazufumi Nishida ,  Junji Niikura ,  Hisaaki Gyoten ,  Kazuhito Hatoh ,  Hideo Ohara ,  Teruhisa Kanbara ,  Satoru Fujii

IPC分类号： H01M8/02 ,  H01M2/00 ,  H01M2/02 ,  H01M2/14

CPC分类号： H01M8/0273 ,  H01M8/0204 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0223 ,  H01M8/0228 ,  H01M8/0258 ,  H01M8/0276 ,  H01M8/0284 ,  H01M8/241 ,  H01M8/2457 ,  H01M8/2483 ,  H01M2300/0082

摘要： A polymer electrolyte fuel cell comprises a separator plate having a gas channel for supplying an oxidant gas or a fuel gas to an electrode, said separator plate comprising a metal plate, a conductive film formed on the surface of the metal plate, and a diffused layer resulting from diffusion of a material of the conductive film formed between the metal plate and the conductive film. The fuel cell produces stable output free from corrosion or dissolution of the metal plate even in a long-term operation.

摘要翻译： 聚合物电解质燃料电池包括具有用于向电极供应氧化剂气体或燃料气体的气体通道的隔板，所述隔板包括金属板，形成在金属板的表面上的导电膜和扩散层 这是由金属板和导电膜之间形成的导电膜的材料的扩散引起的。 燃料电池即使在长期运行中也能产生不受金属板腐蚀或溶解的稳定输出。

公开(公告)号：US06832721B2

公开(公告)日：2004-12-21

申请号：US09968881

申请日：2001-10-03

申请人： Satoru Fujii

发明人： Satoru Fujii

IPC分类号： G06K500

CPC分类号： G06F21/34 ,  G06F2221/2111 ,  G06Q20/32 ,  G06Q20/3224 ,  G06Q20/40 ,  G06Q20/403 ,  G07C9/00039 ,  G07C9/00111

摘要： An authentication system and method uses information on a position of a card as determined, for example, by detecting a position of a user's cell phone and the position of a card reader determined from card reader identification data. If the card is used in a card reader located near the user's cell phone, and the usual card authorizations are approved, it is determined that the card use is authorized. The position information thus serves as an additional level of security against a lost or stolen card.

摘要翻译： 认证系统和方法使用例如通过检测用户的手机的位置和由读卡器识别数据确定的读卡器位置确定的卡的位置信息。 如果在位于用户手机附近的读卡器中使用卡，并且通常的卡授权被批准，则确定卡的使用被授权。 因此，位置信息作为针对丢失或被盗卡的额外的安全级别。

公开(公告)号：US06437203B1

公开(公告)日：2002-08-20

申请号：US09567434

申请日：2000-05-10

申请人： Taichi Shintou ,  Satoru Fujii ,  Shinji Kubo

发明人： Taichi Shintou ,  Satoru Fujii ,  Shinji Kubo

IPC分类号： C07C1700

CPC分类号： C07C209/74 ,  C07B39/00 ,  C07C17/12 ,  C07C25/22 ,  C07C211/56

摘要： Disclosed is a process for producing an iodinated aromatic compound, which comprises reacting an aromatic compound with an iodine compound in the presence of a chlorate as an oxidizing agent.

摘要翻译： 公开了一种制备碘化芳族化合物的方法，其包括在氯酸盐作为氧化剂存在下使芳族化合物与碘化合物反应。