公开(公告)号：US20050238878A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US11086640

申请日：2005-03-22

申请人： Ryosuke Usui ,  Takeshi Nakamura ,  Noriaki Kojima ,  Hiroyuki Watanabe

发明人： Ryosuke Usui ,  Takeshi Nakamura ,  Noriaki Kojima ,  Hiroyuki Watanabe

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B27/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/28 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/287 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H05K2201/068 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A miniaturized device mounting board having high reliability is provided. A material constituting a photoimageable solder resist layer 328 can be formed into a thin film while voids and unevenness are suppressed to occur by using a cardo type polymer which is of a base material and a predetermined additive. Therefore, a film having a thickness of about 25 μm can be used as the material constituting the photoimageable solder resist layer 328. The material constituting photoimageable solder resist layer 328 becomes about two-thirds in thickness, when compared with the conventional resin material having the thickness of about 35 μm, which is used as the photoimageable solder resist layer 328. Accordingly, a device mounting board 400 can be miniaturized.

摘要翻译： 提供了一种具有高可靠性的小型化装置安装板。 构成可光成像阻焊层328的材料可以形成为薄膜，同时通过使用基材和预定添加剂的cardo型聚合物来抑制空隙和不均匀性。 因此，可以使用厚度约25μm的膜作为构成光致成像阻焊层328的材料。 与用作可光致成像阻焊层328的厚度约35μm的常规树脂材料相比，构成可光成像阻焊层328的材料的厚度约为三分之二。 因此，装置安装板400可以小型化。

公开(公告)号：US20050213833A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11078397

申请日：2005-03-14

申请人： Shigeyuki Okada ,  Noriaki Kojima ,  Shinichiro Okada

发明人： Shigeyuki Okada ,  Noriaki Kojima ,  Shinichiro Okada

IPC分类号： H04N19/122 ,  G06F3/14 ,  G06K9/36 ,  G09G5/00 ,  G09G5/39 ,  G09G5/391 ,  H04N7/24 ,  H04N19/167 ,  H04N19/423 ,  H04N19/44 ,  H04N19/60 ,  H04N19/635 ,  H04N19/80

CPC分类号： G06F3/1431 ,  G09G5/39 ,  G09G2320/06 ,  G09G2320/0606 ,  G09G2320/10 ,  G09G2340/02 ,  G09G2340/0407 ,  H04N19/102 ,  H04N19/12 ,  H04N19/132 ,  H04N19/156 ,  H04N19/162 ,  H04N19/17 ,  H04N19/184 ,  H04N19/63 ,  H04N19/64

摘要： A decoding unit 150 decodes coded image data. A low resolution frame buffer 30 stores low resolution image data output from the decoding unit 150. A high resolution frame buffer 40 stores high resolution image data output from the decoding unit 150. A low resolution display circuit 32 acquires data from the low resolution frame buffer 30, and creates display signals for a low resolution display device 36 for displaying low resolution moving images. A high resolution display circuit 42 acquires data from the high resolution frame buffer 40, and creates display signals for a high resolution display device 46 for displaying high resolution moving images. Thus, each of multiple display devices can display respective moving images with different resolution.

摘要翻译： 解码单元150解码编码的图像数据。 低分辨率帧缓冲器30存储从解码单元150输出的低分辨率图像数据。高分辨率帧缓冲器40存储从解码单元150输出的高分辨率图像数据。低分辨率显示电路32从低分辨率帧缓冲器 并且为低分辨率显示装置36创建用于显示低分辨率运动图像的显示信号。 高分辨率显示电路42从高分辨率帧缓冲器40获取数据，并且产生用于显示高分辨率运动图像的高分辨率显示装置46的显示信号。 因此，多个显示装置中的每一个可以显示具有不同分辨率的各自的运动图像。

公开(公告)号：US5982662A

公开(公告)日：1999-11-09

申请号：US920366

申请日：1997-08-29

申请人： Yasuhiro Kobayashi ,  Yoh Takano ,  Noriaki Kojima ,  Masanori Kajitani ,  Sadao Yoshikawa

发明人： Yasuhiro Kobayashi ,  Yoh Takano ,  Noriaki Kojima ,  Masanori Kajitani ,  Sadao Yoshikawa

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/28

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/28 ,  G11C2211/5634

摘要： A semiconductor memory device is described that has an improved read characteristics. The semiconductor memory device includes a plurality of memory cells, a reference cell, a comparator located between the memory cells and the reference cell, and a discriminator coupled to the comparator. The comparator compares the actual signal equivalent to a value of a current flowing in each of the memory cells and reference signals equivalent to a value of a current flowing in the reference cell with each other to output a comparison result signal in each of data reading operation modes. The discriminator discriminates a value of data stored in each of the memory cells based on the comparison result signal. The discriminator includes a circuit shared for discrimination of a data value in each of the data reading operation modes.

摘要翻译： 描述了具有改进的读取特性的半导体存储器件。 半导体存储器件包括多个存储器单元，参考单元，位于存储器单元和参考单元之间的比较器，以及耦合到比较器的鉴相器。 比较器将在每个存储单元中流动的电流的值等效的参考信号与参考单元中流动的电流的值相当的实际信号进行比较，以在每个数据读取操作中输出比较结果信号 模式。 鉴别器基于比较结果信号来识别存储在每个存储器单元中的数据的值。 鉴别器包括在每个数据读取操作模式中用于区分数据值的共享电路。