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138 条记录 (耗时 0.035 秒)

    Adaptive over-provisioning in memory systems
    44.
    发明授权
    Adaptive over-provisioning in memory systems 有权
    内存系统中的自适应过度配置

    公开(公告)号：US08479080B1

    公开(公告)日：2013-07-02

    申请号：US12822207

    申请日：2010-06-24

    申请人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Yoav Kasorla

    发明人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Yoav Kasorla

    IPC分类号： H03M13/00

    CPC分类号： G06F12/0802 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0688 ,  G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F12/02 ,  G06F12/0223 ,  G06F12/023 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7205 ,  Y02D10/13

    摘要： A method for data storage includes, in a memory that includes multiple memory blocks, specifying at a first time a first over-provisioning overhead, and storing data in the memory while retaining in the memory blocks memory areas, which do not hold valid data and whose aggregated size is at least commensurate with the specified first over-provisioning overhead. Portions of the data from one or more previously-programmed memory blocks containing one or more of the retained memory areas are compacted. At a second time subsequent to the first time, a second over-provisioning overhead, different from the first over-provisioning overhead, is specified, and data storage and data portion compaction is continued while complying with the second over-provisioning overhead.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括在包括多个存储器块的存储器中，在第一时间指定第一过度供应开销，并且将数据存储在存储器中，同时保留存储器块，其不保存有效数据， 其聚合大小至少与指定的第一超额配置开销相称。 包含一个或多个保留的存储区域的一个或多个预先编程的存储块的数据的部分被压缩。 在第一次之后的第二时间，指定与第一过度供应开销不同的第二过度供应开销，并且在遵循第二过度供应开销的同时继续数据存储和数据部分压缩。

    EFFICIENT RE-READ OPERATIONS IN ANALOG MEMORY CELL ARRAYS
    45.
    发明申请
    EFFICIENT RE-READ OPERATIONS IN ANALOG MEMORY CELL ARRAYS 有权
    在模拟存储器单元阵列中有效地重新读取操作

    公开(公告)号：US20120254696A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13523352

    申请日：2012-06-14

    申请人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    发明人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

    CPC分类号： G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1068 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/00 ,  H03M13/3761

    摘要： A method for data storage includes storing data, which is encoded with an Error Correction Code (ECC), in a group of analog memory cells by writing respective first storage values to the memory cells in the group. After storing the data, respective second storage values are read from the memory cells in the group, and the read second storage values are processed so as to decode the ECC. Responsively to a failure in decoding the ECC, one or more of the second storage values that potentially caused the failure are identified as suspect storage values. Respective third storage values are re-read from a subset of the memory cells that includes the memory cells holding the suspect storage values. The ECC is re-decoded using the third storage values so as to reconstruct the stored data.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括通过将相应的第一存储值写入组中的存储器单元来将经错误校正码（ECC）编码的数据存储在一组模拟存储器单元中。 在存储数据之后，从组中的存储器单元读取相应的第二存储值，并且处理读取的第二存储值以便对ECC进行解码。 响应于对ECC的解码失败，可​​能导致故障的一个或多个第二存储值被识别为可疑存储值。 从包含存储可疑存储值的存储单元的存储器单元的子集重新读取相应的第三存储值。 使用第三存储值对ECC进行重新解码，以重建存储的数据。

    Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays
    46.
    发明授权
    Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays 有权
    在模拟存储单元阵列中选择性地激活编程方案

    公开(公告)号：US08228701B2

    公开(公告)日：2012-07-24

    申请号：US12714501

    申请日：2010-02-28

    申请人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Uri Perlmutter ,  Ofir Shalvi

    发明人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Uri Perlmutter ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： G11C27/00

    CPC分类号： G11C27/005 ,  G11C7/02 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3418

    摘要： A method for data storage includes defining a first programming scheme that programs a group of analog memory cells while reducing interference caused by at least one memory cell that neighbors the group, and a second programming scheme that programs the group of the analog memory cells and does not reduce all of the interference reduced by the first programming scheme. One of the first and second programming schemes is selected based on a criterion defined with respect to the analog memory cells. Data is stored in the group of the analog memory cells using the selected programming scheme.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括：定义第一编程方案，其编程一组模拟存储器单元，同时减少由与该组相邻的至少一个存储器单元引起的干扰;以及第二编程方案，其对该组模拟存储器单元进行编程 不能减少第一编程方案减少的所有干扰。 基于针对模拟存储器单元定义的标准来选择第一和第二编程方案之一。 使用所选择的编程方案将数据存储在模拟存储器单元的组中。

    READING MEMORY CELLS USING MULTIPLE THRESHOLDS
    47.
    发明申请
    READING MEMORY CELLS USING MULTIPLE THRESHOLDS 有权
    使用多个阈值读取记忆细胞

    公开(公告)号：US20100165730A1

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：US11995814

    申请日：2007-10-30

    申请人： Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Dotan Sokolov

    发明人： Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Dotan Sokolov

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G06F11/1068 ,  G11C8/20 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5642 ,  G11C27/005

    摘要： A method for operating a memory (28) includes storing data, which is encoded with an Error Correction Code (ECC), in analog memory cells (32) of the memory by writing respective analog input values selected from a set of nominal values to the analog memory cells. The stored data is read by performing multiple read operations that compare analog output values of the analog memory cells to different, respective read thresholds so as to produce multiple comparison results for each of the analog memory cells. At least two of the read thresholds are positioned between a pair of the nominal values that are adjacent to one another in the set of the nominal values. Soft metrics are computed responsively to the multiple comparison results. The ECC is decoded using the soft metrics, so as to extract the data stored in the analog memory cells.

    摘要翻译： 一种用于操作存储器（28）的方法包括：通过将从一组标称值中选择的相应模拟输入值写入到存储器的模拟存储器单元（32）中来存储用错误校正码（ECC）编码的数据， 模拟存储单元。 通过执行将模拟存储器单元的模拟输出值与不同的相应读取阈值进行比较的多个读取操作来读取存储的数据，以便为每个模拟存储器单元产生多个比较结果。 读取阈值中的至少两个位于在标称值的集合中彼此相邻的一对标称值之间。 响应于多个比较结果计算软度量。 使用软指标对ECC进行解码，以便提取存储在模拟存储单元中的数据。

    MEMORY DEVICE WITH INTERNAL SIGNAP PROCESSING UNIT
    48.
    发明申请
    MEMORY DEVICE WITH INTERNAL SIGNAP PROCESSING UNIT 有权
    具有内部信号处理单元的存储器件

    公开(公告)号：US20100131827A1

    公开(公告)日：2010-05-27

    申请号：US12597494

    申请日：2008-04-16

    申请人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Uri Perlmutter

    发明人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Uri Perlmutter

    IPC分类号： G11C29/52 ,  G11C27/00 ,  G06F12/00 ,  G06F11/10 ,  G06F12/16

    CPC分类号： G06F11/1072 ,  G06F11/1044 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1076 ,  G06F12/00 ,  G11C11/56 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/5004

    摘要： A method for operating a memory (36) includes storing data in a plurality of analog memory cells (40) that are fabricated on a first semiconductor die by writing input storage values to a group of the analog memory cells. After storing the data, multiple output storage values are read from each of the analog memory cells in the group using respective, different threshold sets of read thresholds, thus providing multiple output sets of the output storage values corresponding respectively to the threshold sets. The multiple output sets of the output storage values are preprocessed by circuitry (48) that is fabricated on the first semiconductor die, to produce preprocessed data. The preprocessed data is provided to a memory controller (28), which is fabricated on a second semiconductor die that is different from the first semiconductor die, so as to enable the memory controller to reconstruct the data responsively to the preprocessed data.

    摘要翻译： 一种用于操作存储器（36）的方法包括：通过将输入存储值写入到一组模拟存储器单元中，将数据存储在制造在第一半导体管芯上的多个模拟存储单元（40）中。 在存储数据之后，使用相应的不同的阈值集合读取组中每个模拟存储器单元的多个输出存储值，从而提供分别对应于阈值集合的输出存储值的多个输出组。 输出存储值的多个输出组由在第一半导体管芯上制造的电路（48）预处理，以产生预处理的数据。 预处理数据被提供给存储器控制器（28），该存储器控制器（28）被制造在与第一半导体管芯不同的第二半导体管芯上，以使得存储器控制器可以响应于预处理的数据来重建数据。

    Efficient re-read operations from memory devices
    49.
    发明申请
    Efficient re-read operations from memory devices 有权
    从存储器设备高效重新读取操作

    公开(公告)号：US20090144600A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：US12323544

    申请日：2008-11-26

    申请人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    发明人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： G11C29/52 ,  G06F11/10

    CPC分类号： G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1068 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/00 ,  H03M13/3761

    摘要： A method for data storage includes storing data, which is encoded with an Error Correction Code (ECC), in a group of analog memory cells by writing respective first storage values to the memory cells in the group. After storing the data, respective second storage values are read from the memory cells in the group, and the read second storage values are processed so as to decode the ECC.Responsively to a failure in decoding the ECC, one or more of the second storage values that potentially caused the failure are identified as suspect storage values. Respective third storage values are re-read from a subset of the memory cells that includes the memory cells holding the suspect storage values. The ECC is re-decoded using the third storage values so as to reconstruct the stored data.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括通过将相应的第一存储值写入组中的存储器单元来将经错误校正码（ECC）编码的数据存储在一组模拟存储器单元中。 在存储数据之后，从组中的存储器单元读取相应的第二存储值，并且处理读取的第二存储值以便对ECC进行解码。 响应于对ECC的解码失败，可​​能导致故障的一个或多个第二存储值被识别为可疑存储值。 从包含存储可疑存储值的存储单元的存储器单元的子集重新读取相应的第三存储值。 使用第三存储值对ECC进行重新解码，以重建存储的数据。

    REDUCING PROGRAMMING ERROR IN MEMORY DEVICES
    50.
    发明申请
    REDUCING PROGRAMMING ERROR IN MEMORY DEVICES 有权
    减少存储器件中的编程错误

    公开(公告)号：US20090103358A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US11995806

    申请日：2007-05-10

    申请人： Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    发明人： Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06 ,  G11C7/00 ,  G11C29/00

    CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/5628 ,  G11C27/005 ,  G11C2211/5621 ,  H04Q2213/13103 ,  H04Q2213/13106 ,  H04Q2213/13305 ,  H04Q2213/1332

    摘要： A method for storing data in an array (28) of analog memory cells (32) includes defining a constellation of voltage levels (90A, 90B, 90C, 90D) to be used in storing the data. A part of the data is written to a first analog memory cell in the array by applying to the analog memory cell a first voltage level selected from the constellation. After writing the part of the data to the first analog memory cell, a second voltage level that does not belong to the constellation is read from the first analog memory cell. A modification to be made in writing to one or more of the analog memory cells in the array is determined responsively to the second voltage level, and data are written to the one or more of the analog memory cells subject to the modification.

    摘要翻译： 一种用于将数据存储在模拟存储器单元（32）的阵列（28）中的方法包括定义用于存储数据的电压电平（90A，90B，90C，90D）的星座图。 通过向模拟存储器单元施加从星座中选择的第一电压电平，将一部分数据写入阵列中的第一模拟存储器单元。 在将部分数据写入第一模拟存储单元之后，从第一模拟存储单元读取不属于星座的第二电压电平。 响应于第二电压电平确定对阵列中的一个或多个模拟存储器单元进行写入的修改，并且数据被写入经过修改的一个或多个模拟存储器单元。