公开(公告)号：US08516611B1

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13592852

申请日：2012-08-23

申请人： Yang Wei ,  Shou-Shan Fan

发明人： Yang Wei ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： G01Q60/40 ,  G01Q70/12

CPC分类号： G01Q60/40 ,  G01Q70/12 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304

摘要： An atomic force microscope probe includes a carbon nanotube micro-tip structure. The carbon nanotube micro-tip structure includes an insulating substrate and a patterned carbon nanotube film structure. The insulating substrate includes a surface. The surface includes an edge. The patterned carbon nanotube film structure is partially arranged on the surface of the insulating substrate. The patterned carbon nanotube film structure includes two strip-shaped arms joined together to form a tip portion protruding and suspending from the edge of the surface of the insulating substrate. The two strip-shaped arms include a number of carbon nanotubes parallel to the surface of the insulating substrate.

摘要翻译： 原子力显微镜探针包括碳纳米管微尖端结构。 碳纳米管微尖端结构包括绝缘基板和图案化碳纳米管薄膜结构。 绝缘基板包括表面。 表面包括边缘。 图案化的碳纳米管膜结构部分地布置在绝缘基板的表面上。 图案化碳纳米管膜结构包括两个连接在一起的条状臂，以形成从绝缘基板的表面的边缘突出并悬挂的末端部分。 两个带状臂包括平行于绝缘基板的表面的多个碳纳米管。

公开(公告)号：US08436522B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12904678

申请日：2010-10-14

申请人： Qi Cai ,  Xing Zhang ,  Hai-Yan Hao ,  Shou-Shan Fan

发明人： Qi Cai ,  Xing Zhang ,  Hai-Yan Hao ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01B1/24 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01J1/304 ,  H01B1/24

摘要： A carbon nanotube slurry consists of carbon nanotubes, glass powder, and organic carrier. The field emission device includes an insulative substrate, a cathode conductive layer, and an electron emission layer. The cathode conductive layer is located on a surface of the insulative substrate. The electron emission layer is located on a surface of the cathode conductive layer. The electron emission layer consists of a glass layer and a plurality of carbon nanotubes electrically connected to the cathode conductive layer.

摘要翻译： 碳纳米管浆料由碳纳米管，玻璃粉末和有机载体组成。 场发射器件包括绝缘衬底，阴极导电层和电子发射层。 阴极导电层位于绝缘基板的表面上。 电子发射层位于阴极导电层的表面上。 电子发射层由玻璃层和电连接到阴极导电层的多个碳纳米管组成。

公开(公告)号：US08405294B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12343396

申请日：2008-12-23

申请人： Takahiro Matsumoto ,  Yoichiro Neo

发明人： Takahiro Matsumoto ,  Yoichiro Neo

IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J19/06

CPC分类号： H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

摘要： A field emission electron source for emitting electrons under applied electric field includes a cold cathode having molecules of an aromatic compound vapor-deposited thereon at a pointed end of said cold cathode.

摘要翻译： 用于在施加的电场下发射电子的场致发射电子源包括在所述冷阴极的尖端处具有气相沉积在其上的芳族化合物分子的冷阴极。

公开(公告)号：US08378561B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13055560

申请日：2009-07-30

申请人： Yoshihisa Ishiguro ,  Masanori Haba ,  Ryouichi Suzuki

发明人： Yoshihisa Ishiguro ,  Masanori Haba ,  Ryouichi Suzuki

IPC分类号： H01J63/04

CPC分类号： H01J35/065 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2235/062

摘要： An electron emitter includes a guard electrode 13 on the outer circumferential side of a carbon film structure 10 which is formed on a substrate 7 by plasma CVD method. This guard electrode 13 includes a curved surface portion (a curved surface portion that curves from top toward a side opposite to the film-forming direction) 13a convex in a film-forming direction of the carbon film structure 10. A curvature radius R1 of an outer-circumferential-side portion of the curved surface portion 13a is larger than or equal to a curvature radius R2 of a carbon-film-structure-side portion of the curved surface portion 13a.

摘要翻译： 电子发射体在碳膜结构体10的外周侧具有通过等离子体CVD法在基板7上形成的保护电极13。 该保护电极13包括在碳膜结构体10的成膜方向上凸出的曲面部（从顶部朝向与成膜方向相反的一侧弯曲的曲面部）13a。曲率半径R1为 曲面部13a的外周侧部分大于或等于曲面部分13a的碳膜结构侧部分的曲率半径R2。

公开(公告)号：US08348710B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12941158

申请日：2010-11-08

申请人： Qi Cai ,  Tong-Feng Gao ,  Jie Tang ,  Shou-Shan Fan

发明人： Qi Cai ,  Tong-Feng Gao ,  Jie Tang ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01J9/00

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

摘要： A method for making cathode slurry is provided and includes the following steps. First, a plurality of electron emitters, an inorganic binder, and an organic carrier are provided. Second, the plurality of electron emitters, the inorganic binder, and the organic carrier are mixed to obtain a mixture. Third, the mixture is mechanically pressed and sheared.

摘要翻译： 提供了制备阴极浆料的方法，包括以下步骤。 首先，提供多个电子发射体，无机粘合剂和有机载体。 其次，将多个电子发射体，无机粘合剂和有机载体混合，得到混合物。 第三，将混合物机械压制并剪切。

公开(公告)号：US08299699B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US13209892

申请日：2011-08-15

申请人： Yuan-Yao Li ,  Meng-Jey Youh ,  Chun-Lung Tseng ,  Hung-Chih Wu ,  Wang-Hua Lin ,  Yen-Ming Juan ,  Sheng-Cheng Chiu

发明人： Yuan-Yao Li ,  Meng-Jey Youh ,  Chun-Lung Tseng ,  Hung-Chih Wu ,  Wang-Hua Lin ,  Yen-Ming Juan ,  Sheng-Cheng Chiu

IPC分类号： H01J1/62

CPC分类号： H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J9/22 ,  H01J29/18 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0407 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0473 ,  H01J2329/18

摘要： A double-sided light-emitting field emission device and method of manufacturing same, said device comprising at least two transparent conductive layers, mixed field emission layers, and transparent package device. Wherein, the mixed field emission layer of field emission source and phosphor are utilized directly to serve as anode and cathode alternatively, such that on applying an AC power supply, roles of anode and cathode are changed alternatively along with frequency, hereby forming double-sided light-emitting structure. Therefore, the applications of said double-sided light-emitting field emission device are pretty wide, and having advantages of protecting field emission source, activating field emission source, reducing field emission arcing effect, having conductive phosphor, and raising illumination.

摘要翻译： 一种双面发光场致发射器件及其制造方法，所述器件包括至少两个透明导电层，混合场发射层和透明封装器件。 其中，场发射源和荧光体的混合场致发射层直接用作阳极和阴极，这样在施加交流电源时，阳极和阴极的作用随频率而变化，因此形成双面 发光结构。 因此，所述双面发光场致发射装置的应用相当广泛，具有保护场致发射源，激活场发射源，降低场致发射效应，具有导电磷光体和提高照明的优点。

公开(公告)号：US08267734B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12386161

申请日：2009-04-14

申请人： Chia-Ying Lee ,  Seu-Yi Li ,  Pang Lin ,  Tseung-Yuan Tseng

发明人： Chia-Ying Lee ,  Seu-Yi Li ,  Pang Lin ,  Tseung-Yuan Tseng

IPC分类号： H01J9/00

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446

摘要： This invention relates to a process for fabricating ZnO nanowires with high aspect ratio at low temperature, which is associated with semiconductor manufacturing process and a gate controlled field emission triode is obtained. The process comprises providing a semiconductor substrate, depositing a dielectric layer and a conducting layer, respectively, on the semiconductor substrate, defining the positions of emitter arrays on the dielectric layer and conducting layer, depositing an ultra thin ZnO film as a seeding layer on the substrate, growing the ZnO nanowires as the emitter arrays by using hydrothermal process, and etching the areas excluding the emitter arrays, then obtaining the gate controlled field emission triode.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造低温下具有高纵横比的ZnO纳米线的方法，其与半导体制造工艺相关，并且获得了栅极控制的场致发射三极管。 该方法包括提供半导体衬底，分别在半导体衬底上沉积电介质层和导电层，限定电介质层和导电层上的发射极阵列的位置，将沉积超薄ZnO膜作为接种层 衬底，通过使用水热法生长ZnO纳米线作为发射极阵列，并蚀刻除发射极阵列之外的区域，然后获得栅极控制的场致发射三极管。

公开(公告)号：US20120224327A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13476417

申请日：2012-05-21

申请人： Mohammad Shafiqul Kabir

发明人： Mohammad Shafiqul Kabir

IPC分类号： H05K7/20 ,  F28F7/00

CPC分类号： B01J23/755 ,  B01J23/76 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01B1/04 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/31786 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0512 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2221/1094 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/86

摘要： The present invention provides for nanostructures grown on a conducting or insulating substrate, and a method of making the same. The nanostructures grown according to the claimed method are suitable for interconnects and/or as heat dissipators in electronic devices.

摘要翻译： 本发明提供在导电或绝缘基板上生长的纳米结构及其制造方法。 根据要求保护的方法生长的纳米结构适用于电子器件中的互连和/或散热器。

公开(公告)号：US08247070B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12447836

申请日：2007-10-30

申请人： Barry Chin Li Cheung ,  Joseph Reese Brewer ,  Nirmalendu Deo

发明人： Barry Chin Li Cheung ,  Joseph Reese Brewer ,  Nirmalendu Deo

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： H01J1/304 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B35/04 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  Y10T428/2913 ,  Y10T428/2916 ,  Y10T428/2973 ,  Y10T428/2976 ,  Y10T428/298

摘要： The present invention comprises nano obelisks and nanostructures and methods and processes for same. The nano obelisks of the present invention are advantageous structures for use as electron source emitters. For example, the ultra sharp obelisks can be used as an emitter source to generate highly coherent and high energy electrons with high current.

摘要翻译： 本发明包括纳米方尖碑和纳米结构及其方法和方法。 本发明的纳米方尖碑是用作电子源发射体的有利结构。 例如，超尖锐方尖碑可以用作发射源，以产生具有高电流的高度相干和高能量的电子。

公开(公告)号：US08246413B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12959605

申请日：2010-12-03

申请人： Peng Liu ,  Duan-Liang Zhou ,  Pi-Jin Chen ,  Zhao-Fu Hu ,  Cai-Lin Guo ,  Bing-Chu Du ,  Shou-Shan Fan

发明人： Peng Liu ,  Duan-Liang Zhou ,  Pi-Jin Chen ,  Zhao-Fu Hu ,  Cai-Lin Guo ,  Bing-Chu Du ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01J1/00

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J1/32 ,  H01J3/021 ,  H01J9/125

摘要： A method for making a field emission device includes the following steps. An insulative substrate is provided. An electron pulling electrode is formed on the insulative substrate. A secondary electron emission layer is formed on the electron pulling electrode. A first dielectric layer is fabricated. The first dielectric layer has a second opening to expose the secondary electron emission layer. A cathode plate having an electron output portion is provided. An electron emission layer is formed on part surface of the cathode plate. The cathode plate is placed on the first dielectric layer. The electron output portion and the second opening have at least one part overlapped, and at least one part of the electron emission layer is oriented to the secondary electron emission layer via the second opening.

摘要翻译： 制造场发射装置的方法包括以下步骤。 提供绝缘基板。 在绝缘基板上形成电子牵引电极。 在电子牵引电极上形成二次电子发射层。 制造第一介电层。 第一介电层具有第二开口以暴露二次电子发射层。 提供具有电子输出部分的阴极板。 在阴极板的部分表面上形成电子发射层。 阴极板放置在第一电介质层上。 电子输出部分和第二开口具有至少一个部分重叠，并且电子发射层的至少一部分经由第二开口被定向到二次电子发射层。