公开(公告)号：US08537591B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12926404

申请日：2010-11-16

申请人： Young-bae Kim ,  Chang-bum Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

发明人： Young-bae Kim ,  Chang-bum Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

摘要： Methods of operating semiconductor devices that include variable resistance devices, the methods including writing first data to a semiconductor device by applying a reset pulse voltage to the variable resistance device so that the variable resistance device is switched from a first resistance state to a second resistance state, and writing second data to the semiconductor device by applying a set pulse voltage to the variable resistance device so that the variable resistance device is switched from the second resistance state to the first resistance state to the second resistance state. The reset pulse voltage is higher than the set pulse voltage, and a resistance in the second resistance state is greater than in the first resistance state.

摘要翻译： 操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，所述方法包括通过向可变电阻器件施加复位脉冲电压将第一数据写入半导体器件，使得可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态 并且通过向可变电阻器件施加设置的脉冲电压将第二数据写入半导体器件，使得可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态到第二电阻状态。 复位脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态下的电阻大于第一电阻状态。

公开(公告)号：US08466461B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US11987150

申请日：2007-11-28

申请人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments relate to a resistive random access memory (RRAM) and a method of manufacturing the RRAM. A RRAM according to example embodiments may include a lower electrode, which may be formed on a lower structure (e.g., substrate). A resistive layer may be formed on the lower electrode, wherein the resistive layer may include a transition metal dopant. An upper electrode may be formed on the resistive layer. Accordingly, the transition metal dopant may form a filament in the resistive layer that operates as a current path.

摘要翻译： 示例实施例涉及电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 根据示例性实施例的RRAM可以包括下电极，其可以形成在下结构（例如，衬底）上。 电阻层可以形成在下电极上，其中电阻层可以包括过渡金属掺杂剂。 上电极可以形成在电阻层上。 因此，过渡金属掺杂剂可以在作为电流路径工作的电阻层中形成丝。

公开(公告)号：US08203863B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12801533

申请日：2010-06-14

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C5/063 ,  G11C11/21 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： A nonvolatile memory cell may include a bidirectional switch having a first threshold voltage when a forward current is applied to the bidirectional switch and a second threshold voltage when a reverse current is applied to the bidirectional switch; and a variable resistor connected to the bidirectional switch in series. A state of resistance of the variable resistor may be controlled according to voltage applied to the variable resistor. A sum of a magnitude of the first threshold voltage and a magnitude of the second threshold voltage may be greater than a write voltage that is used to perform a write operation on the variable resistor.

摘要翻译： 当向双向开关施加正向电流时，非易失性存储单元可以包括具有第一阈值电压的双向开关，当向双向开关施加反向电流时，非易失性存储单元可包括第二阈值电压; 以及串联连接到双向开关的可变电阻器。 可变电阻器的电阻状态可以根据施加到可变电阻器的电压来控制。 第一阈值电压的大小和第二阈值电压的大小的和可以大于用于对可变电阻器执行写入操作的写入电压。

公开(公告)号：US08101983B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US11654626

申请日：2007-01-18

申请人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

发明人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including one transistor and one resistant material and a method of manufacturing the nonvolatile memory device are provided. The nonvolatile memory device includes a substrate, a transistor formed on the substrate, and a data storage unit connected to a drain of the transistor. The data storage unit includes a data storage material layer having different resistance characteristics in different voltage ranges.

摘要翻译： 提供了包括一个晶体管和一个电阻材料的非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括衬底，形成在衬底上的晶体管，以及连接到晶体管的漏极的数据存储单元。 数据存储单元包括在不同电压范围内具有不同电阻特性的数据存储材料层。

公开(公告)号：US07691441B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11550121

申请日：2006-10-17

申请人： Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  June-mo Koo ,  Bum-seok Seo

发明人： Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  June-mo Koo ,  Bum-seok Seo

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918

摘要： A method of forming carbon fibers at a low temperature below 450° C. using an organic-metal evaporation method is provided. The method includes: heating a substrate and maintaining the substrate at a temperature of 200 to 450° C. after loading the substrate into a reaction chamber; preparing an organic-metal compound containing Ni; forming an organic-metal compound vapor by vaporizing the organic-metal compound; and forming carbon fibers on the substrate by facilitating a chemical reaction between the organic-metal compound vapor and a reaction gas containing ozone in the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了使用有机金属蒸发法在低于450℃的低温下形成碳纤维的方法。 该方法包括：将基板加载到反应室中之后，加热基板并将基板保持在200至450℃的温度; 制备含有Ni的有机金属化合物; 通过蒸发有机金属化合物形成有机金属化合物蒸气; 以及通过促进有机金属化合物蒸气和在反应室中含有臭氧的反应气体之间的化学反应，在基板上形成碳纤维。

公开(公告)号：US07635628B2

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US11354011

申请日：2006-02-15

申请人： Yoon-ho Khang ,  Eun-hye Lee ,  Myoung-jae Lee ,  Sun-ae Seo ,  Seung-Eon Ahn

发明人： Yoon-ho Khang ,  Eun-hye Lee ,  Myoung-jae Lee ,  Sun-ae Seo ,  Seung-Eon Ahn

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0416 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

摘要： The nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate on which a source, a drain, and a channel region are formed, a tunneling oxide film formed on the channel region, a floating gate formed of a transition metal oxide (TMO) on the tunneling oxide, a blocking oxide film formed on the floating gate, a gate electrode formed on the blocking oxide film.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括其上形成有源极，漏极和沟道区的半导体衬底，在沟道区上形成的隧道氧化膜，在隧道氧化物上由过渡金属氧化物（TMO）形成的浮动栅， 形成在浮置栅极上的阻挡氧化膜，形成在阻挡氧化膜上的栅电极。

公开(公告)号：US20090256128A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12457539

申请日：2009-06-15

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A data storage and a semiconductor memory device including the same are provided, the data storage including a lower electrode, a first discharge prevention layer stacked on the lower electrode, a phase-transition layer on the first discharge prevention layer, a second discharge prevention layer stacked on the phase-transition layer, and an upper electrode stacked on the second discharge prevention layer. The phase transition layer includes oxygen and exhibits two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof changed. The first and second discharge prevention layers block discharge of the oxygen from the phase transition layer.

摘要翻译： 提供了一种数据存储器和包括其的半导体存储器件，该数据存储器包括下电极，堆叠在下电极上的第一放电防护层，第一放电防止层上的相变层，第二放电防止层 层叠在相变层上，上层电极堆叠在第二放电防止层上。 相变层包括氧，并且根据其绝缘性是否变化，呈现出两种不同的电阻特性。 第一和第二放电防止层阻止氧从相变层的放电。

公开(公告)号：US20090243115A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US07521704B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11116332

申请日：2005-04-28

申请人： Myoung-jae Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-seok Suh ,  David Seo ,  Sang-hun Jeon

发明人： Myoung-jae Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-seok Suh ,  David Seo ,  Sang-hun Jeon

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A memory device using a multi-layer with a graded resistance change is provided. The memory device includes: a lower electrode; a data storage layer being located on the lower electrode and having the graded resistance change; and an upper electrode being located on the data storage layer.

摘要翻译： 提供了使用具有分级电阻变化的多层的存储器件。 存储器件包括：下电极; 数据存储层位于下电极上并具有分级电阻变化; 并且上电极位于数据存储层上。

公开(公告)号：US20090052226A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12007013

申请日：2008-01-04

申请人： Jung-hyun Lee ,  Myoung-jae Lee

发明人： Jung-hyun Lee ,  Myoung-jae Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/79

摘要： Provided is a resistive random access memory device that includes a storage node connected to a switching device. The resistive random access memory device includes a first electrode, a resistance variable layer, and a second electrode which are sequentially stacked, wherein a diffusion blocking layer is formed between the first electrode and the resistance variable layer or between the resistance variable layer or/and the second electrode.

摘要翻译： 提供了一种电阻随机存取存储器件，其包括连接到开关器件的存储节点。 电阻式随机存取存储器件包括依次堆叠的第一电极，电阻变化层和第二电极，其中在第一电极和电阻变化层之间或电阻变化层之间或/或电阻变化层之间形成扩散阻挡层 第二电极。