公开(公告)号：US20110128772A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12801533

申请日：2010-06-14

申请人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C5/063 ,  G11C11/21 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： A nonvolatile memory cell may include a bidirectional switch having a first threshold voltage when a forward current is applied to the bidirectional switch and a second threshold voltage when a reverse current is applied to the bidirectional switch; and a variable resistor connected to the bidirectional switch in series. A state of resistance of the variable resistor may be controlled according to voltage applied to the variable resistor. A sum of a magnitude of the first threshold voltage and a magnitude of the second threshold voltage may be greater than a write voltage that is used to perform a write operation on the variable resistor.

摘要翻译： 当向双向开关施加正向电流时，非易失性存储单元可以包括具有第一阈值电压的双向开关，当向双向开关施加反向电流时，非易失性存储单元可包括第二阈值电压; 以及串联连接到双向开关的可变电阻器。 可变电阻器的电阻状态可以根据施加到可变电阻器的电压来控制。 第一阈值电压的大小和第二阈值电压的大小的和可以大于用于对可变电阻器执行写入操作的写入电压。

公开(公告)号：US08203863B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12801533

申请日：2010-06-14

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C5/063 ,  G11C11/21 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： A nonvolatile memory cell may include a bidirectional switch having a first threshold voltage when a forward current is applied to the bidirectional switch and a second threshold voltage when a reverse current is applied to the bidirectional switch; and a variable resistor connected to the bidirectional switch in series. A state of resistance of the variable resistor may be controlled according to voltage applied to the variable resistor. A sum of a magnitude of the first threshold voltage and a magnitude of the second threshold voltage may be greater than a write voltage that is used to perform a write operation on the variable resistor.

摘要翻译： 当向双向开关施加正向电流时，非易失性存储单元可以包括具有第一阈值电压的双向开关，当向双向开关施加反向电流时，非易失性存储单元可包括第二阈值电压; 以及串联连接到双向开关的可变电阻器。 可变电阻器的电阻状态可以根据施加到可变电阻器的电压来控制。 第一阈值电压的大小和第二阈值电压的大小的和可以大于用于对可变电阻器执行写入操作的写入电压。

公开(公告)号：US20150028278A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14444083

申请日：2014-07-28

申请人： Myoung-jae Lee ,  Seong-ho Cho ,  Ho-jung Kim ,  Young-soo Park ,  David Seo ,  In-kyeong Yoo

发明人： Myoung-jae Lee ,  Seong-ho Cho ,  Ho-jung Kim ,  Young-soo Park ,  David Seo ,  In-kyeong Yoo

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L29/788 ,  G06N3/049 ,  G06N3/063 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/0433 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/53 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/00 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/51 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/147

摘要： Provided are nonvolatile memory transistors and devices including the nonvolatile memory transistors. A nonvolatile memory transistor may include a channel element, a gate electrode corresponding to the channel element, a gate insulation layer between the channel element and the gate electrode, an ionic species moving layer between the gate insulation layer and the gate electrode, and a source and a drain separated from each other with respect to the channel element. A motion of an ionic species at the ionic species moving layer occurs according to a voltage applied to the gate electrode. A threshold voltage changes according to the motion of the ionic species. The nonvolatile memory transistor has a multi-level characteristic.

摘要翻译： 提供了非易失性存储晶体管和包括非易失性存储晶体管的器件。 非易失性存储晶体管可以包括沟道元件，对应于沟道元件的栅极电极，沟道元件和栅电极之间的栅极绝缘层，栅极绝缘层和栅电极之间的离子物质移动层，以及源极 以及相对于沟道元件彼此分离的漏极。 根据施加到栅电极的电压，发生离子物质移动层处的离子物质的运动。 阈值电压根据离子物质的运动而变化。 非易失性存储晶体管具有多电平特性。

公开(公告)号：US07936044B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11403902

申请日：2006-04-14

申请人： Dong Chul Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Sun-ae Seo ,  In-gyu Baek ,  Seung-eon Ahn ,  Byoung-ho Park ,  Young-kwan Cha ,  Sang-jin Park

发明人： Dong Chul Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Sun-ae Seo ,  In-gyu Baek ,  Seung-eon Ahn ,  Byoung-ho Park ,  Young-kwan Cha ,  Sang-jin Park

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

摘要： A memory device may include a switching device and a storage node coupled with the switching device. The storage node may include a first electrode, a second electrode, a data storage layer and at least one contact layer. The data storage layer may be disposed between the first electrode and the second electrode and may include a transition metal oxide or aluminum oxide. The at least one contact layer may be disposed at least one of above or below the data storage layer and may include a conductive metal oxide.

摘要翻译： 存储器件可以包括与开关器件耦合的开关器件和存储节点。 存储节点可以包括第一电极，第二电极，数据存储层和至少一个接触层。 数据存储层可以设置在第一电极和第二电极之间，并且可以包括过渡金属氧化物或氧化铝。 至少一个接触层可以设置在数据存储层的上方或下方的至少一个上，并且可以包括导电金属氧化物。

公开(公告)号：US20070120580A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11403902

申请日：2006-04-14

申请人： Dong Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Sun-ae Seo ,  In-gyu Baek ,  Seung-eon Ahn ,  Byoung-ho Park ,  Young-kwan Cha ,  Sang-jin Park

发明人： Dong Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Sun-ae Seo ,  In-gyu Baek ,  Seung-eon Ahn ,  Byoung-ho Park ,  Young-kwan Cha ,  Sang-jin Park

IPC分类号： H03K19/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

摘要： A memory device may include a switching device and a storage node coupled with the switching device. The storage node may include a first electrode, a second electrode, a data storage layer and at least one contact layer. The data storage layer may be disposed between the first electrode and the second electrode and may include a transition metal oxide or aluminum oxide. The at least one contact layer may be disposed at least one of above or below the data storage layer and may include a conductive metal oxide.

摘要翻译： 存储器件可以包括与开关器件耦合的开关器件和存储节点。 存储节点可以包括第一电极，第二电极，数据存储层和至少一个接触层。 数据存储层可以设置在第一电极和第二电极之间，并且可以包括过渡金属氧化物或氧化铝。 至少一个接触层可以设置在数据存储层的上方或下方的至少一个上，并且可以包括导电金属氧化物。

公开(公告)号：US08164130B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US10852287

申请日：2004-05-25

申请人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

发明人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including one transistor and one resistant material and a method of manufacturing the nonvolatile memory device are provided. The nonvolatile memory device includes a substrate, a transistor formed on the substrate, and a data storage unit connected to a drain of the transistor. The data storage unit includes a data storage material layer having different resistance characteristics in different voltage ranges.

公开(公告)号：US08101983B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US11654626

申请日：2007-01-18

申请人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

发明人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including one transistor and one resistant material and a method of manufacturing the nonvolatile memory device are provided. The nonvolatile memory device includes a substrate, a transistor formed on the substrate, and a data storage unit connected to a drain of the transistor. The data storage unit includes a data storage material layer having different resistance characteristics in different voltage ranges.

摘要翻译： 提供了包括一个晶体管和一个电阻材料的非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括衬底，形成在衬底上的晶体管，以及连接到晶体管的漏极的数据存储单元。 数据存储单元包括在不同电压范围内具有不同电阻特性的数据存储材料层。

公开(公告)号：US07521704B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11116332

申请日：2005-04-28

申请人： Myoung-jae Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-seok Suh ,  David Seo ,  Sang-hun Jeon

发明人： Myoung-jae Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-seok Suh ,  David Seo ,  Sang-hun Jeon

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A memory device using a multi-layer with a graded resistance change is provided. The memory device includes: a lower electrode; a data storage layer being located on the lower electrode and having the graded resistance change; and an upper electrode being located on the data storage layer.

摘要翻译： 提供了使用具有分级电阻变化的多层的存储器件。 存储器件包括：下电极; 数据存储层位于下电极上并具有分级电阻变化; 并且上电极位于数据存储层上。

公开(公告)号：US20070114587A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11654626

申请日：2007-01-18

申请人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

发明人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including one transistor and one resistant material and a method of manufacturing the nonvolatile memory device are provided. The nonvolatile memory device includes a substrate, a transistor formed on the substrate, and a data storage unit connected to a drain of the transistor. The data storage unit includes a data storage material layer having different resistance characteristics in different voltage ranges.

摘要翻译： 提供了包括一个晶体管和一个电阻材料的非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括衬底，形成在衬底上的晶体管，以及连接到晶体管的漏极的数据存储单元。 数据存储单元包括在不同电压范围内具有不同电阻特性的数据存储材料层。

公开(公告)号：US20050247921A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US11116332

申请日：2005-04-28

申请人： Myoung-jae Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-seok Suh ,  David Seo ,  Sang-hun Jeon

发明人： Myoung-jae Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-seok Suh ,  David Seo ,  Sang-hun Jeon

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L27/24 ,  H01L29/02 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A memory device using a multi-layer with a graded resistance change is provided. The memory device includes: a lower electrode; a data storage layer being located on the lower electrode and having the graded resistance change; and an upper electrode being located on the data storage layer.

摘要翻译： 提供了使用具有分级电阻变化的多层的存储器件。 存储器件包括：下电极; 数据存储层位于下电极上并具有分级电阻变化; 并且上电极位于数据存储层上。