公开(公告)号：US20050194622A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11013923

申请日：2004-12-17

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L27/22 ,  H01L29/92 ,  H01L45/00 ,  H01L49/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： In a capacitor of a semiconductor device, a semiconductor memory device including the capacitor, and a method of operating the semiconductor memory device, the capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer stacked on the lower electrode, the dielectric layer including a phase-transition layer capable of exhibiting two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof has been changed, and an upper electrode stacked on the dielectric layer.

摘要翻译： 在半导体器件的电容器中，包括电容器的半导体存储器件以及半导体存储器件的操作方法，电容器包括下电极，堆叠在下电极上的电介质层，电介质层包括相转变 层，其能够根据其绝缘性是否变化而呈现出两种不同的电阻特性，以及堆叠在电介质层上的上电极。

公开(公告)号：US20090256128A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12457539

申请日：2009-06-15

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A data storage and a semiconductor memory device including the same are provided, the data storage including a lower electrode, a first discharge prevention layer stacked on the lower electrode, a phase-transition layer on the first discharge prevention layer, a second discharge prevention layer stacked on the phase-transition layer, and an upper electrode stacked on the second discharge prevention layer. The phase transition layer includes oxygen and exhibits two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof changed. The first and second discharge prevention layers block discharge of the oxygen from the phase transition layer.

摘要翻译： 提供了一种数据存储器和包括其的半导体存储器件，该数据存储器包括下电极，堆叠在下电极上的第一放电防护层，第一放电防止层上的相变层，第二放电防止层 层叠在相变层上，上层电极堆叠在第二放电防止层上。 相变层包括氧，并且根据其绝缘性是否变化，呈现出两种不同的电阻特性。 第一和第二放电防止层阻止氧从相变层的放电。

公开(公告)号：US08513634B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12457539

申请日：2009-06-15

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/2436 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A data storage and a semiconductor memory device including the same are provided, the data storage including a lower electrode, a first discharge prevention layer stacked on the lower electrode, a phase-transition layer on the first discharge prevention layer, a second discharge prevention layer stacked on the phase-transition layer, and an upper electrode stacked on the second discharge prevention layer. The phase transition layer includes oxygen and exhibits two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof changed. The first and second discharge prevention layers block discharge of the oxygen from the phase transition layer.

公开(公告)号：US20060049447A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11219805

申请日：2005-09-07

申请人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： An antimony precursor including antimony, nitrogen and silicon, a phase-change memory device using the same, and a method of making the phase-change memory device. The phase-change memory device may have a phase-change film of a Ge2—Sb2—Te5 material including nitrogen and silicon.

摘要翻译： 包括锑，氮和硅的锑前体，使用该锑前体的相变存储器件以及制造该相变存储器件的方法。 相变存储器件可以具有包括氮和硅的Ge 2 -Sb 2 -Te 5-5材料的相变膜。

公开(公告)号：US20100159637A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12654839

申请日：2010-01-06

申请人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F7/10

CPC分类号： C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： An antimony precursor including antimony, nitrogen and silicon, a phase-change memory device using the same, and a method of making the phase-change memory device. The phase-change memory device may have a phase-change film of a Ge2—Sb2—Te5 material including nitrogen and silicon.

摘要翻译： 包括锑，氮和硅的锑前体，使用该锑前体的相变存储器件以及制造该相变存储器件的方法。 相变存储器件可以具有包括氮和硅的Ge2-Sb2-Te5材料的相变膜。

公开(公告)号：US07691441B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11550121

申请日：2006-10-17

申请人： Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  June-mo Koo ,  Bum-seok Seo

发明人： Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  June-mo Koo ,  Bum-seok Seo

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918

摘要： A method of forming carbon fibers at a low temperature below 450° C. using an organic-metal evaporation method is provided. The method includes: heating a substrate and maintaining the substrate at a temperature of 200 to 450° C. after loading the substrate into a reaction chamber; preparing an organic-metal compound containing Ni; forming an organic-metal compound vapor by vaporizing the organic-metal compound; and forming carbon fibers on the substrate by facilitating a chemical reaction between the organic-metal compound vapor and a reaction gas containing ozone in the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了使用有机金属蒸发法在低于450℃的低温下形成碳纤维的方法。 该方法包括：将基板加载到反应室中之后，加热基板并将基板保持在200至450℃的温度; 制备含有Ni的有机金属化合物; 通过蒸发有机金属化合物形成有机金属化合物蒸气; 以及通过促进有机金属化合物蒸气和在反应室中含有臭氧的反应气体之间的化学反应，在基板上形成碳纤维。

公开(公告)号：US08384439B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12591701

申请日：2009-11-30

申请人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Kee-won Kwon ,  Chang-jung Kim ,  Kyoung-kook Kim ,  Sung-ho Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Kee-won Kwon ,  Chang-jung Kim ,  Kyoung-kook Kim ,  Sung-ho Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： H01L25/00 ,  H03K19/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11807 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78648

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may be a complementary device including a p-type oxide TFT and an n-type oxide TFT. The semiconductor device may be a logic device such as an inverter, a NAND device, or a NOR device.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以是包括p型氧化物TFT和n型氧化物TFT的互补器件。 半导体器件可以是诸如逆变器，NAND器件或NOR器件的逻辑器件。

公开(公告)号：US20100148825A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12591701

申请日：2009-11-30

申请人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Kee-won Kwon ,  Chang-jung Kim ,  Kyoung-kook Kim ,  Sung-ho Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Kee-won Kwon ,  Chang-jung Kim ,  Kyoung-kook Kim ,  Sung-ho Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： H03K19/094 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11807 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78648

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may be a complementary device including a p-type oxide TFT and an n-type oxide TFT. The semiconductor device may be a logic device such as an inverter, a NAND device, or a NOR device.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以是包括p型氧化物TFT和n型氧化物TFT的互补器件。 半导体器件可以是诸如逆变器，NAND器件或NOR器件的逻辑器件。

公开(公告)号：US07352022B2

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：US11207740

申请日：2005-08-22

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Bum-seok Seo

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Bum-seok Seo

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L28/40

摘要： A capacitor having a dielectric layer including a composite oxide, the composite oxide including a transition metal and including a lanthanide group element, a memory device including the same and a method of manufacturing the capacitor are provided. The transition metal may be titanium and the composite oxide may be nitrided. The method may include providing a precursor of a transition metal, providing a precursor of a lanthanide group element, and forming a composite oxide on the lower electrode by oxidizing both the precursor of the transition metal and the precursor of the lanthanide group element, the composite oxide containing the transition metal and the lanthanide group element.

摘要翻译： 提供具有包括复合氧化物的电介质层的电容器，包含过渡金属并且包括镧系元素元素的复合氧化物，包括其的存储装置和制造电容器的方法。 过渡金属可以是钛，并且复合氧化物可以被氮化。 该方法可以包括提供过渡金属的前体，提供镧系元素元素的前体，以及通过氧化过渡金属的前体和镧系元素前体的复合氧化物，形成复合氧化物，复合材料 含有过渡金属和镧系元素的氧化物。

公开(公告)号：US20050145916A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US11011479

申请日：2004-12-15

申请人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

发明人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/75

摘要： A capacitor of a semiconductor device, and a method of manufacturing the capacitor of the semiconductor device, include a lower electrode layer, a dielectric layer, and an upper electrode layer, wherein the dielectric layer includes tantalum (Ta) oxide and an oxide of a Group 5 element, such as niobium (Nb) or vanadium (V).

摘要翻译： 半导体器件的电容器和制造半导体器件的电容器的方法包括下电极层，电介质层和上电极层，其中电介质层包括氧化钽（Ta）和氧化物 第5族元素，如铌（Nb）或钒（V）。