公开(公告)号：US20090028745A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12179239

申请日：2008-07-24

申请人： Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat

发明人： Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： C22C5/04 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45553

摘要： Methods of forming a ruthenium containing film on a substrate with a ruthenium precursor which contains nitrogen and two differing ligands.

摘要翻译： 在具有含有氮和两种不同配体的钌前体的基板上形成含钌膜的方法。

公开(公告)号：US07482286B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US10591629

申请日：2005-02-24

申请人： Ashutosh Misra ,  Matthew Fisher ,  Benjamin Jurcik ,  Christian Dussarrat ,  Eri Tsukada ,  Jean-Marc Girard

发明人： Ashutosh Misra ,  Matthew Fisher ,  Benjamin Jurcik ,  Christian Dussarrat ,  Eri Tsukada ,  Jean-Marc Girard

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/38 ,  H01L21/22 ,  H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/76841 ,  Y10S438/907

摘要： Method for producing a metal silicon (oxy)nitride by introducing a carbon-free silicon source (for example, (SiH3)3N), a metal precursor with the general formula MXn (for example, Hf(NEt2)4), and an oxidizing agent (for example, O2) into a CVD chamber and reacting same at the surface of a substrate. MsiN, MSIo and/or MSiON films may be obtained. These films are useful are useful as high k dielectrics films.

摘要翻译： 通过引入无碳硅源（例如，（SiH 3）3 N），具有通式MXn的金属前体（例如，Hf（NEt 2）4））和氧化 试剂（例如，O 2）进入CVD室，并在基板的表面进行反应。 可以获得MsiN，MSI和/或MSION膜。 这些膜可用作高k电介质膜。

公开(公告)号：US20080121249A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US10583641

申请日：2004-12-10

申请人： Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Kazutaka Yanagita ,  Tomomi Fujita ,  Jean-Marc Girard

发明人： Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Kazutaka Yanagita ,  Tomomi Fujita ,  Jean-Marc Girard

IPC分类号： B08B5/00

CPC分类号： B08B7/00 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412

摘要： To provide an efficient method for cleaning film-forming apparatuses in order to remove a ruthenium-type deposit residing on a constituent member of a film-forming apparatus after said apparatus has been used to form a film comprising ruthenium or solid ruthenium oxide, wherein at least the surface region of the ruthenium-type deposit comprises solid ruthenium oxide.A ruthenium-type deposit, at least the surface region of which is solid ruthenium oxide, is brought into contact with reducing gas that contains a reducing species comprising hydrogen or hydrogen radical and the solid ruthenium oxide is thereby converted into ruthenium metal. This ruthenium metal is subsequently converted into volatile ruthenium oxide by bringing the ruthenium metal into contact with an oxidizing gas that contains an oxidizing species comprising an oxygenated compound, and this volatile ruthenium oxide is removed from the film-forming apparatus.

摘要翻译： 为了提供一种清洁成膜装置的有效方法，以便在所述装置用于形成包含钌或固体氧化钌的膜之后，去除位于成膜装置的构成部件上的钌型沉积物，其中在 钌型沉积物的表面区域最少包含固体氧化钌。 至少其表面区域为固体氧化钌的钌型沉积物与含有包含氢或氢原子的还原物质的还原气体接触，由此将固体氧化钌转化为金属钌。 通过使钌金属与包含含氧化合物的氧化物质的氧化气体接触，随后将该钌金属转化为挥发性氧化钌，并且从成膜设备中除去该挥发性氧化钌。

公开(公告)号：US07351670B2

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：US11020712

申请日：2004-12-23

申请人： Takeshi Hoshi ,  Tsuyoshi Saito ,  Takako Kimura ,  Christian Dussarrat ,  Kazutaka Yanagita

发明人： Takeshi Hoshi ,  Tsuyoshi Saito ,  Takako Kimura ,  Christian Dussarrat ,  Kazutaka Yanagita

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/345 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon nitride film is formed on a silicon wafer mounted in a boat in an LPCVD tool by feeding a silicon source (SiH2Cl2, SiCl4, Si2Cl6, etc.) from an injector and feeding a mixed gas of monomethylamine (CH3NH2) and ammonia (NH3) as the nitrogen source from an injector. This addition of monomethylamine to the source substances for film production makes it possible to provide an improved film quality and improved leakage characteristics even at low temperatures (450-600° C.).

摘要翻译： 在LPCVD工具中，在安装在船上的硅晶片上形成硅氮化物膜，该硅源通过馈送硅源（SiH 2 2 Cl 2 Si 2 Si 3 S 2， >，Si 2 C 6 C 6等），并将一甲胺（CH 3 N 2 NH 2）的混合气体进料， / NH 3）和氨（NH 3 N 3）作为来自注射器的氮源。 通过将这种单甲胺添加到用于薄膜生产的源物质中，即使在低温（450-600℃）下也可以提供改进的膜质量和改善的泄漏特性。

公开(公告)号：US07064083B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US11222361

申请日：2005-09-08

申请人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

发明人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C07F7/10

摘要： A composition and method of preparation, to provide silane compounds that are free of chlorine. The compounds are hexakis(monohydrocarbylamino)disilanes with general formula (I) ((R)HN)3—Si—Si—(NH(R))3  (I) wherein each R independently represents a C1 to C4 hydrocarbyl. These disilanes may be synthesized by reacting hexachlorodisilane in organic solvent with at least 6-fold moles of the monohydrocarbylamine RNH2 (wherein R is a C1 to C4 hydrocarbyl). Such compounds have excellent film-forming characteristics at low temperatures. These films, particularly in the case of silicon nitride and silicon oxynitride, also have excellent handling characteristics.

摘要翻译： 提供不含氯的硅烷化合物的组合物和制备方法。 化合物是具有通式（I）的六（单烃基氨基）二硅烷，其中式（I）<βin-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”→（（R）HN） -Si-Si-（NH（R））3（I）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>其中每个R独立地表示 C 1至C 4烃基。 这些二硅烷可以通过使六氯二硅烷在有机溶剂中与至少6倍摩尔的单烃基胺R N H 2（其中R是C 1至C 4）的反应来合成 烃基）。 这些化合物在低温下具有优异的成膜特性。 这些膜，特别是在氮化硅和氮氧化硅的情况下，也具有优异的处理特性。

公开(公告)号：US09087690B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US14009812

申请日：2011-04-06

申请人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

发明人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： H01L21/02 ,  C07F7/00 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C07F7/003 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228

摘要： Disclosed are hafnium-containing and zirconium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The compounds may be used to deposit hafnium, zirconium, hafnium oxide, and zirconium oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了含铪和锆的前体及其合成方法。 这些化合物可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积铪，锆，氧化铪和含氧化锆的层。

公开(公告)号：US08932674B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US13576016

申请日：2011-02-17

申请人： Christian Dussarrat ,  François Doniat ,  Curtis Anderson ,  James J. F. McAndrew

发明人： Christian Dussarrat ,  François Doniat ,  Curtis Anderson ,  James J. F. McAndrew

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274

摘要： Disclosed are precursors that are adapted to deposit SiCOH films with dielectric constant and Young's Modulus suitable for future generation dielectric films.

摘要翻译： 公开了适于沉积具有介电常数的SiCOH膜的前体，并且适用于下一代介电膜的杨氏模量。

公开(公告)号：US08613976B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13547876

申请日：2012-07-12

申请人： Christian Dussarrat ,  Ikuo Suzuki ,  Kazutaka Yanagita ,  Julien Gatineau ,  Eri Tsukada

发明人： Christian Dussarrat ,  Ikuo Suzuki ,  Kazutaka Yanagita ,  Julien Gatineau ,  Eri Tsukada

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： A method of forming a silicon oxide film, comprising the steps of: providing a substrate into a reaction chamber; injecting into the reaction chamber at least one silicon containing compound where the at least one silicon containing compound is bis(diethylamino)silane; injecting Oxygen into the reaction chamber and at least one other O-containing gas selected from ozone and water; reacting in the reaction chamber by chemical vapor deposition at a temperature below 400 C the at least one silicon containing compound and the at least one oxygen containing gas in order to obtain the silicon oxide film deposited onto the substrate.

摘要翻译： 一种形成氧化硅膜的方法，包括以下步骤：将基底提供到反应室中; 向所述反应室中注入至少一种含硅化合物，其中所述至少一种含硅化合物是双（二乙基氨基）硅烷; 将氧气注入反应室和至少一种其它选自臭氧和水的含O气体; 在反应室内通过化学气相沉积在低于400℃的温度下使至少一种含硅化合物和至少一种含氧气体反应，以获得沉积在基底上的氧化硅膜。

公开(公告)号：US20120329999A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13602717

申请日：2012-09-04

申请人： Venkateswara R. PALLEM ,  Christian Dussarrat

发明人： Venkateswara R. PALLEM ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： C07F5/00

CPC分类号： H01L21/02192 ,  C07C257/14 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531

摘要： Methods and compositions for depositing rare earth metal-containing layers are described herein. In general, the disclosed methods deposit the precursor compounds comprising rare earth-containing compounds using deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. The disclosed precursor compounds include a cyclopentadienyl ligand having at least one aliphatic group as a substituent and an amidine ligand.

摘要翻译： 本文描述了用于沉积含稀土金属的层的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的沉积方法沉积包含稀土含量化合物的前体化合物。 所公开的前体化合物包括具有至少一个脂族基团作为取代基的环戊二烯基配体和脒配体。

公开(公告)号：US08329583B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13094421

申请日：2011-04-26

申请人： Christian Dussarrat

发明人： Christian Dussarrat

IPC分类号： H01L21/44 ,  C07F1/00

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/18

摘要： Methods and compositions for depositing metal films are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising gold, silver, or copper. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize pentadienyl ligands coupled to a metal to increase thermal stability. Furthermore, methods of depositing copper, gold, or silver are disclosed in conjunction with use of other precursors to deposit metal films. The methods and compositions may be used in a variety of deposition processes.

摘要翻译： 本文公开了用于沉积金属膜的方法和组合物。 通常，所公开的方法利用包含金，银或铜的前体化合物。 更具体地，所公开的前体化合物利用与金属偶联的戊二烯基配体以增加热稳定性。 此外，结合使用其它前体沉积金属膜来公开沉积铜，金或银的方法。 方法和组合物可用于各种沉积工艺。