公开(公告)号：US20090045450A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US11976250

申请日：2007-10-23

申请人： June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Young-gu Jin ,  Won-joo Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Yoon-dong Park

发明人： June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Young-gu Jin ,  Won-joo Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Yoon-dong Park

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881

摘要： Provided are a non-volatile memory device, which may have higher integration density, improved or optimal structure, and/or reduce or minimize interference between adjacent cells without using an SOI substrate, and a method of fabricating the non-volatile memory device. The non-volatile memory device may include: a semiconductor substrate comprising a body, and a pair of fins protruding from the body; a buried insulating layer filling between the pair of fins; a pair of floating gate electrodes on outer surfaces of the pair of fins to a height greater than that of the pair of fins; and a control gate electrode on the pair of floating gate electrodes.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件，其可以具有更高的集成密度，改进的或最优的结构，和/或减少或最小化相邻单元之间的干扰而不使用SOI衬底，以及制造非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件可以包括：半导体衬底，其包括主体和从主体突出的一对鳍; 埋在绝缘层之间的一对散热片; 一对浮栅电极，其在所述一对翅片的外表面上的高度大于所述一对鳍片的高度; 以及一对浮栅上的控制栅电极。

公开(公告)号：US20080242011A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11978567

申请日：2007-10-30

申请人： Seung-hwan Song ,  Yoon-dong Park ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Jae-woong Hyun ,  Choong-ho Lee ,  Tae-hun Kim

发明人： Seung-hwan Song ,  Yoon-dong Park ,  June-mo Koo ,  Suk-pil Kim ,  Jae-woong Hyun ,  Choong-ho Lee ,  Tae-hun Kim

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1203

摘要： A method of fabricating a non-volatile memory device according to example embodiments may include forming a semiconductor layer on a substrate. A plurality of lower charge storing layers may be formed on a bottom surface of the semiconductor layer. A plurality of lower control gate electrodes may be formed on the plurality of lower charge storing layers. A plurality of upper charge storing layers may be formed on a top surface of the semiconductor layer. A plurality of upper control gate electrodes may be formed on the plurality of upper charge storing layers, wherein the plurality of lower and upper control gate electrodes may be arranged alternately.

摘要翻译： 根据示例性实施例的制造非易失性存储器件的方法可包括在衬底上形成半导体层。 多个下电荷存储层可以形成在半导体层的底表面上。 可以在多个下电荷存储层上形成多个下控制栅电极。 多个上电荷存储层可以形成在半导体层的顶表面上。 多个上部控制栅极电极可以形成在多个上部电荷存储层上，其中多个下部和上部控制栅电极可以交替布置。

公开(公告)号：US20080308783A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12213062

申请日：2008-06-13

申请人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

发明人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/76 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

摘要： Memory devices and methods of manufacturing the same are provided. In a memory device, a memory-switch structure is formed between a first and second electrode. The memory-switch structure includes a memory resistor and a switch structure. The switch structure controls current supplied to the memory resistor. A memory region of the memory resistor and a switch region of the switch structure are different from each other.

摘要翻译： 提供了存储器件及其制造方法。 在存储器件中，在第一和第二电极之间形成存储器开关结构。 存储器开关结构包括存储器电阻器和开关结构。 开关结构控制提供给存储电阻的电流。 存储电阻的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。

公开(公告)号：US08274067B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12213062

申请日：2008-06-13

申请人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

发明人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

摘要： Memory devices and methods of manufacturing the same are provided. In a memory device, a memory-switch structure is formed between a first and second electrode. The memory-switch structure includes a memory resistor and a switch structure. The switch structure controls current supplied to the memory resistor. A memory region of the memory resistor and a switch region of the switch structure are different from each other.

摘要翻译： 提供了存储器件及其制造方法。 在存储器件中，在第一和第二电极之间形成存储器开关结构。 存储器开关结构包括存储器电阻器和开关结构。 开关结构控制提供给存储电阻的电流。 存储电阻的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。

公开(公告)号：US07682758B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11441835

申请日：2006-05-26

申请人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

发明人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

摘要： A reflection mask for extreme ultraviolet (EUV) photolithography and a method of fabricating the same, in which the reflection mask includes a substrate, a lower reflection layer formed in a multi-layer structure on the substrate and including a material reflecting EUV light, an upper reflection layer formed in a multi-layer structure on the lower reflection layer and reflecting EUV light, and a phase reversing layer formed between the lower reflection layer and the upper reflection layer in a certain pattern and causing destructive interference between reflection light from the upper reflection layer and reflection light from the lower reflection layer. An incidence of a shadow effect can be reduced and unnecessary EUV light can be eliminated, so that a pattern on the reflection mask can be projected precisely on a silicon wafer. Since the phase reversing layer includes the same material as the reflection layer and an absorption layer, mask fabrication processes can be handled easily.

摘要翻译： 一种用于极紫外（EUV）光刻的反射掩模及其制造方法，其中反射掩模包括基板，在基板上形成为多层结构的下反射层，并且包括反射EUV光的材料， 在下反射层上形成多层结构并反射EUV光的上反射层和以一定图案形成在下反射层和上反射层之间的相位反转层，并且产生来自上层的反射光之间的相消干涉 反射层和来自下反射层的反射光。 可以减少阴影效应的入射，并且可以消除不必要的EUV光，使得反射掩模上的图案可以精确地投影在硅晶片上。 由于相位反转层包括与反射层和吸收层相同的材料，因此可以容易地处理掩模制造工艺。

公开(公告)号：US20070031741A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11498020

申请日：2006-08-03

申请人： Hoon Kim ,  Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

发明人： Hoon Kim ,  Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Seung-hyuk Chang

IPC分类号： G02B5/20 ,  F21V9/06 ,  F21V9/04 ,  G21K5/00 ,  G03F1/00 ,  G02B5/08

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

摘要： A reflection device that may include a substrate and a multi-reflection layer formed on the substrate. The multi-reflection layer may be formed of a material capable of reflecting EUV rays. The multi-reflection layer may be formed by stacking a plurality of layer groups, each including a first material layer, a surface-treated layer obtained by surface-treating the first material layer, and a second material layer formed on the surface-treated layer. A method of fabricating the reflection device that may include preparing a substrate and forming a multi-reflection layer on the substrate from a material capable of reflecting EUV rays. The forming of the multi-reflection layer may be performed by repeatedly forming a layer group. The forming of the layer group may include forming a first material layer, surface-treating the first material layer, and forming a second material layer on the surface-treated first material layer.

摘要翻译： 可以包括形成在基板上的基板和多反射层的反射装置。 多反射层可以由能够反射EUV射线的材料形成。 多反射层可以通过层叠多个层组而形成，每个层组包括第一材料层，通过表面处理第一材料层获得的表面处理层和形成在表面处理层上的第二材料层 。 一种制造反射装置的方法，其可以包括准备基板并且在能够反射EUV射线的材料的基板上形成多反射层。 多反射层的形成可以通过重复形成层组来进行。 层组的形成可以包括形成第一材料层，对第一材料层进行表面处理，以及在表面处理的第一材料层上形成第二材料层。

公开(公告)号：US07439197B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11267264

申请日：2005-11-07

申请人： Jang-yeon Kwon ,  Hyuk Lim ,  Takashi Noguchi ,  Young-soo Park ,  Suk-pil Kim ,  Hans S. Cho ,  Ji-sim Jung ,  Kyung-bae Park ,  Do-young Kim

发明人： Jang-yeon Kwon ,  Hyuk Lim ,  Takashi Noguchi ,  Young-soo Park ,  Suk-pil Kim ,  Hans S. Cho ,  Ji-sim Jung ,  Kyung-bae Park ,  Do-young Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  C30B23/00

CPC分类号： H01L29/66765 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

摘要： A method of preparing a semiconductor film on a substrate is disclosed. The method includes arranging an insulating substrate in a deposition chamber and depositing a semiconductor film onto the insulating substrate using ion beam deposition, wherein a temperature of the insulating substrate during the depositing does not exceed 250° C. The method can produce a thin film transistor. The disclosed ion beam deposition method forms, at lower temperature and with low impurities, a film morphology with desired smoothness and grain size. Deposition of semiconductor films on low melting point substrates, such as plastic flexible substrates, is enables.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上制备半导体膜的方法。 该方法包括在沉积室中布置绝缘衬底，并使用离子束沉积将半导体膜沉积到绝缘衬底上，其中沉积期间绝缘衬底的温度不超过250℃。该方法可以产生薄膜晶体管 。 所公开的离子束沉积方法在较低温度和低杂质下形成具有所需光滑度和晶粒尺寸的膜形态。 能够在诸如塑料柔性基底的低熔点基底上沉积半导体膜。

公开(公告)号：US20060281017A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11441835

申请日：2006-05-26

申请人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-Soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

发明人： Suk-pil Kim ,  I-hun Song ,  Young-Soo Park ,  Seung-hyuk Chang ,  Hoon Kim

IPC分类号： G21K5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

摘要： A reflection mask for extreme ultraviolet (EUV) photolithography and a method of fabricating the same, in which the reflection mask includes a substrate, a lower reflection layer formed in a multi-layer structure on the substrate and including a material reflecting EUV light, an upper reflection layer formed in a multi-layer structure on the lower reflection layer and reflecting EUV light, and a phase reversing layer formed between the lower reflection layer and the upper reflection layer in a certain pattern and causing destructive interference between reflection light from the upper reflection layer and reflection light from the lower reflection layer. An incidence of a shadow effect can be reduced and unnecessary EUV light can be eliminated, so that a pattern on the reflection mask can be projected precisely on a silicon wafer. Since the phase reversing layer includes the same material as the reflection layer and an absorption layer, mask fabrication processes can be handled easily.

摘要翻译： 一种用于极紫外（EUV）光刻的反射掩模及其制造方法，其中反射掩模包括基板，在基板上形成为多层结构的下反射层，并且包括反射EUV光的材料， 在下反射层上形成多层结构并反射EUV光的上反射层和以一定图案形成在下反射层和上反射层之间的相位反转层，并且产生来自上层的反射光之间的相消干涉 反射层和来自下反射层的反射光。 可以减少阴影效应的入射，并且可以消除不必要的EUV光，使得反射掩模上的图案可以精确地投影在硅晶片上。 由于相位反转层包括与反射层和吸收层相同的材料，因此可以容易地处理掩模制造工艺。

公开(公告)号：US20060099778A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US11267264

申请日：2005-11-07

申请人： Jang-yeon Kwon ,  Hyuk Lim ,  Takashi Noguchi ,  Young-soo Park ,  Suk-pil Kim ,  Hans Cho ,  Ji-sim Jung ,  Kyung-bae Park ,  Do-young Kim

发明人： Jang-yeon Kwon ,  Hyuk Lim ,  Takashi Noguchi ,  Young-soo Park ,  Suk-pil Kim ,  Hans Cho ,  Ji-sim Jung ,  Kyung-bae Park ,  Do-young Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66765 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

摘要： A method of preparing a semiconductor film on a substrate is disclosed. The method includes arranging an insulating substrate in a deposition chamber and depositing a semiconductor film onto the insulating substrate using ion beam deposition, wherein a temperature of the insulating substrate during the depositing does not exceed 250° C. The method can produce a thin film transistor. The disclosed ion beam deposition method forms, at lower temperature and with low impurities, a film morphology with desired smoothness and grain size. Deposition of semiconductor films on low melting point substrates, such as plastic flexible substrates, is enables.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上制备半导体膜的方法。 该方法包括在沉积室中布置绝缘衬底，并使用离子束沉积将半导体膜沉积到绝缘衬底上，其中沉积期间绝缘衬底的温度不超过250℃。该方法可以产生薄膜晶体管 。 所公开的离子束沉积方法在较低温度和低杂质下形成具有所需光滑度和晶粒尺寸的膜形态。 能够在诸如塑料柔性基底的低熔点基底上沉积半导体膜。

公开(公告)号：US20080272366A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12010806

申请日：2008-01-30

申请人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  Jung-hyun Lee ,  Nae-in Lee ,  Yeon-sik Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Se-young Cho ,  Suk-pil Kim

发明人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  Jung-hyun Lee ,  Nae-in Lee ,  Yeon-sik Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Se-young Cho ,  Suk-pil Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/426 ,  H01L2221/1094

摘要： A field effect transistor having at least one Ge nanorod and a method of manufacturing the field effect transistor are provided. The field effect transistor may include a gate oxide layer formed on a silicon substrate, at least one nanorod embedded in the gate oxide layer having both ends thereof exposed, a source electrode and a drain electrode connected to opposite sides of the at least one Ge nanorod, and a gate electrode formed on the gate oxide layer between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 提供具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。 场效应晶体管可以包括形成在硅衬底上的栅氧化层，至少一个纳米棒嵌入在其两端被暴露的栅极氧化层中，源电极和漏极连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧 以及形成在源电极和漏电极之间的栅氧化层上的栅电极。