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    Memory devices and methods of manufacturing the same
    1.
    发明申请
    Memory devices and methods of manufacturing the same 有权
    存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080308783A1

    公开(公告)日：2008-12-18

    申请号：US12213062

    申请日：2008-06-13

    申请人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

    发明人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/76 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

    摘要： Memory devices and methods of manufacturing the same are provided. In a memory device, a memory-switch structure is formed between a first and second electrode. The memory-switch structure includes a memory resistor and a switch structure. The switch structure controls current supplied to the memory resistor. A memory region of the memory resistor and a switch region of the switch structure are different from each other.

    摘要翻译： 提供了存储器件及其制造方法。 在存储器件中，在第一和第二电极之间形成存储器开关结构。 存储器开关结构包括存储器电阻器和开关结构。 开关结构控制提供给存储电阻的电流。 存储电阻的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。

    Memory devices and methods of manufacturing the same
    2.
    发明授权
    Memory devices and methods of manufacturing the same 有权
    存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08274067B2

    公开(公告)日：2012-09-25

    申请号：US12213062

    申请日：2008-06-13

    申请人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

    发明人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

    摘要： Memory devices and methods of manufacturing the same are provided. In a memory device, a memory-switch structure is formed between a first and second electrode. The memory-switch structure includes a memory resistor and a switch structure. The switch structure controls current supplied to the memory resistor. A memory region of the memory resistor and a switch region of the switch structure are different from each other.

    摘要翻译： 提供了存储器件及其制造方法。 在存储器件中，在第一和第二电极之间形成存储器开关结构。 存储器开关结构包括存储器电阻器和开关结构。 开关结构控制提供给存储电阻的电流。 存储电阻的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。

    Resistive random access memory and method of manufacturing the same
    6.
    发明申请
    Resistive random access memory and method of manufacturing the same 有权
    电阻式随机存取存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US20080121864A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11987150

    申请日：2007-11-28

    申请人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

    发明人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： Example embodiments relate to a resistive random access memory (RRAM) and a method of manufacturing the RRAM. A RRAM according to example embodiments may include a lower electrode, which may be formed on a lower structure (e.g., substrate). A resistive layer may be formed on the lower electrode, wherein the resistive layer may include a transition metal dopant. An upper electrode may be formed on the resistive layer. Accordingly, the transition metal dopant may form a filament in the resistive layer that operates as a current path.

    摘要翻译： 示例实施例涉及电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 根据示例性实施例的RRAM可以包括下电极，其可以形成在下结构（例如，衬底）上。 电阻层可以形成在下电极上，其中电阻层可以包括过渡金属掺杂剂。 上电极可以形成在电阻层上。 因此，过渡金属掺杂剂可以在作为电流路径工作的电阻层中形成丝。