公开(公告)号：US08415198B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12374665

申请日：2007-07-26

申请人： Naho Itagaki ,  Toru Den ,  Nobuyuki Kaji ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano

发明人： Naho Itagaki ,  Toru Den ,  Nobuyuki Kaji ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A production method of a thin film transistor including an active layer including an amorphous oxide semiconductor film, wherein a step of forming the active layer includes a first step of forming the oxide film in an atmosphere having an introduced oxygen partial pressure of 1×10−3 Pa or less, and a second step of annealing the oxide film in an oxidative atmosphere after the first step.

摘要翻译： 1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，具备包含非晶形氧化物半导体膜的有源层的薄膜晶体管，其特征在于，形成有源层的工序包括在引入氧分压为1×10 -5的气氛中形成氧化膜的第1工序， 3Pa以下，以及在第一工序后的氧化性气氛中退火氧化膜的第二工序。

公开(公告)号：US07923723B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12281783

申请日：2007-02-23

申请人： Ryo Hayashi ,  Katsumi Abe ,  Masafumi Sano

发明人： Ryo Hayashi ,  Katsumi Abe ,  Masafumi Sano

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L31/0376 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969

摘要： The thin-film transistor of the present invention has at least a semiconductor layer including: on a substrate, a source electrode, a drain electrode, and a channel region; a gate insulating film; and a gate electrode, wherein the semiconductor layer is an oxide semiconductor layer, and wherein the gate insulating film is amorphous silicon including at least O and N, and the gate insulating film has a distribution of an oxygen concentration in a thickness direction so that the oxygen concentration is high in the side of an interface with an oxide semiconductor layer and the oxygen concentration decreases toward the side of the gate electrode.

摘要翻译： 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，该半导体层包括：基板，源电极，漏电极和沟道区; 栅极绝缘膜; 以及栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中所述栅极绝缘膜是至少包括至少O和N的非晶硅，并且所述栅极绝缘膜具有在厚度方向上的氧浓度的分布，使得 在与氧化物半导体层的界面侧的氧浓度高，并且氧浓度朝向栅电极侧减小。

公开(公告)号：US20100085081A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12597211

申请日：2008-05-15

申请人： Masato Ofuji ,  Katsumi Abe ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano ,  Hideya Kumomi

发明人： Masato Ofuji ,  Katsumi Abe ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano ,  Hideya Kumomi

IPC分类号： H03K19/20 ,  H03K19/0944 ,  H01L21/8254 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/42

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1233

摘要： To provide an enhancement-depletion (E/D) inverter which can be easily manufactured, in the present invention, a method of manufacturing an inverter which is composed of an oxide semiconductor in which a channel layer includes at least one element selected from In, Ga and Zn formed on a same substrate, the inverter being the E/D inverter having plural thin film transistors, is characterized by comprising the steps of: forming a first transistor and a second transistor, the thicknesses of the channel layers of the first and second transistors being mutually different; and executing heat treatment to at least one of the channel layers of the first and second transistors.

摘要翻译： 为了提供易于制造的增强耗尽（E / D）逆变器，在本发明中，制造由氧化物半导体构成的逆变器的制造方法，其中沟道层包括选自In， Ga和Zn形成在同一衬底上，所述逆变器是具有多个薄膜晶体管的E / D逆变器，其特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一和第二晶体管的沟道层的厚度 第二晶体管是相互不同的; 以及对所述第一和第二晶体管的至少一个沟道层执行热处理。

公开(公告)号：US20090325341A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12374665

申请日：2007-07-26

申请人： Naho Itagaki ,  Toru Den ,  Nobuyuki Kaji ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano

发明人： Naho Itagaki ,  Toru Den ,  Nobuyuki Kaji ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A production method of a thin film transistor including an active layer including an amorphous oxide semiconductor film, wherein a step of forming the active layer includes a first step of forming the oxide film in an atmosphere having an introduced oxygen partial pressure of 1×10−3 Pa or less, and a second step of annealing the oxide film in an oxidative atmosphere after the first step.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，具备包含非晶形氧化物半导体膜的活性层的薄膜晶体管，其特征在于，形成有源层的工序包括在导入氧分压为1×10 -3 Pa的气氛中形成氧化膜的第1工序 以及在第一工序后的氧化性气氛中退火氧化膜的第二工序。

公开(公告)号：US07601984B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11269600

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

摘要翻译： 提供了可应用于例如TFT的有源层的新颖的无定形氧化物。 无定形氧化物包括微晶。

公开(公告)号：US20090102829A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11683872

申请日：2007-03-08

申请人： Katsumi Abe ,  Hideya Kumomi ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano

发明人： Katsumi Abe ,  Hideya Kumomi ,  Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano

IPC分类号： G06F3/038 ,  G09G3/20

CPC分类号： G09G3/325 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/043

摘要： A pixel circuit and an image display apparatus are provided making use of a hysteresis characteristics of a transistor for driving a display element. The pixel circuit comprises: a transistor providing both different first and second relations between a gate voltage value and a drain current value at a transition from off state to an on state, and from the on state transits to the off state respectively; a display element supplied as a drive current with a current controlled by the transistor; and a capacitor element connected to a gate electrode of the transistor. One of the first and second relations is utilized during a first period for setting the drive current to be supplied to the display element. And, the other of the first and second relations is utilized during a second period for supplying the drive current to the display element to effect light emission.

摘要翻译： 使用用于驱动显示元件的晶体管的滞后特性来提供像素电路和图像显示装置。 像素电路包括：晶体管，在从断开状态转换到导通状态时，分别在栅极电压值和漏极电流值之间分别具有不同的第一和第二关系，以及从导通状态转移到断开状态。 以由晶体管控制的电流作为驱动电流提供的显示元件; 以及连接到晶体管的栅电极的电容器元件。 第一和第二关系中的一个在第一时段期间被利用来设定要提供给显示元件的驱动电流。 并且，在第二时段期间利用第一和第二关系中的另一个来向显示元件提供驱动电流以实现发光。

公开(公告)号：US20070090365A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11583022

申请日：2006-10-19

申请人： Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano ,  Katsumi Abe ,  Hideya Kumomi ,  Kojiro Nishi

发明人： Ryo Hayashi ,  Masafumi Sano ,  Katsumi Abe ,  Hideya Kumomi ,  Kojiro Nishi

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/78633 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5338

摘要： A field-effect transistor includes a substrate, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, a gate-insulating film, and an active layer. The active layer contains an oxide having a transmittance of 70% or more in the wavelength range of 400 to 800 nm. A light-shielding member is provided as a light-shielding structure for the active layer, for example, on the bottom face of the substrate.

摘要翻译： 场效应晶体管包括衬底，源电极，漏电极，栅电极，栅极绝缘膜和有源层。 有源层含有在400〜800nm的波长范围内透过率为70％以上的氧化物。 作为有源层的遮光结构，例如在基板的底面设置遮光部件。

公开(公告)号：US20060108636A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11269600

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

公开(公告)号：US06855621B2

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US09983427

申请日：2001-10-24

申请人： Takaharu Kondo ,  Masafumi Sano ,  Akira Sakai ,  Yasuyoshi Takai ,  Ryo Hayashi ,  Toshihiro Yamashita

发明人： Takaharu Kondo ,  Masafumi Sano ,  Akira Sakai ,  Yasuyoshi Takai ,  Ryo Hayashi ,  Toshihiro Yamashita

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C30B25/10 ,  H01L21/205 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/26 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/548

摘要： The method of the present invention is a method of forming a silicon-based semiconductor layer by introducing a source gas into a vacuum vessel and forming a silicon-based semiconductor layer containing a microcrystal on a substrate introduced into the vacuum vessel by plasma CVD, which comprises a first step of forming a first region with a source gas containing halogen atoms, and a second step of forming a second region on the first region under a condition where the source gas containing halogen atoms in the second step is lower in gas concentration than that of the first step, thereby providing a method of forming a silicon-based semiconductor layer having an excellent photoelectric characteristic at a film forming rate of an industrially practical level and a photovoltaic element using the silicon-based semiconductor layer formed by the method.

摘要翻译： 本发明的方法是通过将源气体引入真空容器中并通过等离子体CVD在引入真空容器的基板上形成含有微晶体的硅基半导体层来形成硅基半导体层的方法， 包括用含有卤素原子的源气体形成第一区域的第一步骤，以及在第二步骤中含有卤素原子的气体气体的气体浓度低的条件下，在第一区域上形成第二区域的第二步骤， 从而提供一种以工业实用水平的成膜速度形成具有优异光电特性的硅基半导体层的方法和使用通过该方法形成的硅基半导体层的光电元件。

公开(公告)号：US06802953B2

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US10046903

申请日：2002-01-17

申请人： Masafumi Sano ,  Yuichi Sonoda

发明人： Masafumi Sano ,  Yuichi Sonoda

IPC分类号： C25D1100

CPC分类号： C25D9/04 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention provides a method of producing a zinc oxide thin film in which a current is passed between a conductive substrate immersed in an aqueous solution containing at least zinc ions, ammonium ions and zinc ammonia complex ions, and an electrode as an anode immersed in the aqueous solution to form a zinc oxide thin film on the conductive substrate. This method stabilizes formation of the zinc oxide thin film and improves adhesion between the thin film and the substrate.

摘要翻译： 本发明提供一种氧化锌薄膜的制造方法，其中，在浸渍在至少含有锌离子，铵离子和锌氨络离子的水溶液中的导电性基板之间通过电流，以及作为阳极浸渍的电极 该水溶液在导电基材上形成氧化锌薄膜。 该方法稳定了氧化锌薄膜的形成，提高了薄膜与基板的粘合性。